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Nr.Nombre de la ParteDescripciónFabricante
1178921STRVS241X02ESupresor ST Tensión repetitivaST Microelectronics
1178922STRVS248X02CSupresor ST Tensión repetitivaST Microelectronics
1178923STRVS252X02FSupresor ST Tensión repetitivaST Microelectronics
1178924STRVS280X02FSupresor ST Tensión repetitivaST Microelectronics
1178925STRW6754Regulador De Conmutación Cuasi-Resonante Fuera de línea Universal Del Tiempo de retorno De la Entrada 100WAllegro MicroSystems
1178926STRZ2154Circuito Str-z2154TOSHIBA
1178927STS10DN3LH5Doble de canal N 30 V, 0.019 Ohm ;, 10 A, SO-8 STripFET (TM); V Power MOSFETST Microelectronics
1178928STS10N3LH5Canal N 30 V, 0.019 Ohm ;, 10 A, SO-8 STripFET (TM); V Power MOSFETST Microelectronics
1178929STS10NF30LN-canal 30V - 0,011 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA De 10A So-8 STRIPFETST Microelectronics
1178930STS10NF30LN - CANAL 30V - 0.011Ohms - Mosfet de la ENERGÍA De 10A So-8 STripFETSGS Thomson Microelectronics
1178931STS10PF30LP-canal 30V - 0,012 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA De 10A So-8 STRIPFET IIST Microelectronics
1178932STS11NF30LN-canal 30V - 0,009 OHMIOS - Mosfet BAJO de la ENERGÍA de la CARGA STRIPFET de la PUERTA De 11A So-8ST Microelectronics
1178933STS11NF30LN-canal 30V - 0,009 Ohmios - Mosfet BAJO de la ENERGÍA De STripFET de la CARGA de la PUERTA De 11A So-8SGS Thomson Microelectronics
1178934STS11NF30LN-canal 30V - 0,009 OHMIOS - Mosfet BAJO de la ENERGÍA de la CARGA STRIPFET de la PUERTA De 11A So-8SGS Thomson Microelectronics
1178935STS11NF3LLN-canal 30V - 0,008 OHMIOS - Mosfet BAJO de la ENERGÍA de la CARGA STRIPFET de la PUERTA De 11A So-8ST Microelectronics
1178936STS11NF3LLN-canal 30V - 0,009 Ohmios - Mosfet BAJO de la ENERGÍA De STripFET de la CARGA de la PUERTA De 11A So-8SGS Thomson Microelectronics
1178937STS11NF3LLN-canal 30V - 0,008 OHMIOS - Mosfet BAJO de la ENERGÍA de la CARGA STRIPFET de la PUERTA De 11A So-8SGS Thomson Microelectronics
1178938STS123equiv="content-type" content="text/html; charset=UTF-8">
1SupresoresAUK Corp
1178939STS12N3LLH5N-canal 30 V, 0,0063 Ohm, 12 A, SO-8, STripFET (TM) MOSFETST Microelectronics



1178940STS12NF30LN-canal 30V - 0,008 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA Del 1À So-8 STRIPFET IIST Microelectronics
1178941STS12NF30LN - CANAL 30V - Los 0.008Öhm - Mosfet de la ENERGÍA Del 1À So-8 STripFETSGS Thomson Microelectronics
1178942STS12NF30LN-canal 30V - 0,008 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA Del 1À So-8 STRIPFET IISGS Thomson Microelectronics
1178943STS12NH3LLN-canal 30V - 0,008 Ohmios - CARGA ULTRA BAJA STripFET™ de la PUERTA Del 1À So-8; MosfetST Microelectronics
1178944STS13N3LLH5N-canal 30 V, 0.006 Ohm, 13 A, SO-8 STripFET (TM) V MOSFETST Microelectronics
1178945STS17NF3LLN-canal 30V - 0,0045 OHMIOS - Mosfet De 17A So-8 STRIPFET II PARA LA CONVERSIÓN C.C.-C.C.ST Microelectronics
1178946STS17NF3LLMosfet del OHMIO 17A So-8 STRIPFET Del N-canal 30V 0,0045 PARA LA CONVERSIÓN C.C.-C.C.SGS Thomson Microelectronics
1178947STS19N3LLH6N-canal 30 V, 0,0049 Ohm, 19 A, SO-8 STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) MOSFETST Microelectronics
1178948STS1C1S250N-canal 250V - 0,9 OHMIOS - 0.7Ä - P-canal 250V - 2,1 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA del RECUBRIMIENTO del ACOPLAMIENTO De 0.Ã So-8ST Microelectronics
1178949STS1DNC45N-canal DUAL 450V - 4,1 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA De 0. So-8 SUPERMESHST Microelectronics
1178950STS1HNC60Mosfet del OHMIO 0. So-8 POWERMESH II Del N-canal 600V 7ST Microelectronics
1178951STS1HNC60Mosfet del OHMIO 0. So-8 POWERMESH II Del N-canal 600V 7SGS Thomson Microelectronics
1178952STS1HNK60N-canal 600V - 8 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA De 0.Á So-8 SUPERMESHST Microelectronics
1178953STS1NC60Mosfet del OHMIO 0.Á So-8 POWERMESH II Del N-canal 600V 12ST Microelectronics
1178954STS1NC60Mosfet del OHMIO 0.Á So-8 POWERMESH II Del N-canal 600V 12SGS Thomson Microelectronics
1178955STS1NK60Zel OHMIO 0.2Ä So-8 Del N-canal 600V 13 Zener-protegio' el Mosfet de la ENERGÍA de SUPERMESHST Microelectronics
1178956STS1TXBaja tasa de transmisión, sub-transmisor de 1 GHz de baja potenciaST Microelectronics
1178957STS1TXQTRBaja tasa de transmisión, sub-transmisor de 1 GHz de baja potenciaST Microelectronics
1178958STS25NH3LLN-canal 30V - 0,0027 OHMIOS - Mosfet De 2Ä So-8 STRIPFET III PARA LA CONVERSIÓN C.C.-C.C.ST Microelectronics
1178959STS25NH3LLMosfet del OHMIO 2Ä So-8 STRIPFET III Del N-canal 30V 0,0027 PARA LA CONVERSIÓN C.C.-C.C.SGS Thomson Microelectronics
1178960STS26N3LLH6N-canal 30 V, 0,0038 Ohm, 26 A, SO-8 STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) MOSFETST Microelectronics
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