| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 246761 | BAS21VD | BAS21VD; Arsenal de alto voltaje del diodo de la conmutación | Philips |
| 246762 | BAS21VD | Diodos de conmutación de alta tensión | NXP Semiconductors |
| 246763 | BAS21W | Diodos De la Conmutación | Diodes |
| 246764 | BAS21W | Diodo Superficial De la Conmutación Del Montaje | Comchip Technology |
| 246765 | BAS21W | DIODOS SUPERFICIALES DE LA CONMUTACIÓN DEL MONTAJE | Panjit International Inc |
| 246766 | BAS21W | DIODO RÁPIDO DE LA CONMUTACIÓN DEL MONTAJE SUPERFICIAL | TRSYS |
| 246767 | BAS21W | Diodos de conmutación de alta tensión | NXP Semiconductors |
| 246768 | BAS21W-7 | DIODO RÁPIDO DE LA CONMUTACIÓN DEL MONTAJE SUPERFICIAL | Diodes |
| 246769 | BAS21W-7-F | Diodos de conmutación | Diodes |
| 246770 | BAS21W-T1 | DIODO RÁPIDO DE LA CONMUTACIÓN DEL MONTAJE SUPERFICIAL | Won-Top Electronics |
| 246771 | BAS21W-T3 | DIODO RÁPIDO DE LA CONMUTACIÓN DEL MONTAJE SUPERFICIAL | Won-Top Electronics |
| 246772 | BAS21WS-T1 | DIODO RÁPIDO DE LA CONMUTACIÓN DEL MONTAJE SUPERFICIAL | Won-Top Electronics |
| 246773 | BAS21WS-T3 | DIODO RÁPIDO DE LA CONMUTACIÓN DEL MONTAJE SUPERFICIAL | Won-Top Electronics |
| 246774 | BAS21_D87Z | Diodo De alto voltaje De fines generales | Fairchild Semiconductor |
| 246775 | BAS221 | Diodo de fines generales | Philips |
| 246776 | BAS221A | Diodo de uso general | Philips |
| 246777 | BAS240 | Diodo de barrera de Schottky | Philips |
| 246778 | BAS28 | Diodo doble de la alta velocidad | Philips |
| 246779 | BAS28 | Diodos de fines generales - arsenal del diodo de la conmutación del silicio para la alta conmutación de la velocidad | Infineon |
| 246780 | BAS28 | Arsenal del diodo de la conmutación del silicio para el hig... | Infineon |
| 246781 | BAS28 | Arsenal del diodo de la conmutación del silicio (para los diodos eléctricamente aislados altos de la conmutación de la velocidad) | Siemens |
| 246782 | BAS28 | DIODO DE ALTA VELOCIDAD DUAL, AISLADO DE LA CONMUTACIÓN | Central Semiconductor |
| 246783 | BAS28 | De alta velocidad de doble diodo | NXP Semiconductors |
| 246784 | BAS281 | Diodos De Barrera Pequeños De Schottky De la Señal | Vishay |
| 246785 | BAS282 | Diodos De Barrera Pequeños De Schottky De la Señal | Vishay |
| 246786 | BAS283 | Diodos De Barrera Pequeños De Schottky De la Señal | Vishay |
| 246787 | BAS285 | Diodo De Barrera Pequeño De Schottky De la Señal | Vishay |
| 246788 | BAS286 | Diodo De Barrera Pequeño De Schottky De la Señal | Vishay |
| 246789 | BAS28W | Diodos de fines generales - arsenal del diodo de la conmutación del silicio para la alta conmutación de la velocidad | Infineon |
| 246790 | BAS28W | Arsenal Del Diodo De la Conmutación Del Silicio | Infineon |
| 246791 | BAS28W | Arsenal del diodo de la conmutación del silicio (para los diodos aislados eléctricos de los altos de la velocidad usos de la conmutación) | Siemens |
| 246792 | BAS29 | Diodos (dobles) controlados de fines generales de la avalancha | Philips |
| 246793 | BAS29 | Diodo De Señal Pequeño | Fairchild Semiconductor |
| 246794 | BAS29 | DIODOS SUPERFICIALES DE LA CONMUTACIÓN DEL MONTAJE | Jinan Gude Electronic Device |
| 246795 | BAS29 | Avalancha controlada de propósito general (doble) diodos | NXP Semiconductors |
| 246796 | BAS29_D87Z | Diodo De alto voltaje De fines generales | Fairchild Semiconductor |
| 246797 | BAS31 | Diodos (dobles) controlados de fines generales de la avalancha | Philips |
| 246798 | BAS31 | Diodo De fines generales De alto voltaje | National Semiconductor |
| 246799 | BAS31 | Diodo De Señal Pequeño | Fairchild Semiconductor |
| 246800 | BAS31 | Diodo De uso general In-Series Dual De la Controlado-Avalancha | Vishay |
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