| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 275401 | BUZ76A | Transistor De Energía de SIPMOS | Infineon |
| 275402 | BUZ76A | Mosfet De la Energía De 2.Ã/De 400V/2,500 Ohmios/N-Canal | Intersil |
| 275403 | BUZ77A | Mosfet De la Energía | Infineon |
| 275404 | BUZ77A | Transistor de energía de SIPMOS (modo del realce del canal de N Avalancha-clasificado) | Siemens |
| 275405 | BUZ77B | Mosfet De la Energía | Infineon |
| 275406 | BUZ77B | Transistor de energía de SIPMOS (modo del realce del canal de N Avalancha-clasificado) | Siemens |
| 275407 | BUZ78 | Transistor de energía de SIPMOS (modo del realce del canal de N Avalancha-clasificado) | Siemens |
| 275408 | BUZ80 | VIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-en | ST Microelectronics |
| 275409 | BUZ80 | N - TRANSISTOR Del MOS De la ENERGÍA Del MODO Del REALCE Del CANAL | SGS Thomson Microelectronics |
| 275410 | BUZ80 | VIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-en | SGS Thomson Microelectronics |
| 275411 | BUZ80 | Transistor de energía de SIPMOS (modo del realce del canal de N Avalancha-clasificado) | Siemens |
| 275412 | BUZ80A | VIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-en | ST Microelectronics |
| 275413 | BUZ80A | VIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-en | SGS Thomson Microelectronics |
| 275414 | BUZ80A | N - CANAL 800V - 2,5 Ohmios - 3.Å - To-220 AYUNA TRANSISTOR del MOS de la ENERGÍA | SGS Thomson Microelectronics |
| 275415 | BUZ80A | Transistor de energía de SIPMOS (modo del realce del canal de N) | Siemens |
| 275416 | BUZ80FI | VIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-en | ST Microelectronics |
| 275417 | BUZ80FI | N - TRANSISTOR Del MOS De la ENERGÍA Del MODO Del REALCE Del CANAL | SGS Thomson Microelectronics |
| 275418 | BUZ80FI | VIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-en | SGS Thomson Microelectronics |
| 275419 | BUZ81 | Transistor de energía de SIPMOS (modo del realce del canal de N Avalancha-clasificado) | Siemens |
| 275420 | BUZ83 | grados principales | Siemens |
| 275421 | BUZ83A | grados principales | Siemens |
| 275422 | BUZ88 | grados principales | Siemens |
| 275423 | BUZ88A | grados principales | Siemens |
| 275424 | BUZ90 | Mosfet De la Energía | Infineon |
| 275425 | BUZ90 | Transistor de energía de SIPMOS (modo del realce del canal de N Avalancha-clasificado) | Siemens |
| 275426 | BUZ900 | MOSFET de potencia de canal N para aplicaciones de audio, 160V | Magnatec |
| 275427 | BUZ900D | MOSFET de potencia de canal N para aplicaciones de audio, 160V | Magnatec |
| 275428 | BUZ900DP | Mosfet de la ENERGÍA Del N-canal | Magnatec |
| 275429 | BUZ900DP | Mosfet de la ENERGÍA Del N-canal | Magnatec |
| 275430 | BUZ900DP | Mosfet de la ENERGÍA Del N-canal | Magnatec |
| 275431 | BUZ900P | Canal N MOSFET de potencia. MOSFET de potencia para aplicaciones de audio. Escurrir - 160V voltaje de la fuente. | Magnatec |
| 275432 | BUZ900X4S | PRODUCTO NUEVO BAJO DESARROLLO | Magnatec |
| 275433 | BUZ900X4S | PRODUCTO NUEVO BAJO DESARROLLO | Magnatec |
| 275434 | BUZ900X4S | PRODUCTO NUEVO BAJO DESARROLLO | Magnatec |
| 275435 | BUZ901 | MOSFET de potencia de canal N para aplicaciones de audio, 200V | Magnatec |
| 275436 | BUZ901D | MOSFET de potencia de canal N para aplicaciones de audio, 200V | Magnatec |
| 275437 | BUZ901DP | Mosfet de la ENERGÍA Del N-canal | Magnatec |
| 275438 | BUZ901DP | Mosfet de la ENERGÍA Del N-canal | Magnatec |
| 275439 | BUZ901DP | Mosfet de la ENERGÍA Del N-canal | Magnatec |
| 275440 | BUZ901P | Canal N MOSFET de potencia. MOSFET de potencia para aplicaciones de audio. Escurrir - 200V voltaje de la fuente. | Magnatec |
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