| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 274561 | BUP400 | IGBT (avalancha libre delantero de la caída de voltaje del alto de la conmutación de la velocidad latch-up actual bajo bajo de la cola clasificada) | Siemens |
| 274562 | BUP400-D | IGBT Duopack (IGBT con Antiparallel... | Infineon |
| 274563 | BUP400D | IGBT con el diodo de Antiparallel (latch-up actual delantero de la caída de voltaje de la conmutación de la cola baja alta baja de la velocidad libremente incluyendo diodo rápido de la libre-rueda) | Siemens |
| 274564 | BUP401 | Transistor de IGBT | Infineon |
| 274565 | BUP401 | IGBT (avalancha libre delantero de la caída de voltaje del alto de la conmutación de la velocidad latch-up actual bajo bajo de la cola clasificada) | Siemens |
| 274566 | BUP402 | Transistor de IGBT | Infineon |
| 274567 | BUP402 | IGBT (avalancha libre delantero de la caída de voltaje del alto de la conmutación de la velocidad latch-up actual bajo bajo de la cola clasificada) | Siemens |
| 274568 | BUP403 | Transistor de IGBT | Infineon |
| 274569 | BUP403 | IGBT (avalancha libre delantero de la caída de voltaje del alto de la conmutación de la velocidad latch-up actual bajo bajo de la cola clasificada) | Siemens |
| 274570 | BUP406 | Mocy del du¿ej de Tranzystor wysokonapiêciowy | Ultra CEMI |
| 274571 | BUP407 | Mocy del du¿ej de Tranzystor wysokonapiêciowy | Ultra CEMI |
| 274572 | BUP410 | IGBT (la avalancha libre delantero de la caída de voltaje del alto de la conmutación de la velocidad latch-up actual bajo bajo de la cola clasificó | Siemens |
| 274573 | BUP410D | IGBT con el diodo de Antiparallel (latch-up actual delantero de la caída de voltaje de la conmutación de la cola baja alta baja de la velocidad libremente incluyendo diodo rápido de la libre-rueda) | Siemens |
| 274574 | BUP49 | Dispositivo bipolar de NPN en un paquete hermético sellado del metal TO3. | SemeLAB |
| 274575 | BUP49 | Dispositivo bipolar de NPN en un paquete hermético sellado del metal TO3. | SemeLAB |
| 274576 | BUP50A | TRANSISTOR de ALTA ENERGÍA MUY RÁPIDO Multi-Multi-epitaxial de la CONMUTACIÓN de NPN | SemeLAB |
| 274577 | BUP52 | Dispositivo bipolar de NPN en un paquete hermético sellado del metal TO3. | SemeLAB |
| 274578 | BUP52 | Dispositivo bipolar de NPN en un paquete hermético sellado del metal TO3. | SemeLAB |
| 274579 | BUP53 | Dispositivo bipolar de NPN en un paquete hermético sellado del metal TO3. | SemeLAB |
| 274580 | BUP53 | Dispositivo bipolar de NPN en un paquete hermético sellado del metal TO3. | SemeLAB |
| 274581 | BUP54 | TRANSISTOR Multi-Multi-epitaxial de NPN | SemeLAB |
| 274582 | BUP56 | TRANSISTOR Multi-Multi-epitaxial de NPN | SemeLAB |
| 274583 | BUP602-D | IGBT Duopack (IGBT con Antiparallel... | Infineon |
| 274584 | BUP602D | IGBT con el diodo de Antiparallel (latch-up actual delantero de la caída de voltaje de la conmutación de la cola baja alta baja de la velocidad libremente incluyendo diodo rápido de la libre-rueda) | Siemens |
| 274585 | BUP603-D | IGBT Duopack (IGBT con Antiparallel... | Infineon |
| 274586 | BUP603D | IGBT con el diodo de Antiparallel (latch-up actual delantero de la caída de voltaje de la conmutación de la cola baja alta baja de la velocidad libremente incluyendo diodo rápido de la libre-rueda) | Siemens |
| 274587 | BUP604 | Transistor de IGBT | Infineon |
| 274588 | BUP604 | IGBT (avalancha libre delantero de la caída de voltaje del alto de la conmutación de la velocidad latch-up actual bajo bajo de la cola clasificada) | Siemens |
| 274589 | BUPD1520 | TRANSISTOR DEL SILICIO DE NPN CON EL DIODO INTEGRADO | Power Innovations |
| 274590 | BUR20 | Dispositivo bipolar de NPN en un paquete hermético sellado del metal TO3. | SemeLAB |
| 274591 | BUR20 | Dispositivo bipolar de NPN en un paquete hermético sellado del metal TO3. | SemeLAB |
| 274592 | BUR21 | Dispositivo bipolar de NPN en un paquete hermético sellado del metal TO3 | SemeLAB |
| 274593 | BUR24 | Dispositivo Bipolar de NPN | SemeLAB |
| 274594 | BUR50 | Dispositivo Bipolar de NPN | SemeLAB |
| 274595 | BUR50S | Dispositivo bipolar de NPN en un paquete hermético sellado del metal TO3. | SemeLAB |
| 274596 | BUR50S | Dispositivo bipolar de NPN en un paquete hermético sellado del metal TO3. | SemeLAB |
| 274597 | BUR51 | TRANSISTOR ALTO DEL SILICIO DE LA CORRIENTE NPN | ST Microelectronics |
| 274598 | BUR51 | TRANSISTOR ALTO DEL SILICIO DE LA CORRIENTE NPN | SGS Thomson Microelectronics |
| 274599 | BUR52 | TRANSISTOR ALTO DEL SILICIO DE LA CORRIENTE NPN | ST Microelectronics |
| 274600 | BUR52 | TRANSISTOR ALTO DEL SILICIO DE LA CORRIENTE NPN | SGS Thomson Microelectronics |
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