| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 1137161 | SPB35N10 | Los MOSFETs De la Baja Tensión - Accione Mosfet, 100V, D²PAK, RDSon=45mOhm, 3Ä, NL | Infineon |
| 1137162 | SPB35N10 | Transistor De Energía Del N-Canal SIPMOS | Infineon |
| 1137163 | SPB42N03S2L-13 | MOSFETs De la Baja Tensión - Mosfet De la Energía De OptiMOS, 30V, D2PAK, RDSon El = 12.6mOhm, 4À, LL | Infineon |
| 1137164 | SPB46N03 | Transistor De Energía Del N-Canal SIPMOS | Infineon |
| 1137165 | SPB46N03L | Transistor De Energía Del N-Canal SIPMOS | Infineon |
| 1137166 | SPB47N10 | Los MOSFETs De la Baja Tensión - Accione Mosfet, 100V, D²PAK, RDSon=33mOhm, 47A, NL | Infineon |
| 1137167 | SPB47N10L | Los MOSFETs De la Baja Tensión - Accione Mosfet, 100V, D²PAK, RDSon=26mOhm, 47A, LL | Infineon |
| 1137168 | SPB70N10L | Los MOSFETs De la Baja Tensión - Accione Mosfet, 100V, D²PAK, RDSon=16mOhm, 70A, LL | Infineon |
| 1137169 | SPB73N03S2L-08 | MOSFETs De la Baja Tensión - Mosfet De la Energía De OptiMOS, 30V, D2PAK, RDSon Los = 8.1mOhm, 7Á, LL | Infineon |
| 1137170 | SPB77N06S2-12 | Transistor De Energía De OptiMOS Del N-Canal | Infineon |
| 1137171 | SPB80N03 | Transistor De Energía Del N-Canal SIPMOS | Infineon |
| 1137172 | SPB80N03 | Transistor De Energía de SIPMOS | Siemens |
| 1137173 | SPB80N03L | Transistor De Energía Del N-Canal SIPMOS | Infineon |
| 1137174 | SPB80N03S2-03 | MOSFETs de la baja tensión - MOSFET de la energía de OptiMOS, 30V, D2PAK, RDSon = 3,1 mOhm, 80A, NL | Infineon |
| 1137175 | SPB80N03S2L-03 | MOSFETs De la Baja Tensión - Mosfet De la Energía De OptiMOS, 30V, D2PAK, RDSon Los = 2.8mOhm, 80A, LL | Infineon |
| 1137176 | SPB80N03S2L-04 | MOSFETs De la Baja Tensión - Mosfet De la Energía De OptiMOS, 30V, D2PAK, RDSon Los = 3.9mOhm, 80A, LL | Infineon |
| 1137177 | SPB80N03S2L-05 | MOSFETs De la Baja Tensión - Mosfet De la Energía De OptiMOS, 30V, To-220, RDSon Los = 4.9mOhm, 80A, LL | Infineon |
| 1137178 | SPB80N03S2L-06 | MOSFETs De la Baja Tensión - Mosfet De la Energía De OptiMOS, 30V, D2PAk, RDSon Los = 5.9mOhm, 80A, LL | Infineon |
| 1137179 | SPB80N04S2-04 | Energi'a-Transistor De OptiMOS | Infineon |
| 1137180 | SPB80N04S2-H4 | Energi'a-Transistor De OptiMOS | Infineon |
| 1137181 | SPB80N04S2L-03 | Energi'a-Transistor De OptiMOS | Infineon |
| 1137182 | SPB80N06S2-05 | Transistor De Energía De OptiMOS Del N-Canal | Infineon |
| 1137183 | SPB80N06S2-07 | Transistor De Energía De OptiMOS Del N-Canal | Infineon |
| 1137184 | SPB80N06S2-08 | Energi'a-Transistor De OptiMOS | Infineon |
| 1137185 | SPB80N06S2-09 | Transistor De Energía De OptiMOS Del N-Canal | Infineon |
| 1137186 | SPB80N06S2-H5 | Energi'a-Transistor De OptiMOS | Infineon |
| 1137187 | SPB80N06S2L-05 | Energi'a-Transistor De OptiMOS | Infineon |
| 1137188 | SPB80N06S2L-06 | Transistor De Energía De OptiMOS Del N-Canal | Infineon |
| 1137189 | SPB80N06S2L-07 | Energi'a-Transistor De OptiMOS | Infineon |
| 1137190 | SPB80N06S2L-09 | Energi'a-Transistor De OptiMOS | Infineon |
| 1137191 | SPB80N06S2L-11 | Transistor De Energía De OptiMOS Del N-Canal | Infineon |
| 1137192 | SPB80N06S2L-H5 | Energi'a-Transistor De OptiMOS | Infineon |
| 1137193 | SPB80N08S2-07 | Energi'a-Transistor De OptiMOS | Infineon |
| 1137194 | SPB80N08S2L-07 | Energi'a-Transistor De OptiMOS | Infineon |
| 1137195 | SPB80N10L | Los MOSFETs De la Baja Tensión - Accione Mosfet, 100V, D²PAK, RDSon=14mOhm, 80A, LL | Infineon |
| 1137196 | SPB80P06P | SIPMOS® Búsqueda Paramétrica | Infineon |
| 1137197 | SPB80P06PSMD | Los MOSFETs De la Baja Tensión - Accione Mosfet, -60V, D2PAK, RDSon Los = 23m | Infineon |
| 1137198 | SPBT2632C1A | Bluetooth V3.0 clase del módulo 1, que admite SPP y iAP con juego de comandos AT 2 | ST Microelectronics |
| 1137199 | SPBT2632C1A.AT2 | Bluetooth V3.0 clase del módulo 1, que admite SPP y iAP con juego de comandos AT 2 | ST Microelectronics |
| 1137200 | SPBT2632C2A | Bluetooth V3.0 clase del módulo 2 con antena, apoyando SPP y iAP con juego de comandos AT 2 | ST Microelectronics |
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