| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 1180041 | STU6N65K3 | Canal N 650 V, 1.1 Ohm tip., 5.4 A SuperMESH3 (TM) MOSFET de potencia en el paquete IPAK | ST Microelectronics |
| 1180042 | STU6N65M2 | Canal N 650 V, 1.2 Ohm tip., 4 A MDmesh M2 Power MOSFET en paquete IPAK | ST Microelectronics |
| 1180043 | STU6N95K5 | Canal N 950 V, 1 Ohm tip., Protegida por la Zener 9 A SuperMesh (TM) MOSFET 5 Potencia en paquete IPAK | ST Microelectronics |
| 1180044 | STU6NA100 | VIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-en | ST Microelectronics |
| 1180045 | STU6NA100 | VIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-en | SGS Thomson Microelectronics |
| 1180046 | STU6NA100 | N - CANAL 1000V - 1.45W - Ã - Max220, TRANSISTOR RÁPIDO del MOS de la ENERGÍA | SGS Thomson Microelectronics |
| 1180047 | STU6NA90 | VIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-en | ST Microelectronics |
| 1180048 | STU6NA90 | VIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-en | SGS Thomson Microelectronics |
| 1180049 | STU6NA90 | N - TRANSISTOR RÁPIDO Del MOS De la ENERGÍA Del MODO Del REALCE Del CANAL | SGS Thomson Microelectronics |
| 1180050 | STU6NF10 | N-canal de 100 V, 0,22 Î ©, 6 A, DPAK, IPAK cargo bajo puerta STripFETÍ ?? 2; 2; MOSFET de potencia | ST Microelectronics |
| 1180051 | STU75N3LLH6 | N-canal 30 V, 0,0042 Ohm, 75 A, IPAK STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) MOSFET | ST Microelectronics |
| 1180052 | STU7N60M2 | Canal N 600 V, 0,86 Ohm tip., 5 A MDmesh II Plus (TM) bajo Qg Power MOSFET en paquete IPAK | ST Microelectronics |
| 1180053 | STU7N65M2 | Canal N 650 V, 0,96 Ohm tip., 5 A MDmesh M2 Power MOSFET en un paquete IPAK | ST Microelectronics |
| 1180054 | STU7N80K5 | Canal N 800 V, 0,95 Ohm tip., Protegida por la Zener 6 A SuperMesh (TM) MOSFET 5 Potencia en paquete IPAK | ST Microelectronics |
| 1180055 | STU7NA80 | VIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-en | ST Microelectronics |
| 1180056 | STU7NA80 | VIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-en | SGS Thomson Microelectronics |
| 1180057 | STU7NA80 | N - CANAL 800V - 1,3 Ohmios - 6.Ä - Max220 AYUNA Mosfet de la ENERGÍA | SGS Thomson Microelectronics |
| 1180058 | STU7NA90 | VIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-en | ST Microelectronics |
| 1180059 | STU7NA90 | VIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-en | SGS Thomson Microelectronics |
| 1180060 | STU7NA90 | N - CANAL 900V - 1,05 Ohmios - 7A - Max220 AYUNA TRANSISTOR del MOS de la ENERGÍA | SGS Thomson Microelectronics |
| 1180061 | STU7NB100 | VIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-en | ST Microelectronics |
| 1180062 | STU7NB100 | N - CANAL 1000V - 1.2W - 7.Á - Max220, Mosfet De PowerMESH | SGS Thomson Microelectronics |
| 1180063 | STU7NB90 | VIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-en | ST Microelectronics |
| 1180064 | STU7NB90 | N - CANAL 900V - 1,2 Ohmios - 7.Á - Mosfet De Max220 PowerMESH | SGS Thomson Microelectronics |
| 1180065 | STU7NB90 | N-canal 900V - 1,1 OHMIOS - 7.Á - Mosfet de MAX220/MAX220I POWERMESH | SGS Thomson Microelectronics |
| 1180066 | STU7NB90I | VIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-en | ST Microelectronics |
| 1180067 | STU7NB90I | N-canal 900V - 1,1 OHMIOS - 7.Á - Mosfet de MAX220/MAX220I POWERMESH | SGS Thomson Microelectronics |
| 1180068 | STU7NF25 | Canal N 250 V 0.29 Ohm tip., 8 A, STripFET (TM) II Power MOSFET en paquete IPAK | ST Microelectronics |
| 1180069 | STU7NM60N | Canal N 600 V, 5 A, 0.84 Ohm MDmesh (TM) II Power MOSFET en paquete IPAK | ST Microelectronics |
| 1180070 | STU80N4F6 | Canal N 40 V, 5.8 mOhm tip., 80 A, STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) MOSFET de potencia en el paquete DPAK | ST Microelectronics |
| 1180071 | STU85N3LH5 | Canal N 30 V, 0,0042 Ohm, 80 A, DPAK, TO-220, IPAK | ST Microelectronics |
| 1180072 | STU8N65M5 | Canal N 650 V, 0,56 Ohm, 7 A MDmesh (TM) V Power MOSFET en IPAK | ST Microelectronics |
| 1180073 | STU8N80K5 | Canal N 800 V, 0.8 Ohm tip., Protegida por la Zener 6 A SuperMesh (TM) MOSFET 5 Potencia en paquete IPAK | ST Microelectronics |
| 1180074 | STU8NA80 | VIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-en | ST Microelectronics |
| 1180075 | STU8NA80 | VIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-en | SGS Thomson Microelectronics |
| 1180076 | STU8NA80 | N - TRANSISTOR RÁPIDO Del MOS De la ENERGÍA Del MODO Del REALCE Del CANAL | SGS Thomson Microelectronics |
| 1180077 | STU8NB90 | VIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-en | ST Microelectronics |
| 1180078 | STU8NB90 | N-canal 900V - 0,7 Ohmios - 8.9A - Mosfet De Max220 PowerMESH | SGS Thomson Microelectronics |
| 1180079 | STU8NC90Z | VIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-en | ST Microelectronics |
| 1180080 | STU8NC90Z | el OHMIO 7.Ã MAX220/I-max220 Del N-canal 900V 1,1 Zener-protegio' el Mosfet de POWERMESH III | SGS Thomson Microelectronics |
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