Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
510241 | HY51VS18163HGLJ-5 | RAM dinámica organizada 1.048.576 palabras x 16 bits, la auto actualización, 50ns, de baja potencia | Hynix Semiconductor |
510242 | HY51VS18163HGLJ-6 | RAM dinámica organizada 1.048.576 palabras x 16 bits, la auto actualización, 60ns, de baja potencia | Hynix Semiconductor |
510243 | HY51VS18163HGLJ-7 | RAM dinámica organizada 1.048.576 palabras x 16 bits, la auto actualización, 70ns, de baja potencia | Hynix Semiconductor |
510244 | HY51VS18163HGLT-5 | RAM dinámica organizada 1.048.576 palabras x 16 bits, la auto actualización, 50ns, de baja potencia | Hynix Semiconductor |
510245 | HY51VS18163HGLT-6 | RAM dinámica organizada 1.048.576 palabras x 16 bits, la auto actualización, 60ns, de baja potencia | Hynix Semiconductor |
510246 | HY51VS18163HGLT-7 | RAM dinámica organizada 1.048.576 palabras x 16 bits, la auto actualización, 70ns, de baja potencia | Hynix Semiconductor |
510247 | HY51VS18163HGT-5 | RAM dinámica organizada 1.048.576 palabras x 16 bits, la auto actualización, 50ns | Hynix Semiconductor |
510248 | HY51VS18163HGT-6 | RAM dinámica organizada 1.048.576 palabras x 16 bits, la auto actualización, 60ns | Hynix Semiconductor |
510249 | HY51VS18163HGT-7 | RAM dinámica organizada 1.048.576 palabras x 16 bits, la auto actualización, 70ns | Hynix Semiconductor |
510250 | HY51VS65163HG | COPITA de los 4M x 16Bit EDO | Hynix Semiconductor |
510251 | HY51VS65163HGJ-45 | 4M x 16 bit EDO DRAM, 3.3V, LVTTL-interfaz, 45ns | Hynix Semiconductor |
510252 | HY51VS65163HGJ-5 | 4M x 16 bit EDO DRAM, 3.3V, LVTTL-interfaz, 50ns | Hynix Semiconductor |
510253 | HY51VS65163HGJ-6 | 4M x 16 bit EDO DRAM, 3.3V, LVTTL-interfaz, 60ns | Hynix Semiconductor |
510254 | HY51VS65163HGLJ-45 | 4M x 16 bit EDO DRAM, 3.3V, LVTTL-interfaz, 45ns, energía baja | Hynix Semiconductor |
510255 | HY51VS65163HGLJ-5 | 4M x 16 bit EDO DRAM, 3.3V, LVTTL-interfaz, 50ns, energía baja | Hynix Semiconductor |
510256 | HY51VS65163HGLJ-6 | 4M x 16 bit EDO DRAM, 3.3V, LVTTL-interfaz, 60ns, energía baja | Hynix Semiconductor |
510257 | HY51VS65163HGLT-45 | 4M x 16 bit EDO DRAM, 3.3V, LVTTL-interfaz, 45ns, energía baja | Hynix Semiconductor |
510258 | HY51VS65163HGLT-5 | 4M x 16 bit EDO DRAM, 3.3V, LVTTL-interfaz, 50ns, energía baja | Hynix Semiconductor |
510259 | HY51VS65163HGLT-6 | 4M x 16 bit EDO DRAM, 3.3V, LVTTL-interfaz, 60ns, energía baja | Hynix Semiconductor |
510260 | HY51VS65163HGT-45 | 4M x 16 bit EDO DRAM, 3.3V, LVTTL-interfaz, 45ns | Hynix Semiconductor |
510261 | HY51VS65163HGT-5 | 4M x 16 bit EDO DRAM, 3.3V, LVTTL-interfaz, 50ns | Hynix Semiconductor |
510262 | HY51VS65163HGT-6 | 4M x 16 bit EDO DRAM, 3.3V, LVTTL-interfaz, 60ns | Hynix Semiconductor |
510263 | HY520SBO | SERIE DE OBS 25 VATIOS | Power-One |
510264 | HY534256A | COPITA de 256K x de 4-bit Cmos | Hynix Semiconductor |
510265 | HY534256AJ | COPITA de 256K x de 4-bit Cmos | Hynix Semiconductor |
510266 | HY534256AJ-45 | 256K x 4-bit CMOS DRAM, 45ns | Hynix Semiconductor |
510267 | HY534256AJ-50 | 256K x 4-bit CMOS DRAM, 50ns | Hynix Semiconductor |
510268 | HY534256AJ-60 | 256K x 4-bit CMOS DRAM, 60ns | Hynix Semiconductor |
510269 | HY534256AJ-70 | 256K x 4-bit CMOS DRAM, 70ns | Hynix Semiconductor |
510270 | HY534256AJ-80 | 256K x 4-bit CMOS DRAM, 80ns | Hynix Semiconductor |
510271 | HY534256ALJ | COPITA de 256K x de 4-bit Cmos | Hynix Semiconductor |
510272 | HY534256ALJ-45 | 256K x 4-bit CMOS DRAM, 45ns, energía baja | Hynix Semiconductor |
510273 | HY534256ALJ-50 | 256K x 4-bit CMOS DRAM, 50ns, energía baja | Hynix Semiconductor |
510274 | HY534256ALJ-60 | 256K x 4-bit CMOS DRAM, 60ns, energía baja | Hynix Semiconductor |
510275 | HY534256ALJ-70 | 256K x 4-bit CMOS DRAM, 70ns, energía baja | Hynix Semiconductor |
510276 | HY534256ALJ-80 | 256K x 4-bit CMOS DRAM, 80ns, energía baja | Hynix Semiconductor |
510277 | HY534256ALS | COPITA de 256K x de 4-bit Cmos | Hynix Semiconductor |
510278 | HY534256ALS-60 | 256K x 4-bit CMOS DRAM, 60ns, energía baja | Hynix Semiconductor |
510279 | HY534256ALS-70 | 256K x 4-bit CMOS DRAM, 70ns, energía baja | Hynix Semiconductor |
510280 | HY534256ALS-80 | 256K x 4-bit CMOS DRAM, 80ns, energía baja | Hynix Semiconductor |
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