| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 1057361 | RM4830 | RECTIFICADOR CAMBIADO MODULAR DEL MODO DE 30 AMPERIOS | C&D Technologies |
| 1057362 | RM4850 | RECTIFICADOR CAMBIADO MODULAR DEL MODO DE 50 AMPERIOS | C&D Technologies |
| 1057363 | RM487.5 | 7.5 Amp. Modular cambia el modo de rectificador. | C&D Technologies |
| 1057364 | RM4875 | Rectificador Modular Del Modo Del Interruptor De 7,5 Amperios | C&D Technologies |
| 1057365 | RM48L530 | 16/32-bit RISC microcontrolador Flash | Texas Instruments |
| 1057366 | RM48L540 | 16/32-bit RISC microcontrolador Flash | Texas Instruments |
| 1057367 | RM48L550 | 16/32-bit RISC microcontrolador Flash | Texas Instruments |
| 1057368 | RM48L730 | 16/32-bit RISC microcontrolador Flash | Texas Instruments |
| 1057369 | RM48L740 | 16/32-bit RISC microcontrolador Flash | Texas Instruments |
| 1057370 | RM48L750 | 16/32-bit RISC microcontrolador Flash | Texas Instruments |
| 1057371 | RM48L930 | 16/32-bit RISC microcontrolador Flash | Texas Instruments |
| 1057372 | RM48L940 | 16/32-bit RISC microcontrolador Flash | Texas Instruments |
| 1057373 | RM48L950 | 16/32-bit RISC microcontrolador Flash | Texas Instruments |
| 1057374 | RM48L952 | 16/32-bit RISC microcontrolador Flash | Texas Instruments |
| 1057375 | RM50 | TIPO AISLADO USO DE ALTA VELOCIDAD DE LA CONMUTACIÓN | Mitsubishi Electric Corporation |
| 1057376 | RM500DZ-24 | Módulos Bipolares Integrados Del Transistor De la Puerta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 1057377 | RM500DZ-24 | TIPO AISLADO DEL USO GENERAL DE LA ALTA ENERGÍA DE LOS MÓDULOS DEL DIODO DE MITSUBISHI | Mitsubishi Electric Corporation |
| 1057378 | RM500DZ-2H | Módulos Bipolares Integrados Del Transistor De la Puerta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 1057379 | RM500DZ-H | Diodos De Rectificador, 800V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 1057380 | RM500DZ-H | TIPO AISLADO DEL USO GENERAL DE LA ALTA ENERGÍA DE LOS MÓDULOS DEL DIODO DE MITSUBISHI | Mitsubishi Electric Corporation |
| 1057381 | RM500DZ-M | Módulos Bipolares Integrados Del Transistor De la Puerta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 1057382 | RM500DZ-M | TIPO AISLADO DEL USO GENERAL DE LA ALTA ENERGÍA DE LOS MÓDULOS DEL DIODO DE MITSUBISHI | Mitsubishi Electric Corporation |
| 1057383 | RM500HA-24 | TIPO AISLADO DEL USO GENERAL DE LA ALTA ENERGÍA DE LOSMÓDULOS DEL DIODO | Mitsubishi Electric Corporation |
| 1057384 | RM500HA-2H | TIPO AISLADO DEL USO GENERAL DE LA ALTA ENERGÍA DE LOSMÓDULOS DEL DIODO | Mitsubishi Electric Corporation |
| 1057385 | RM500HA-H | TIPO AISLADO DEL USO GENERAL DE LA ALTA ENERGÍA DE LOSMÓDULOS DEL DIODO | Mitsubishi Electric Corporation |
| 1057386 | RM500HA-M | TIPO AISLADO DEL USO GENERAL DE LA ALTA ENERGÍA DE LOSMÓDULOS DEL DIODO | Mitsubishi Electric Corporation |
| 1057387 | RM500UZ-24 | Módulos Bipolares Integrados Del Transistor De la Puerta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 1057388 | RM500UZ-24 | TIPO AISLADO DEL USO GENERAL DE LA ALTA ENERGÍA DE LOS MÓDULOS DEL DIODO DE MITSUBISHI | Mitsubishi Electric Corporation |
| 1057389 | RM500UZ-2H | Módulos Bipolares Integrados Del Transistor De la Puerta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 1057390 | RM500UZ-2H | TIPO AISLADO DEL USO GENERAL DE LA ALTA ENERGÍA DE LOS MÓDULOS DEL DIODO DE MITSUBISHI | Mitsubishi Electric Corporation |
| 1057391 | RM500UZ-H | Diodos De Rectificador, 800V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 1057392 | RM500UZ-H | TIPO AISLADO DEL USO GENERAL DE LA ALTA ENERGÍA DE LOS MÓDULOS DEL DIODO DE MITSUBISHI | Mitsubishi Electric Corporation |
| 1057393 | RM500UZ-M | Módulos Bipolares Integrados Del Transistor De la Puerta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 1057394 | RM500UZ-M | TIPO AISLADO DEL USO GENERAL DE LA ALTA ENERGÍA DE LOS MÓDULOS DEL DIODO DE MITSUBISHI | Mitsubishi Electric Corporation |
| 1057395 | RM50C1A-XXF | TIPO AISLADO USO DE ALTA VELOCIDAD RÁPIDO DE LA CONMUTACIÓN DE LOS MÓDULOS DEL DIODO DE LA RECUPERACIÓN | Mitsubishi Electric Corporation |
| 1057396 | RM50C1A-XXS | ENERGÍA MEDIA DE LA RECUPERACIÓN DE LOS MÓDULOS RÁPIDOS DEL DIODO, TIPO AISLADO USO DE ALTA FRECUENCIA | Mitsubishi Electric Corporation |
| 1057397 | RM50CA | TIPO AISLADO USO DE ALTA VELOCIDAD RÁPIDO DE LA CONMUTACIÓN DE LOS MÓDULOS DEL DIODO DE LA RECUPERACIÓN | Mitsubishi Electric Corporation |
| 1057398 | RM50CA | ENERGÍA MEDIA DE LA RECUPERACIÓN DE LOS MÓDULOS RÁPIDOS DEL DIODO, TIPO AISLADO USO DE ALTA FRECUENCIA | Mitsubishi Electric Corporation |
| 1057399 | RM50CA-XXF | TIPO AISLADO USO DE ALTA VELOCIDAD DE LA CONMUTACIÓN | Mitsubishi Electric Corporation |
| 1057400 | RM50CA-XXS | ENERGÍA MEDIA/TIPO AISLADO USO DE ALTA FRECUENCIA | Mitsubishi Electric Corporation |
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