| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 1311161 | VNV20N07-E | OMNIFET: TOTALMENTE Autoprotegida MOSFET de potencia | ST Microelectronics |
| 1311162 | VNV20N0713TR | DE OMNIFET MOSFET DE LA ENERGÍA COMPLETAMENTE AUTOPROTECTED | ST Microelectronics |
| 1311163 | VNV20N07TR-E | OMNIFET: TOTALMENTE Autoprotegida MOSFET de potencia | ST Microelectronics |
| 1311164 | VNV28N04 | MOSFET DE LA ENERGÍA DE "OMNIFET" COMPLETAMENTE AUTOPROTECTED | ST Microelectronics |
| 1311165 | VNV28N04 | öOMNIFETö: COMPLETAMENTE MOSFET DE LA ENERGÍA DE AUTOPROTECTED | SGS Thomson Microelectronics |
| 1311166 | VNV35N07 | MOSFET DE LA ENERGÍA DE "OMNIFET" COMPLETAMENTE AUTOPROTECTED | ST Microelectronics |
| 1311167 | VNV35N07 | öOMNIFETö: COMPLETAMENTE MOSFET DE LA ENERGÍA DE AUTOPROTECTED | SGS Thomson Microelectronics |
| 1311168 | VNV35N0713TR | DE OMNIFET MOSFET DE LA ENERGÍA COMPLETAMENTE AUTOPROTECTED | ST Microelectronics |
| 1311169 | VNV35NV04 | "OMNIFET II": COMPLETAMENTE MOSFET DE LA ENERGÍA DE AUTOPROTECTED | ST Microelectronics |
| 1311170 | VNV35NV04-E | OMNIFET II: COMPLETAMENTE Autoprotegida MOSFET de potencia | ST Microelectronics |
| 1311171 | VNV35NV0413TR | OMNIFET II: COMPLETAMENTE MOSFET DE LA ENERGÍA DE AUTOPROTECTED | ST Microelectronics |
| 1311172 | VNV35NV04TR-E | OMNIFET II: COMPLETAMENTE Autoprotegida MOSFET de potencia | ST Microelectronics |
| 1311173 | VNV49N04 | MOSFET DE LA ENERGÍA DE "OMNIFET" COMPLETAMENTE AUTOPROTECTED | ST Microelectronics |
| 1311174 | VNV49N04 | ôOMNIFETö: COMPLETAMENTE MOSFET DE LA ENERGÍA DE AUTOPROTECTED | SGS Thomson Microelectronics |
| 1311175 | VNV49N0413TR | DE OMNIFET MOSFET DE LA ENERGÍA COMPLETAMENTE AUTOPROTECTED | ST Microelectronics |
| 1311176 | VNW100N04 | MOSFET DE LA ENERGÍA DE "OMNIFET" COMPLETAMENTE AUTOPROTECTED | ST Microelectronics |
| 1311177 | VNW100N04 | öOMNIFETö: COMPLETAMENTE MOSFET DE LA ENERGÍA DE AUTOPROTECTED | SGS Thomson Microelectronics |
| 1311178 | VNW35NV04 | "OMNIFET II": COMPLETAMENTE MOSFET DE LA ENERGÍA DE AUTOPROTECTED | ST Microelectronics |
| 1311179 | VNW50N04 | MOSFET DE LA ENERGÍA DE "OMNIFET" COMPLETAMENTE AUTOPROTECTED | ST Microelectronics |
| 1311180 | VNW50N04 | öOMNIFETö: COMPLETAMENTE MOSFET DE LA ENERGÍA DE AUTOPROTECTED | SGS Thomson Microelectronics |
| 1311181 | VNW50N04A | MOSFET DE LA ENERGÍA DE "OMNIFET" COMPLETAMENTE AUTOPROTECTED | ST Microelectronics |
| 1311182 | VNW50N04A | öOMNIFETö: COMPLETAMENTE MOSFET DE LA ENERGÍA DE AUTOPROTECTED | SGS Thomson Microelectronics |
| 1311183 | VOICE SECURITY, VARIABLE SPLIT BAND SCRA | La Venda Partida Que revuelve Equipa Seguridad De la Voz | CONSUMER MICROCIRCUITS LIMITED |
| 1311184 | VOLTAGEREGULATOR | austriamicrosystems | Austria Mikro Systems |
| 1311185 | VOP0300B | Transistores del Mosfet Del Realce-Modo Del P-Canal | Vishay |
| 1311186 | VOP0300LS | Transistores del Mosfet Del Realce-Modo Del P-Canal | Vishay |
| 1311187 | VP-1000A | Procesador De la Voz De Digital | etc |
| 1311188 | VP-1000AF | Procesador De la Voz De Digital | etc |
| 1311189 | VP-1608F | Procesador De la Voz De Digital | etc |
| 1311190 | VP0104 | FETs Verticales Del Realce-Modo DMOS Del P-Canal | Supertex Inc |
| 1311191 | VP0104N3 | FETs Verticales Del Realce-Modo DMOS Del P-Canal | Supertex Inc |
| 1311192 | VP0104N3 | -40 V, 8 ohmios, P-canal-modo de mejora D-MOS FET de potencia | Topaz Semiconductor |
| 1311193 | VP0104ND | -40 V, 8 ohmios, P-canal-modo de mejora D-MOS FET de potencia | Topaz Semiconductor |
| 1311194 | VP0106 | FETs Verticales Del Realce-Modo DMOS Del P-Canal | Supertex Inc |
| 1311195 | VP0106N3 | FETs Verticales Del Realce-Modo DMOS Del P-Canal | Supertex Inc |
| 1311196 | VP0106N3 | -60 V, 8 ohmios, P-canal-modo de mejora D-MOS FET de potencia | Topaz Semiconductor |
| 1311197 | VP0106ND | -60 V, 8 ohmios, P-canal-modo de mejora D-MOS FET de potencia | Topaz Semiconductor |
| 1311198 | VP0109 | FETs Verticales Del Realce-Modo DMOS Del P-Canal | Supertex Inc |
| 1311199 | VP0109N3 | FETs Verticales Del Realce-Modo DMOS Del P-Canal | Supertex Inc |
| 1311200 | VP0109N3 | -90 V, 8 ohmios, P-canal-modo de mejora D-MOS FET de potencia | Topaz Semiconductor |
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