| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 252401 | BC857AT-7-F | Transistores bipolares | Diodes |
| 252402 | BC857AW | Transistores de los fines generales de PNP | Philips |
| 252403 | BC857AW | Transistores de los fines generales de PNP | Philips |
| 252404 | BC857AW | Transistores Bipolares | Diodes |
| 252405 | BC857AW | Transistores de fines generales - paquete SOT323 | Infineon |
| 252406 | BC857AW | Transistores del AF del silicio de PNP (para las etapas de la entrada del AF y voltaje bajo de la saturación del collector-emitter del aumento actual de los usos del conductor el alto) | Siemens |
| 252407 | BC857AW | PNP transistores de propósito general | NXP Semiconductors |
| 252408 | BC857AW | Superficie PlanarTransistors montaje Si-epitaxiales | Diotec Elektronische |
| 252409 | BC857AW | Transistor PNP de propósito general y aplicaciones de conmutación | Korea Electronics (KEC) |
| 252410 | BC857AW-7 | TRANSISTOR PEQUEÑO DE LA SEÑAL DEL MONTAJE DE LA SUPERFICIE DE PNP | Diodes |
| 252411 | BC857AW-7-F | Transistores bipolares | Diodes |
| 252412 | BC857AW-G | Pequeña señal Transistor, V CBO = -50V, V CEO = -45V, V EBO = -5V, yo C = -0.1A | Comchip Technology |
| 252413 | BC857AWT1 | Silicio De fines generales De Transistors(PNP) | Leshan Radio Company |
| 252414 | BC857AWT1 | EL CASO 419-02, LABRA 3 SOT-323/sc-70 | Motorola |
| 252415 | BC857B | Transistores de los fines generales de PNP | Philips |
| 252416 | BC857B | Transistores de los fines generales de PNP | Philips |
| 252417 | BC857B | Amplificador De los Fines generales de PNP | National Semiconductor |
| 252418 | BC857B | TRANSISTOR PEQUEÑO DE LA SEÑAL PNP | ST Microelectronics |
| 252419 | BC857B | TRANSISTORES DE FINES GENERALES PLANAR DEL SILICIO DE SOT23 NPN | Zetex Semiconductors |
| 252420 | BC857B | Transistores Bipolares | Diodes |
| 252421 | BC857B | Transistores Pequeños De la Señal (PNP) | General Semiconductor |
| 252422 | BC857B | Transistores de fines generales - paquete SOT23 | Infineon |
| 252423 | BC857B | TRANSISTOR PEQUEÑO DE LA SEÑAL PNP | SGS Thomson Microelectronics |
| 252424 | BC857B | Transistores del AF del silicio de PNP (para las etapas de la entrada del AF y voltaje bajo de la saturación del collector-emitter del aumento actual de los usos del conductor el alto) | Siemens |
| 252425 | BC857B | Transistor Pequeño 310mW De la Señal de PNP | Micro Commercial Components |
| 252426 | BC857B | Ruido Bajo Pequeño Del Transistor PNP De la Señal de SMD | Central Semiconductor |
| 252427 | BC857B | Transistores, & del Rf; Af | Vishay |
| 252428 | BC857B | Amplificador De los Fines generales de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 252429 | BC857B | Transistor De los Fines generales de PNP | ROHM |
| 252430 | BC857B | PNP transistores de propósito general | NXP Semiconductors |
| 252431 | BC857B | Propósito General de 0.250W PNP Transistor SMD. 45V VCEO, 0.100A Ic, 220-475 hFE. BC847B Complementaria | Continental Device India Limited |
| 252432 | BC857B | Superficie PlanarTransistors montaje Si-epitaxiales | Diotec Elektronische |
| 252433 | BC857B | Transistor PNP de propósito general y aplicaciones de conmutación | Korea Electronics (KEC) |
| 252434 | BC857B | Ic = 100mA, Vce = 5.0V transistor | MCC |
| 252435 | BC857B | 50 V, superficie de montaje PNP pequeña señal del transistor | TRANSYS Electronics Limited |
| 252436 | BC857B | 50 V, superficie de montaje PNP pequeña señal del transistor | TRSYS |
| 252437 | BC857B(Z) | Transistores de los fines SOT23 NPN SILICON PLANAR GENERALES | Diodes |
| 252438 | BC857B-3F | TRANSISTORES DE FINES GENERALES PLANAR DEL SILICIO DE SOT23 PNP | Unknow |
| 252439 | BC857B-3F | TRANSISTORES DE FINES GENERALES PLANAR DEL SILICIO DE SOT23 PNP | Unknow |
| 252440 | BC857B-7 | TRANSISTOR PEQUEÑO DE LA SEÑAL DEL MONTAJE DE LA SUPERFICIE DE PNP | Diodes |
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