| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 256521 | BD38933 | LA MONOFÁSICO MOLDEADA TIENDE UN PUENTE SOBRE 0.8 AMPERIOS A 1.5 AMPERIOS | etc |
| 256522 | BD38933 | LA MONOFÁSICO MOLDEADA TIENDE UN PUENTE SOBRE 0.8 AMPERIOS A 1.5 AMPERIOS | etc |
| 256523 | BD39931 | LA MONOFÁSICO MOLDEADA TIENDE UN PUENTE SOBRE 0.8 AMPERIOS A 1.5 AMPERIOS | etc |
| 256524 | BD39931 | LA MONOFÁSICO MOLDEADA TIENDE UN PUENTE SOBRE 0.8 AMPERIOS A 1.5 AMPERIOS | etc |
| 256525 | BD39933 | LA MONOFÁSICO MOLDEADA TIENDE UN PUENTE SOBRE 0.8 AMPERIOS A 1.5 AMPERIOS | etc |
| 256526 | BD39933 | LA MONOFÁSICO MOLDEADA TIENDE UN PUENTE SOBRE 0.8 AMPERIOS A 1.5 AMPERIOS | etc |
| 256527 | BD40931 | LA MONOFÁSICO MOLDEADA TIENDE UN PUENTE SOBRE 0.8 AMPERIOS A 1.5 AMPERIOS | etc |
| 256528 | BD40931 | LA MONOFÁSICO MOLDEADA TIENDE UN PUENTE SOBRE 0.8 AMPERIOS A 1.5 AMPERIOS | etc |
| 256529 | BD410 | Transistor De Energía Epitaxial Del Silicio de NPN | Continental Device India Limited |
| 256530 | BD411 | Energía media linear y usos de la conmutación | Fairchild Semiconductor |
| 256531 | BD41931 | LA MONOFÁSICO MOLDEADA TIENDE UN PUENTE SOBRE 0.8 AMPERIOS A 1.5 AMPERIOS | etc |
| 256532 | BD41931 | LA MONOFÁSICO MOLDEADA TIENDE UN PUENTE SOBRE 0.8 AMPERIOS A 1.5 AMPERIOS | etc |
| 256533 | BD4201FV | IC De la Reserva De la Batería | ROHM |
| 256534 | BD424 | TRANSISTOR PLANAR DEL SILICIO DE NPN | Siemens |
| 256535 | BD429 | TRANSISTOR PLANAR DEL SILICIO DE NPN | Siemens |
| 256536 | BD430 | TRANSISTOR PLANAR DEL SILICIO DE PNP | Siemens |
| 256537 | BD433 | Transistor Epitaxial Del Silicio de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 256538 | BD433 | TRANSISTORES DE ENERGÍA COMPLEMENTARIOS DEL SILICIO | ST Microelectronics |
| 256539 | BD433 | TRANSISTORES DE ENERGÍA COMPLEMENTARIOS DEL SILICIO | SGS Thomson Microelectronics |
| 256540 | BD433 | TRANSISTORES DE ENERGÍA COMPLEMENTARIOS DEL SILICIO | SGS Thomson Microelectronics |
| 256541 | BD433 | TRANSISTORES DEL SILICIO EPIBASE DE NPN | Siemens |
| 256542 | BD433 | TRANSISTORES DEL SILICIO EPIBASE DE PNP | Siemens |
| 256543 | BD433 | Fines generales Plomados Del Transistor De Energía | Central Semiconductor |
| 256544 | BD433 | 36.000W de conmutación NPN Transistor de plástico con plomo. 22V VCEO, 4.000A Ic, 50 hFE. | Continental Device India Limited |
| 256545 | BD433 | Plástico silicio media potencia transistor NPN. 4 A, 22 V. | Motorola |
| 256546 | BD433S | Transistor Epitaxial Del Silicio de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 256547 | BD434 | Transistor Epitaxial Del Silicio de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 256548 | BD434 | TRANSISTORES DE ENERGÍA COMPLEMENTARIOS DEL SILICIO | ST Microelectronics |
| 256549 | BD434 | TRANSISTORES DE ENERGÍA COMPLEMENTARIOS DEL SILICIO | SGS Thomson Microelectronics |
| 256550 | BD434 | TRANSISTORES DE ENERGÍA COMPLEMENTARIOS DEL SILICIO | SGS Thomson Microelectronics |
| 256551 | BD434 | TRANSISTORES DEL SILICIO EPIBASE DE PNP | Siemens |
| 256552 | BD434 | Fines generales Plomados Del Transistor De Energía | Central Semiconductor |
| 256553 | BD434 | 36.000W de conmutación PNP Transistor Plástico con plomo. 22V VCEO, 4.000A Ic, 50 hFE. | Continental Device India Limited |
| 256554 | BD434 | Plástico medio transistor PNP Silicon Power. 4 A, 22 V. | Motorola |
| 256555 | BD434S | Transistor Epitaxial Del Silicio de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 256556 | BD434STU | Transistor Epitaxial Del Silicio de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 256557 | BD435 | Transistor Epitaxial Del Silicio de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 256558 | BD435 | TRANSISTORES DE ENERGÍA COMPLEMENTARIOS DEL SILICIO | ST Microelectronics |
| 256559 | BD435 | TRANSISTORES DE ENERGÍA COMPLEMENTARIOS DEL SILICIO | SGS Thomson Microelectronics |
| 256560 | BD435 | TRANSISTORES DE ENERGÍA COMPLEMENTARIOS DEL SILICIO | SGS Thomson Microelectronics |
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