| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 26161 | 1N5529C | 0,4 W, baja tensión de avalancha del diodo. Tensión Zener nominal 9.1 V Corriente de prueba 1.0 mAdc. + -2% De tolerancia. | Jinan Gude Electronic Device |
| 26162 | 1N5529D | DIODOS DE LA AVALANCHA DE LA BAJA TENSIÓN 0.4CW | Jinan Gude Electronic Device |
| 26163 | 1N5529D | DIODOS DE LA AVALANCHA DE LA BAJA TENSIÓN 0.4CW | Jinan Gude Electronic Device |
| 26164 | 1N5530 | Avalancha Zener De la Baja Tensión | Microsemi |
| 26165 | 1N5530 | DIODOS DE LA AVALANCHA DE LA BAJA TENSIÓN 0.4CW | Jinan Gude Electronic Device |
| 26166 | 1N5530 | RENDIMIENTO DE LOS DIODOS ZENER DE LA AVALANCHA DE LA BAJA TENSIÓN ALTO: RUIDO BAJO, SALIDA BAJA | Knox Semiconductor Inc |
| 26167 | 1N5530A | Avalancha Zener De la Baja Tensión | Microsemi |
| 26168 | 1N5530A | 0,4 W, baja tensión de avalancha del diodo. Tensión Zener nominal 10,0 V. Corriente de prueba 1.0 mAdc. + -10% De tolerancia. | Jinan Gude Electronic Device |
| 26169 | 1N5530B | Avalancha Zener De la Baja Tensión | Microsemi |
| 26170 | 1N5530B | Avalancha Zener De la Baja Tensión | Microsemi |
| 26171 | 1N5530B | CARACTERÍSTICAS REVERSAS BAJAS DE LA SALIDA | Compensated Devices Incorporated |
| 26172 | 1N5530B | Fines generales Plomados Del Diodo Zener | Central Semiconductor |
| 26173 | 1N5530B | 0,4 W, baja tensión de avalancha del diodo. Tensión Zener nominal 10,0 V. Corriente de prueba 1.0 mAdc. + -5% De tolerancia. | Jinan Gude Electronic Device |
| 26174 | 1N5530B (DO35) | Avalancha Zener De la Baja Tensión | Microsemi |
| 26175 | 1N5530B-1 | CARACTERÍSTICAS REVERSAS BAJAS DE LA SALIDA | Compensated Devices Incorporated |
| 26176 | 1N5530B-1 | Baja Tensión Avalancha Zener | Microsemi |
| 26177 | 1N5530BUR-1 | Baja Tensión Avalancha Zener | Microsemi |
| 26178 | 1N5530C | DIODOS DE LA AVALANCHA DE LA BAJA TENSIÓN 0.4CW | Jinan Gude Electronic Device |
| 26179 | 1N5530C | DIODOS DE LA AVALANCHA DE LA BAJA TENSIÓN 0.4CW | Jinan Gude Electronic Device |
| 26180 | 1N5530D | DIODOS DE LA AVALANCHA DE LA BAJA TENSIÓN 0.4CW | Jinan Gude Electronic Device |
| 26181 | 1N5530D | DIODOS DE LA AVALANCHA DE LA BAJA TENSIÓN 0.4CW | Jinan Gude Electronic Device |
| 26182 | 1N5531 | Avalancha Zener De la Baja Tensión | Microsemi |
| 26183 | 1N5531 | DIODOS DE LA AVALANCHA DE LA BAJA TENSIÓN 0.4CW | Jinan Gude Electronic Device |
| 26184 | 1N5531 | RENDIMIENTO DE LOS DIODOS ZENER DE LA AVALANCHA DE LA BAJA TENSIÓN ALTO: RUIDO BAJO, SALIDA BAJA | Knox Semiconductor Inc |
| 26185 | 1N5531A | Avalancha Zener De la Baja Tensión | Microsemi |
| 26186 | 1N5531A | 0,4 W, baja tensión de avalancha del diodo. Tensión Zener nominal 11,0 V. Corriente de prueba 1.0 mAdc. + -10% De tolerancia. | Jinan Gude Electronic Device |
| 26187 | 1N5531B | Avalancha Zener De la Baja Tensión | Microsemi |
| 26188 | 1N5531B | Avalancha Zener De la Baja Tensión | Microsemi |
| 26189 | 1N5531B | CARACTERÍSTICAS REVERSAS BAJAS DE LA SALIDA | Compensated Devices Incorporated |
| 26190 | 1N5531B | Fines generales Plomados Del Diodo Zener | Central Semiconductor |
| 26191 | 1N5531B | 0,4 W, baja tensión de avalancha del diodo. Tensión Zener nominal 11,0 V. Corriente de prueba 1.0 mAdc. + -5% De tolerancia. | Jinan Gude Electronic Device |
| 26192 | 1N5531B (DO35) | Avalancha Zener De la Baja Tensión | Microsemi |
| 26193 | 1N5531B-1 | CARACTERÍSTICAS REVERSAS BAJAS DE LA SALIDA | Compensated Devices Incorporated |
| 26194 | 1N5531B-1 | Baja Tensión Avalancha Zener | Microsemi |
| 26195 | 1N5531BUR-1 | Baja Tensión Avalancha Zener | Microsemi |
| 26196 | 1N5531C | DIODOS DE LA AVALANCHA DE LA BAJA TENSIÓN 0.4CW | Jinan Gude Electronic Device |
| 26197 | 1N5531C | DIODOS DE LA AVALANCHA DE LA BAJA TENSIÓN 0.4CW | Jinan Gude Electronic Device |
| 26198 | 1N5531D | DIODOS DE LA AVALANCHA DE LA BAJA TENSIÓN 0.4CW | Jinan Gude Electronic Device |
| 26199 | 1N5531D | DIODOS DE LA AVALANCHA DE LA BAJA TENSIÓN 0.4CW | Jinan Gude Electronic Device |
| 26200 | 1N5532 | Avalancha Zener De la Baja Tensión | Microsemi |
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