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Nr.Nombre de la ParteDescripciónFabricante
327961CR6AF10GPPRECTIFICADOR DE SILICIO APACIGUADO CRISTAL DE LA RECUPERACIÓN DE LA ENSAMBLADURA RÁPIDAMENTE 6,0 AMPERIO 100 A 1000 VOLTIOSCentral Semiconductor
327962CR6AF1GPPRECTIFICADOR DE SILICIO APACIGUADO CRISTAL DE LA RECUPERACIÓN DE LA ENSAMBLADURA RÁPIDAMENTE 6,0 AMPERIO 100 A 1000 VOLTIOSCentral Semiconductor
327963CR6AF2El Rectificador Plomado Ayuna RecuperaciónCentral Semiconductor
327964CR6AF2GPPEl Rectificador Plomado Ayuna RecuperaciónCentral Semiconductor
327965CR6AF4El Rectificador Plomado Ayuna RecuperaciónCentral Semiconductor
327966CR6AF4GPPEl Rectificador Plomado Ayuna RecuperaciónCentral Semiconductor
327967CR6AF6El Rectificador Plomado Ayuna RecuperaciónCentral Semiconductor
327968CR6AF6GPPEl Rectificador Plomado Ayuna RecuperaciónCentral Semiconductor
327969CR6AF8GPPEl Rectificador Plomado Ayuna RecuperaciónCentral Semiconductor
327970CR6CMEl USO MEDIO de la ENERGÍA del SEMICONDUCTOR de MITSUBISHI (TIRISTOR) No-aislo' el TIPO, TIPO DE CRISTAL de la PASIVACIÓNMitsubishi Electric Corporation
327971CR6CMConducir-monte, Ponga en fase Voltios Amperes/400-600 del SCR 6 Del ControlPowerex Power Semiconductors
327972CR6CM-12Módulos Bipolares Integrados Del Transistor De la Puerta (IGBT): 250VMitsubishi Electric Corporation
327973CR6CM-8Módulos Bipolares Integrados Del Transistor De la Puerta (IGBT): 250VMitsubishi Electric Corporation
327974CR6CM400-12Conducir-monte, Ponga en fase Voltios Amperes/400-600 del SCR 6 Del ControlPowerex Power Semiconductors
327975CR6CM400-8Conducir-monte, Ponga en fase Voltios Amperes/400-600 del SCR 6 Del ControlPowerex Power Semiconductors
327976CR6CM600-12Conducir-monte, Ponga en fase Voltios Amperes/400-600 del SCR 6 Del ControlPowerex Power Semiconductors
327977CR6CM600-8Conducir-monte, Ponga en fase Voltios Amperes/400-600 del SCR 6 Del ControlPowerex Power Semiconductors
327978CR6PMTIPO AISLADO USO MEDIO DE LA ENERGÍA DEL SEMICONDUCTOR DE MITSUBISHI (TIRISTOR), TIPO DE CRISTAL DE LA PASIVACIÓNMitsubishi Electric Corporation
327979CR6PMTIPO AISLADO USO MEDIO DE LA ENERGÍA, TIPO DE CRISTAL DE LA PASIVACIÓNPowerex Power Semiconductors



327980CR6PM-12Módulos Bipolares Integrados Del Transistor De la Puerta (IGBT): 250VMitsubishi Electric Corporation
327981CR6PM-8Módulos Bipolares Integrados Del Transistor De la Puerta (IGBT): 250VMitsubishi Electric Corporation
327982CR70U-010Rectificador Plomado Ultra RápidamenteCentral Semiconductor
327983CR70U-020Rectificador Plomado Ultra RápidamenteCentral Semiconductor
327984CR70U-040Rectificador Plomado Ultra RápidamenteCentral Semiconductor
327985CR70U-060Rectificador Plomado Ultra RápidamenteCentral Semiconductor
327986CR70U-080Rectificador Plomado Ultra RápidamenteCentral Semiconductor
327987CR7929Amplificador video triple del híbrido del conductorPhilips
327988CR7C-20DB-4DSconectador de borde de la tarjeta de la echada de 3.96m m y de 4m mHirose Electric
327989CR7C-20DB-4Econectador de borde de la tarjeta de la echada de 3.96m m y de 4m mHirose Electric
327990CR7C-28DB-4DSconectador de borde de la tarjeta de la echada de 3.96m m y de 4m mHirose Electric
327991CR7C-28DB-4Econectador de borde de la tarjeta de la echada de 3.96m m y de 4m mHirose Electric
327992CR7C-36DB-4DSconectador de borde de la tarjeta de la echada de 3.96m m y de 4m mHirose Electric
327993CR7C-36DB-4Econectador de borde de la tarjeta de la echada de 3.96m m y de 4m mHirose Electric
327994CR7C-44DB-4DSconectador de borde de la tarjeta de la echada de 3.96m m y de 4m mHirose Electric
327995CR7C-44DB-4Econectador de borde de la tarjeta de la echada de 3.96m m y de 4m mHirose Electric
327996CR7C-56DB-4DSconectador de borde de la tarjeta de la echada de 3.96m m y de 4m mHirose Electric
327997CR7C-56DB-4Econectador de borde de la tarjeta de la echada de 3.96m m y de 4m mHirose Electric
327998CR7E-12DB-3.96DSconectador de borde de la tarjeta de la echada de 3.96m m y de 4m mHirose Electric
327999CR7E-12DB-3.96Econectador de borde de la tarjeta de la echada de 3.96m m y de 4m mHirose Electric
328000CR7E-20DB-3.96DSconectador de borde de la tarjeta de la echada de 3.96m m y de 4m mHirose Electric
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