Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
1143801 | SSM5G01TU | Tipo del MOS del canal del silicio P para (convertidor planar epitaxial de C.C.-C.C. del diodo de U-MOSII)/Silicon Schottky DSCs y Camcorders | TOSHIBA |
1143802 | SSM5G02TU | Dispositivos discretos Multi-Chip (P-ch + SBD) | TOSHIBA |
1143803 | SSM5G04TU | Dispositivos discretos Multi-Chip (P-ch + SBD) | TOSHIBA |
1143804 | SSM5G06FE | Dispositivos discretos Multi-Chip (P-ch + SBD) | TOSHIBA |
1143805 | SSM5G09TU | Dispositivos discretos Multi-Chip (P-ch + SBD) | TOSHIBA |
1143806 | SSM5G10TU | Dispositivos discretos Multi-Chip (P-ch + SBD) | TOSHIBA |
1143807 | SSM5G11TU | Dispositivos discretos Multi-Chip (P-ch + SBD) | TOSHIBA |
1143808 | SSM5H01TU | Dispositivos discretos multi-chip (N-ch + SBD) | TOSHIBA |
1143809 | SSM5H05TU | Dispositivos discretos multi-chip (N-ch + SBD) | TOSHIBA |
1143810 | SSM5H06FE | Dispositivos discretos multi-chip (N-ch + SBD) | TOSHIBA |
1143811 | SSM5H07TU | Dispositivos discretos multi-chip (N-ch + SBD) | TOSHIBA |
1143812 | SSM5H08TU | Dispositivos discretos multi-chip (N-ch + SBD) | TOSHIBA |
1143813 | SSM5H10TU | Dispositivos discretos multi-chip (N-ch + SBD) | TOSHIBA |
1143814 | SSM5H11TU | Dispositivos discretos multi-chip (N-ch + SBD) | TOSHIBA |
1143815 | SSM5H12TU | Dispositivos discretos multi-chip (N-ch + SBD) | TOSHIBA |
1143816 | SSM5H14F | Dispositivos discretos multi-chip (N-ch + SBD) | TOSHIBA |
1143817 | SSM5H16TU | Dispositivos discretos multi-chip (N-ch + SBD) | TOSHIBA |
1143818 | SSM5H90ATU | Multi-chip dispositivo discreto (N-ch + diodo de conmutación) | TOSHIBA |
1143819 | SSM5H90TU | Multi-chip dispositivo discreto (N-ch + diodo de conmutación) | TOSHIBA |
1143820 | SSM5N05FU | Usos De alta velocidad De la Conmutación Del Tipo del MOS Del Canal Del Silicio N Del Transistor De Efecto De Campo | TOSHIBA |
1143821 | SSM5N15FE | Usos Análogos Del Interruptor De los Usos De alta velocidad De la Conmutación Del Tipo del MOS Del Canal Del Silicio N Del Transistor De Efecto De Campo | TOSHIBA |
1143822 | SSM5N15FU | Señal pequeña MOSFET 2 en 1 | TOSHIBA |
1143823 | SSM5N16FE | Usos Análogos De la Conmutación De los Usos De alta velocidad De la Conmutación Del Tipo del MOS Del Canal Del Silicio N Del Transistor De Efecto De Campo | TOSHIBA |
1143824 | SSM5N16FU | Usos Análogos De la Conmutación De los Usos De alta velocidad De la Conmutación Del Tipo del MOS Del Canal Del Silicio N Del Transistor De Efecto De Campo | TOSHIBA |
1143825 | SSM5P05FU | Usos De alta velocidad De la Conmutación Del Interruptor De la Gerencia De la Energía Del Tipo del MOS Del Canal Del Silicio P Del Transistor De Efecto De Campo | TOSHIBA |
1143826 | SSM5P15FE | Señal pequeña MOSFET 2 en 1 | TOSHIBA |
1143827 | SSM5P15FU | Señal pequeña MOSFET 2 en 1 | TOSHIBA |
1143828 | SSM5P16FE | Señal pequeña MOSFET 2 en 1 | TOSHIBA |
1143829 | SSM6E01TU | Tipo del MOS Del P-Canal Del Silicio Del Dispositivo De la Multi-Viruta (U-MOS II) + Usos Del Interruptor De la Carga Del Tipo del MOS Del N-Canal (Cepilladora) | TOSHIBA |
1143830 | SSM6E03TU | Multi-chip dispositivo discreto (P-ch-ch + N) | TOSHIBA |
1143831 | SSM6G18NU | Dispositivos discretos Multi-Chip (P-ch + SBD) | TOSHIBA |
1143832 | SSM6H19NU | Dispositivos discretos multi-chip (N-ch + SBD) | TOSHIBA |
1143833 | SSM6J06FU | Usos De alta velocidad De la Conmutación Del Interruptor De la Gerencia De la Energía Del Tipo del MOS Del Canal Del Silicio P Del Transistor De Efecto De Campo | TOSHIBA |
1143834 | SSM6J07FU | Usos De alta velocidad De la Conmutación Del Interruptor De la Gerencia De la Energía Del Tipo del MOS Del Canal Del Silicio P Del Transistor | TOSHIBA |
1143835 | SSM6J08FU | Transistor De Efecto De Campo | TOSHIBA |
1143836 | SSM6J205FE | MOSFET-señal Pequeño | TOSHIBA |
1143837 | SSM6J206FE | MOSFET-señal Pequeño | TOSHIBA |
1143838 | SSM6J207FE | MOSFET-señal Pequeño | TOSHIBA |
1143839 | SSM6J212FE | MOSFET-señal Pequeño | TOSHIBA |
1143840 | SSM6J213FE | MOSFET-señal Pequeño | TOSHIBA |
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