| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 425801 | FSS23A0D | 9A, 200V, 0.330 Ohmio, Radiación Endurecida, MOSFETs Resistentes De la Energía Del N-Canal de SEGR | Intersil |
| 425802 | FSS23A0D1 | MOSFETs Resistentes De la Energía Del N-Canal Endureció/SEGR De 9A/De 200V/0,330 Ohmios/Radiación | Intersil |
| 425803 | FSS23A0D3 | MOSFETs Resistentes De la Energía Del N-Canal Endureció/SEGR De 9A/De 200V/0,330 Ohmios/Radiación | Intersil |
| 425804 | FSS23A0R | MOSFETs Resistentes De la Energía Del N-Canal Endureció/SEGR De 9A/De 200V/0,330 Ohmios/Radiación | Intersil |
| 425805 | FSS23A0R1 | MOSFETs Resistentes De la Energía Del N-Canal Endureció/SEGR De 9A/De 200V/0,330 Ohmios/Radiación | Intersil |
| 425806 | FSS23A0R3 | MOSFETs Resistentes De la Energía Del N-Canal Endureció/SEGR De 9A/De 200V/0,330 Ohmios/Radiación | Intersil |
| 425807 | FSS23A0R4 | 9A, 200V, 0.330 Ohmio, Radiación Endurecida, MOSFETs Resistentes De la Energía Del N-Canal de SEGR | Intersil |
| 425808 | FSS23A4D | 7A/250V/0,460 Difícilmente/SEGR Del Ohmio/Rad Resistentes/MOSFETs De la Energía Del N-Canal | Intersil |
| 425809 | FSS23A4D1 | 7A, 250V, 0.460 Ohmio, Rad Difícilmente, SEGR Resistente, MOSFETs De la Energía Del N-Canal | Intersil |
| 425810 | FSS23A4D3 | 7A, 250V, 0.460 Ohmio, Rad Difícilmente, SEGR Resistente, MOSFETs De la Energía Del N-Canal | Intersil |
| 425811 | FSS23A4R | 7A, 250V, 0.460 Ohmio, Rad Difícilmente, SEGR Resistente, MOSFETs De la Energía Del N-Canal | Intersil |
| 425812 | FSS23A4R1 | 7A, 250V, 0.460 Ohmio, Rad Difícilmente, SEGR Resistente, MOSFETs De la Energía Del N-Canal | Intersil |
| 425813 | FSS23A4R3 | 7A, 250V, 0.460 Ohmio, Rad Difícilmente, SEGR Resistente, MOSFETs De la Energía Del N-Canal | Intersil |
| 425814 | FSS23A4R4 | 7A, 250V, 0.460 Ohmio, Rad Difícilmente, SEGR Resistente, MOSFETs De la Energía Del N-Canal | Intersil |
| 425815 | FSS242 | Usos Del Convertidor del Mosfet DC/DC Del Silicio Del N-Canal | SANYO |
| 425816 | FSS244 | Usos Del Convertidor de la C.C./de la C.C. del Mosfet Del Silicio Del N-Canal | SANYO |
| 425817 | FSS250 | Usos Del Convertidor del Mosfet DC/DC Del Silicio Del N-Canal | SANYO |
| 425818 | FSS262 | MOSFETs Medios De la Salida | SANYO |
| 425819 | FSS430D | 3A, 500V, 2.70 Ohmios, Rad Difícilmente, SEGR Resistente, MOSFETs De la Energía Del N-Canal | Intersil |
| 425820 | FSS430D1 | Á/500V/2,70 Difícilmente/SEGR Del Ohmio/Rad Resistentes/MOSFETs De la Energía Del N-Canal | Intersil |
| 425821 | FSS430D3 | Á/500V/2,70 Difícilmente/SEGR Del Ohmio/Rad Resistentes/MOSFETs De la Energía Del N-Canal | Intersil |
| 425822 | FSS430R | 3A, 500V, 2.70 Ohmios, Rad Difícilmente, SEGR Resistente, MOSFETs De la Energía Del N-Canal | Intersil |
| 425823 | FSS430R1 | 3A, 500V, 2.70 Ohmios, Rad Difícilmente, SEGR Resistente, MOSFETs De la Energía Del N-Canal | Intersil |
| 425824 | FSS430R3 | Á/500V/2,70 Difícilmente/SEGR Del Ohmio/Rad Resistentes/MOSFETs De la Energía Del N-Canal | Intersil |
| 425825 | FSS430R4 | Á/500V/2,70 Difícilmente/SEGR Del Ohmio/Rad Resistentes/MOSFETs De la Energía Del N-Canal | Intersil |
| 425826 | FSS802 | MOSFETs Medios De la Salida | SANYO |
| 425827 | FSS9130D | Ã/-100V/0,660 Difícilmente/SEGR Del Ohmio/Rad Resistentes/MOSFETs De la Energía Del P-Canal | Intersil |
| 425828 | FSS9130D1 | Ã/-100V/0,660 Difícilmente/SEGR Del Ohmio/Rad Resistentes/MOSFETs De la Energía Del P-Canal | Intersil |
| 425829 | FSS9130D3 | 6A, -100V, 0.660 Ohmio, Rad Difícilmente, SEGR Resistente, MOSFETs De la Energía Del P-Canal | Intersil |
| 425830 | FSS9130R | 6A, -100V, 0.660 Ohmio, Rad Difícilmente, SEGR Resistente, MOSFETs De la Energía Del P-Canal | Intersil |
| 425831 | FSS9130R1 | 6A, -100V, 0.660 Ohmio, Rad Difícilmente, SEGR Resistente, MOSFETs De la Energía Del P-Canal | Intersil |
| 425832 | FSS9130R3 | Ã/-100V/0,660 Difícilmente/SEGR Del Ohmio/Rad Resistentes/MOSFETs De la Energía Del P-Canal | Intersil |
| 425833 | FSS9130R4 | Ã/-100V/0,660 Difícilmente/SEGR Del Ohmio/Rad Resistentes/MOSFETs De la Energía Del P-Canal | Intersil |
| 425834 | FSS913A0D | Endureció/SEGR De 10A/De -100V/0,280 Ohmios/Radiación Resistente/MOSFETs De la Energía Del P-Canal | Intersil |
| 425835 | FSS913A0D1 | 10A, -100V, 0.280 Ohmio, Radiación Endureció, SEGR Resistente, MOSFETs De la Energía Del P-Canal | Intersil |
| 425836 | FSS913A0D3 | Endureció/SEGR De 10A/De -100V/0,280 Ohmios/Radiación Resistente/MOSFETs De la Energía Del P-Canal | Intersil |
| 425837 | FSS913A0R | Endureció/SEGR De 10A/De -100V/0,280 Ohmios/Radiación Resistente/MOSFETs De la Energía Del P-Canal | Intersil |
| 425838 | FSS913A0R1 | 10A, -100V, 0.280 Ohmio, Radiación Endureció, SEGR Resistente, MOSFETs De la Energía Del P-Canal | Intersil |
| 425839 | FSS913A0R3 | 10A, -100V, 0.280 Ohmio, Radiación Endureció, SEGR Resistente, MOSFETs De la Energía Del P-Canal | Intersil |
| 425840 | FSS913A0R4 | 10A, -100V, 0.280 Ohmio, Radiación Endureció, SEGR Resistente, MOSFETs De la Energía Del P-Canal | Intersil |
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