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Nr.Nombre de la ParteDescripciónFabricante
250561BC549BNPN de propósito generalPhilips
250562BC549B30 V, 100 mA, NPN transistor de silicioSiemens
250563BC549B-DSilicio Bajo De los Transistores NPN Del RuidoON Semiconductor
250564BC549BBUTransistor Epitaxial Del Silicio de NPNFairchild Semiconductor
250565BC549BTATransistor Epitaxial Del Silicio de NPNFairchild Semiconductor
250566BC549BTARTransistor Epitaxial Del Silicio de NPNFairchild Semiconductor
250567BC549BTFTransistor Epitaxial Del Silicio de NPNFairchild Semiconductor
250568BC549BTFRTransistor Epitaxial Del Silicio de NPNFairchild Semiconductor
250569BC549BUTransistor Epitaxial Del Silicio de NPNFairchild Semiconductor
250570BC549CTransistores de los fines generales de NPNPhilips
250571BC549CTransistores Bajos Del RuidoMotorola
250572BC549CTransistor Epitaxial Del Silicio de NPNFairchild Semiconductor
250573BC549CTransistores Bajos Del RuidoON Semiconductor
250574BC549CPlanarTransistors Silicio-Si-EpitaxialDiotec Elektronische
250575BC549CPropósito General de 0.625W NPN Transistor Plástico con plomo. 20V VCEO, 0.100A Ic, 420-800 hFEContinental Device India Limited
250576BC549CPequeña señal del transistor (NPN)General Semiconductor
250577BC549C30 V, 100 mA, NPN transistor de silicioSiemens
250578BC549CBUTransistor Epitaxial Del Silicio de NPNFairchild Semiconductor
250579BC549CTATransistor Epitaxial Del Silicio de NPNFairchild Semiconductor



250580BC549CTFTransistor Epitaxial Del Silicio de NPNFairchild Semiconductor
250581BC549CTFRTransistor Epitaxial Del Silicio de NPNFairchild Semiconductor
250582BC549TARTransistor Epitaxial Del Silicio de NPNFairchild Semiconductor
250583BC549TFTransistor Epitaxial Del Silicio de NPNFairchild Semiconductor
250584BC549TFRTransistor Epitaxial Del Silicio de NPNFairchild Semiconductor
250585BC54PA45 V, 1 A Transistor NPN de pequeñaNXP Semiconductors
250586BC55-10PA60 V, 1 A Transistor NPN de pequeñaNXP Semiconductors
250587BC55-16PA60 V, 1 A Transistor NPN de pequeñaNXP Semiconductors
250588BC550Conmutación y usosFairchild Semiconductor
250589BC550Transistor De fines generalesKorea Electronics (KEC)
250590BC550TRANSISTORES PEQUEÑOS DE LA SEÑAL DEL AF DEL SILICIO DE NPNMicro Electronics
250591BC550Transistores de los fines generales de NPNPhilips
250592BC550Propósito General de 0.625W NPN Transistor Plástico con plomo. 45V VCEO, 0.100A Ic, 110-800 hFEContinental Device India Limited
250593BC55050 V, 100 mA, NPN transistor de silicioSiemens
250594BC550Transistor. Conmutación y amplificador de AF. Bajo nivel de ruido. VCBO = 50V, VCEO = 45V, Vebo = 5V, Pc = 500mW, Ic = 100mA.USHA India LTD
250595BC550APropósito General de 0.625W NPN Transistor Plástico con plomo. 45V VCEO, 0.100A Ic, 110-220 hFEContinental Device India Limited
250596BC550ABUTransistor Epitaxial Del Silicio de NPNFairchild Semiconductor
250597BC550ATATransistor Epitaxial Del Silicio de NPNFairchild Semiconductor
250598BC550BTransistores Bajos Del RuidoMotorola
250599BC550BTransistor Epitaxial Del Silicio de NPNFairchild Semiconductor
250600BC550BPropósito General de 0.625W NPN Transistor Plástico con plomo. 45V VCEO, 0.100A Ic, 200-450 hFEContinental Device India Limited
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