| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 35441 | 1SS370 | Alto voltaje Planar Epitaxial Del Tipo Del Silicio Del Diodo, Usos De alta velocidad De la Conmutación | TOSHIBA |
| 35442 | 1SS372 | Uso De alta velocidad De la Conmutación De Schottky Del Silicio Del Diodo Del Tipo Epitaxial De la Barrera | TOSHIBA |
| 35443 | 1SS373 | DIODO (USO DE ALTA VELOCIDAD DE LA CONMUTACIÓN) | TOSHIBA |
| 35444 | 1SS374 | Uso De alta velocidad De la Conmutación De Schottky Del Silicio Del Diodo Del Tipo Epitaxial De la Barrera | TOSHIBA |
| 35445 | 1SS375 | Vhf, detector DE FRECUENCIA ULTRAELEVADA y diodo de barrera de Schottky de los usos del mezclador | SANYO |
| 35446 | 1SS376 | Diodo de la conmutación | ROHM |
| 35447 | 1SS377 | Conmutación De alta velocidad De Schottky Del Silicio Del Diodo Del Tipo Epitaxial De la Barrera | TOSHIBA |
| 35448 | 1SS378 | Conmutación De alta velocidad De Schottky Del Silicio Del Diodo Del Tipo Planar Epitaxial De la Barrera | TOSHIBA |
| 35449 | 1SS379 | Usos De fines generales Del Rectificador Del Tipo Planar Epitaxial Del Silicio Del Diodo | TOSHIBA |
| 35450 | 1SS380 | > de los diodos; > De los Diodos De la Conmutación; Tipo del montaje superficial | ROHM |
| 35451 | 1SS381 | Usos Planar Epitaxial Del Interruptor De la Venda Del Sintonizador del Vhf Del Tipo Del Silicio Del Diodo | TOSHIBA |
| 35452 | 1SS382 | Uso Ultra De alta velocidad Planar Epitaxial De la Conmutación Del Tipo Del Silicio Del Diodo | TOSHIBA |
| 35453 | 1SS383 | Conmutación De alta velocidad Epitaxial De la Baja Tensión Del Tipo De la Barrera De Schottky Del Silicio Del Diodo | TOSHIBA |
| 35454 | 1SS383 | 40V Se doblan Diodo De Schottky | ON Semiconductor |
| 35455 | 1SS383T1G | 40V Se doblan Diodo De Schottky | ON Semiconductor |
| 35456 | 1SS383T2G | 40V Se doblan Diodo De Schottky | ON Semiconductor |
| 35457 | 1SS384 | Conmutación De alta velocidad Epitaxial De la Baja Tensión Del Tipo De la Barrera De Schottky Del Silicio Del Diodo | TOSHIBA |
| 35458 | 1SS385 | Conmutación De alta velocidad De Schottky Del Silicio Del Diodo Del Tipo Epitaxial De la Barrera | TOSHIBA |
| 35459 | 1SS385F | Conmutación De alta velocidad De Schottky Del Silicio Del Diodo Del Tipo Epitaxial De la Barrera | TOSHIBA |
| 35460 | 1SS385FV | Señal Pequeño diodo de barrera Schottky | TOSHIBA |
| 35461 | 1SS387 | Uso Ultra De alta velocidad Planar Epitaxial De la Conmutación Del Tipo Del Silicio Del Diodo | TOSHIBA |
| 35462 | 1SS387CT | Diodo de conmutación | TOSHIBA |
| 35463 | 1SS388 | Uso De alta velocidad De la Conmutación De Schottky Del Silicio Del Diodo Del Tipo Epitaxial De la Barrera | TOSHIBA |
| 35464 | 1SS389 | Uso De alta velocidad De la Conmutación De Schottky Del Silicio Del Diodo Del Tipo Epitaxial De la Barrera | TOSHIBA |
| 35465 | 1SS390 | > de los diodos; > De alta frecuencia De los Diodos; Diodos de la conmutación de la venda | ROHM |
| 35466 | 1SS391 | Conmutación De alta velocidad Epitaxial De la Baja Tensión Del Tipo De la Barrera De Schottky Del Silicio Del Diodo | TOSHIBA |
| 35467 | 1SS392 | Uso De alta velocidad De la Conmutación De Schottky Del Silicio Del Diodo Del Tipo Epitaxial De la Barrera | TOSHIBA |
| 35468 | 1SS393 | Uso De alta velocidad De la Conmutación De Schottky Del Silicio Del Diodo Del Tipo Epitaxial De la Barrera | TOSHIBA |
| 35469 | 1SS394 | Uso De alta velocidad De la Conmutación De Schottky Del Silicio Del Diodo Del Tipo Epitaxial De la Barrera | TOSHIBA |
| 35470 | 1SS395 | Uso De alta velocidad De la Conmutación De Schottky Del Silicio Del Diodo Del Tipo Epitaxial De la Barrera | TOSHIBA |
| 35471 | 1SS396 | Conmutación De alta velocidad Epitaxial De la Baja Tensión Del Tipo De la Barrera De Schottky Del Silicio Del Diodo | TOSHIBA |
| 35472 | 1SS397 | Alto voltaje Planar Epitaxial Del Diodo Del Silicio Del Diodo, Usos De alta velocidad De la Conmutación | TOSHIBA |
| 35473 | 1SS398 | Alto voltaje Planar Epitaxial Del Diodo Del Silicio Del Diodo, Usos De alta velocidad De la Conmutación | TOSHIBA |
| 35474 | 1SS399 | Alto voltaje Planar Epitaxial Del Diodo Del Silicio Del Diodo, Usos De alta velocidad De la Conmutación | TOSHIBA |
| 35475 | 1SS400 | > de los diodos; > De los Diodos De la Conmutación; Tipo del montaje superficial | ROHM |
| 35476 | 1SS400 | Diodo de la conmutación | Leshan Radio Company |
| 35477 | 1SS400-G | Diodos de pequeña señal de conmutación, V RRM = 90V, V R = 90V, P D = 150mW, I F = 100 mA | Comchip Technology |
| 35478 | 1SS400T1 | High Speed ??Diode Switching | ON Semiconductor |
| 35479 | 1SS401 | Usos De alta velocidad De la Conmutación De Schottoky Del Silicio Del Diodo Del Tipo Epitaxial De la Barrera | TOSHIBA |
| 35480 | 1SS402 | Usos De alta velocidad De la Conmutación De Schottoky Del Silicio Del Diodo Del Tipo Epitaxial De la Barrera | TOSHIBA |
| | | |
