| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 327361 | CQY80N | Acoplador óptico, Salida Del Fototransistor, Con La Conexión Baja | Vishay |
| 327362 | CQY80NG | Acoplador óptico, Salida Del Fototransistor, Con La Conexión Baja | Vishay |
| 327363 | CQY80NX | SALIDA ÓPTICAMENTE JUNTADA DEL FOTOTRANSISTOR DEL AISLADOR | ISOCOM |
| 327364 | CQY80X | SALIDA ÓPTICAMENTE JUNTADA DEL FOTOTRANSISTOR DEL AISLADOR | ISOCOM |
| 327365 | CQYP15 | Elektroluminescencyjna de Dioda (podczerwone del promieniowanie) | Ultra CEMI |
| 327366 | CQYP16 | Elektroluminescencyjna de Dioda (podczerwone del promieniowanie) | Ultra CEMI |
| 327367 | CQYP17 | Elektroluminescencyjna de Dioda (podczerwone del promieniowanie) | Ultra CEMI |
| 327368 | CQYP17 | Elektroluminescencyjna de Dioda | Ultra CEMI |
| 327369 | CQYP18 | Elektroluminescencyjna de Dioda | Ultra CEMI |
| 327370 | CQYP19 | Elektroluminescencyjna de Dioda | Ultra CEMI |
| 327371 | CQYP19 | Elektroluminescencyjna de Dioda (podczerwone del promieniowanie) | Ultra CEMI |
| 327372 | CQYP20 | Elektroluminescencyjna de Dioda (podczerwone del promieniowanie) | Ultra CEMI |
| 327373 | CQYP23 | Elektroluminescencyjna de Dioda (podczerwone del promieniowanie) | Ultra CEMI |
| 327374 | CQYP31 | Elektroluminescencyjna de Dioda | Ultra CEMI |
| 327375 | CQYP32 | Elektroluminescencyjna de Dioda (widzialne del promieniowanie) | Ultra CEMI |
| 327376 | CQYP32A | ELEMENTY OPTOELEKTRONICZNE | etc |
| 327377 | CQYP32B | ELEMENTY OPTOELEKTRONICZNE | etc |
| 327378 | CQYP33 | Elektroluminescencyjna de Dioda (widzialne del promieniowanie) | Ultra CEMI |
| 327379 | CQYP33A | ELEMENTY OPTOELEKTRONICZNE | etc |
| 327380 | CQYP33B | ELEMENTY OPTOELEKTRONICZNE | etc |
| 327381 | CQYP40 | Elektroluminescencyjna de Dioda (widzialne del promieniowanie) | Ultra CEMI |
| 327382 | CQYP40A | ELEMENTY OPTOELEKTRONICZNE | etc |
| 327383 | CQYP40B | ELEMENTY OPTOELEKTRONICZNE | etc |
| 327384 | CQYP52 | O¶wietlacz elektroluminescencyjny | Ultra CEMI |
| 327385 | CQYP54 | O¶wietlacz elektroluminescencyjny | Ultra CEMI |
| 327386 | CQYP57 | Elektroluminescencyjna de Dioda (podczerwone del promieniowanie) | Ultra CEMI |
| 327387 | CQYP74 | Wska¼nik siedmiosegmentowy | Ultra CEMI |
| 327388 | CQYP75 | Wska¼nik siedmiosegmentowy | Ultra CEMI |
| 327389 | CQYP95 | Wska¼nik dziewiêciocyfrowy | Ultra CEMI |
| 327390 | CR | Viruta, flujo Solderable, tamaños de encargo disponibles, datos del marcar a fuego disponibles, capacidad de la colocación, terminaciones de la tapa y del wraparound, cinta automática y empaquetado del carrete disponible, tamaños internaci | Vishay |
| 327391 | CR | La gama del CR de protectores se basa en la tecnología probada del producto del tiristor T10 | Littelfuse |
| 327392 | CR-200 | Amplificador que forma gaussian | etc |
| 327393 | CR-200-100NS | Amplificador que forma gaussian | etc |
| 327394 | CR-200-1US | Amplificador que forma gaussian | etc |
| 327395 | CR-200-250NS | Amplificador que forma gaussian | etc |
| 327396 | CR-200-4US | Amplificador que forma gaussian | etc |
| 327397 | CR-F33P | CONVERTIDOR ELEVADOR DE PFM DC/DC | etc |
| 327398 | CR-F33T | CONVERTIDOR ELEVADOR DE PFM DC/DC | etc |
| 327399 | CR02 | TIPO PLANAR DE LA PASIVACIÓN DEL USO BAJO DE LA ENERGÍA | Mitsubishi Electric Corporation |
| 327400 | CR02 | Voltios Amperes/400 del SCR 0,3 Conducir-Monte/Del Control De la Fase | Powerex Power Semiconductors |
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