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| IRFF113 Fabricado cerca: | 
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 | N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 60V de tensión. Continua de drenaje 3.0A actual. Otros con el mismo archivo para el datasheet: IRFF112, IRFF110, IRFF111, |
Transferencia Directa IRFF113 datasheet de General Electric Solid State |
pdf 179 kb |
 | N-canal de compuerta de silicio-modo de mejora TMOS de pequeña señal del transistor de efecto de campo. | Transferencia Directa IRFF113 datasheet de Motorola |
pdf 41 kb |
| IRFF112 | Vista IRFF113 a nuestro catálogo | IRFF120 |