| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 195481 | BF961B | Tetrodo Dual De MOS-Fieldeffect De la Puerta Del N-Canal, Modo De Agotamiento | Vishay |
| 195482 | BF964 | Tetrodo Dual De MOS-Fieldeffect De la Puerta Del N-Canal/Modo De Agotamiento | Vishay |
| 195483 | BF964S | Tetrodo Dual De MOS‐Fieldeffect De la Puerta Del N-Canal, Modo De Agotamiento | Vishay |
| 195484 | BF966S | Tetrodo Dual De MOS‐Fieldeffect De la Puerta Del N-Canal, Modo De Agotamiento | Vishay |
| 195485 | BF967 | TRANSISTOR PLANAR DEL SILICIO DE PNP | Siemens |
| 195486 | BF968 | TRANSISTOR PLANAR DEL SILICIO DE PNP | Siemens |
| 195487 | BF970 | Transistor Planar Del Silicio PNP Rf | Vishay |
| 195488 | BF979 | Transistor Planar Del Silicio PNP Rf | Vishay |
| 195489 | BF979S | TRANSISTOR PLANAR DEL SILICIO DE PNP | Siemens |
| 195490 | BF981 | Mos-fet DUAL de la PUERTA Del N-canal del SILICIO | Philips |
| 195491 | BF982 | Mos-fet DUAL de la PUERTA Del N-canal del SILICIO | Unknow |
| 195492 | BF982 | Mos-fet DUAL de la PUERTA Del N-canal del SILICIO | Unknow |
| 195493 | BF987 | Triodo del Mosfet Del N-Canal Del Silicio | Infineon |
| 195494 | BF987 | TRIODO del MOSFET del CANAL del SILICIO N (para las etapas de alta frecuencia hasta 300 megaciclos, preferiblemente en capacidad de la sobrecarga de los usos de FM alta) | Siemens |
| 195495 | BF988 | Tetrodo Dual De MOS‐Fieldeffect De la Puerta Del N-Canal, Modo De Agotamiento | Vishay |
| 195496 | BF989 | Mos-fet dual-gate del N-canal | Philips |
| 195497 | BF990A | Mos-fet dual-gate del N-canal | Philips |
| 195498 | BF991 | Mos-fet dual-gate del N-canal | Philips |
| 195499 | BF992 | Mos-fet dual de la puerta del N-canal del silicio | Philips |
| 195500 | BF994 | Mos-fet dual-gate del N-canal | Philips |
| 195501 | BF994 | Tetrodo del MOSFET del canal del silicio N (para los usos/especialmente del VHF para las etapas de la entrada y del mezclador con una gama que templa ancha/e.g. en sintonizadores de CATV) | Siemens |
| 195502 | BF994 | Tetrodo Dual De MOS-Fieldeffect De la Puerta Del N-Canal/Modo De Agotamiento | Vishay |
| 195503 | BF994S | Mos-fet dual-gate del N-canal | Philips |
| 195504 | BF994S | Tetrodo Dual De MOS‐Fieldeffect De la Puerta Del N-Canal, Modo De Agotamiento | Vishay |
| 195505 | BF994S | Tetrodo del MOSFET del canal del silicio N (para los usos del VHF para, especialmente la entrada y etapas del mezclador con una gama que templa ancha, e.g. en sintonizadores de CATV) | Siemens |
| 195506 | BF994SA | Tetrodo Dual De MOS-Fieldeffect De la Puerta Del N-Canal/Modo De Agotamiento | Vishay |
| 195507 | BF994SB | Tetrodo Dual De MOS-Fieldeffect De la Puerta Del N-Canal/Modo De Agotamiento | Vishay |
| 195508 | BF995 | Tetrodo Dual De MOS‐Fieldeffect De la Puerta Del N-Canal, Modo De Agotamiento | Vishay |
| 195509 | BF995 | Tetrodo del MOSFET del canal del silicio N (para las etapas de la entrada y del mezclador en sintonizadores de FM y del VHF TV) | Siemens |
| 195510 | BF995A | Tetrodo Dual De MOS-Fieldeffect De la Puerta Del N-Canal/Modo De Agotamiento | Vishay |
| 195511 | BF995B | Tetrodo Dual De MOS-Fieldeffect De la Puerta Del N-Canal/Modo De Agotamiento | Vishay |
| 195512 | BF996S | Mos-fet dual-gate del N-canal | Philips |
| 195513 | BF996S | Tetrodo Dual De MOS‐Fieldeffect De la Puerta Del N-Canal, Modo De Agotamiento | Vishay |
| 195514 | BF996S | Tetrodo del MOSFET del canal del silicio N (para las etapas de la entrada en figura baja del ruido de la TV transconductancia DE FRECUENCIA ULTRAELEVADA de los sintonizadores de la alta) | Siemens |
| 195515 | BF996SA | N.Channel Se doblan Tetrodo De MOS-Fieldeffect De la Puerta/Modo De Agotamiento | Vishay |
| 195516 | BF996SB | N.Channel Se doblan Tetrodo De MOS-Fieldeffect De la Puerta/Modo De Agotamiento | Vishay |
| 195517 | BF997 | Tetrodo del MOSFET del canal del silicio N (red integrada de la supresión contra oscilaciones falsas del VHF) | Siemens |
| 195518 | BF997 | Mos-fet dual-gate del N-canal | Philips |
| 195519 | BF998 | MOS-FETs dual-gate del N-canal del silicio | Philips |
| 195520 | BF998 | Tetrodo Dual De MOS‐Fieldeffect De la Puerta Del N-Canal, Modo De Agotamiento | Vishay |
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