|   Primera página   |   Todos los fabricantes   |   Por la función   |  

Número de pieza, la descripción o el fabricante contener:  
Salto rápido a:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Hojas de datos encontradas :: 1232 English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versione italiana per questa pagina Versão portuguese para esta página Russian Version Romanian Version
Nr.Nombre de la parteDescripciónFabricante
401G6849-01Fotodiodo del PERNO de InGaAsHamamatsu Corporation
402G6854-01Fotodiodo del PERNO de InGaAsHamamatsu Corporation
403G7096FOTODETECTORES DE ULTRAFAST MSMHamamatsu Corporation
404G7096-01FOTODETECTORES DE ULTRAFAST MSMHamamatsu Corporation
405G7150Arsenal del fotodiodo del PERNO de InGaAsHamamatsu Corporation
406G7150-16Área activa: 0.45x1mm; espectral rango de respuesta: 0.9-1.7um; tensión inversa: 5V; InGaAs fotodiodo PIN matriz: 16-elemento de la matriz. Para infrarrojo cercano (NIR) espectrofotómetroHamamatsu Corporation
407G7151-16Arsenal del fotodiodo del PERNO de InGaAsHamamatsu Corporation
408G7189Fotodiodo de GaAsPHamamatsu Corporation
409G7751-01Área activa: 0,6 mm; tensión de entrada externa: + - 18V; módulo detector de infrarrojos con preamplificador: módulo de alta sensibilidad de fácil de uso. Para la detección de infrarrojosHamamatsu Corporation
410G7751-02Módulo infrarrojo del detector con el preamplificaciónHamamatsu Corporation
411G7751-21Módulo infrarrojo del detector con el preamplificaciónHamamatsu Corporation
412G7752-10Módulo infrarrojo del detector con el preamplificaciónHamamatsu Corporation
413G7754-01Módulo infrarrojo del detector con el preamplificaciónHamamatsu Corporation
414G7754-03Módulo infrarrojo del detector con el preamplificaciónHamamatsu Corporation
415G7871Fotodiodo del PERNO de InGaAs con el preamplificaciónHamamatsu Corporation
416G7871-02Fotodiodo del PERNO de InGaAs con el preamplificaciónHamamatsu Corporation
417G7881Tensión de alimentación: 0.3-5.5V; InGaAs fotodiodo PIN con preamplificador: Tipo de receptáculo, 1.3 / 1.55um, 156, 622Mbps / 1,25, 2,5 Gbps. Para las comunicaciones de fibra óptica, canal de fibra, Enthernet gigabit, HDTV, SDHHamamatsu Corporation
418G7881-21Fotodiodo del PERNO de InGaAs con el preamplificaciónHamamatsu Corporation
419G7881-22Fotodiodo del PERNO de InGaAs con el preamplificaciónHamamatsu Corporation
420G7881-23Fotodiodo del PERNO de InGaAs con el preamplificaciónHamamatsu Corporation
421G7881-32Fotodiodo del PERNO de InGaAs con el preamplificaciónHamamatsu Corporation
422G7881-44Fotodiodo del PERNO de InGaAs con el preamplificaciónHamamatsu Corporation
423G8194Fotodiodo del PERNO de InGaAsHamamatsu Corporation
424G8194-21Fotodiodo del PERNO de InGaAsHamamatsu Corporation
425G8194-22Fotodiodo del PERNO de InGaAsHamamatsu Corporation
426G8194-23Fotodiodo del PERNO de InGaAsHamamatsu Corporation
427G8194-32Fotodiodo del PERNO de InGaAsHamamatsu Corporation
428G8194-44Fotodiodo del PERNO de InGaAsHamamatsu Corporation



429G8195Fotodiodo del PERNO de InGaAsHamamatsu Corporation
430G8195-11Espectral rango de respuesta: 0.9-1.7um; tensión inversa: 20V; InGaAs PIN fotodiodo: Tipo de receptáculo 1.3 / 1.55um, 2GHz. Para las comunicaciones de fibra óptica, canal de fibra, Enthernet gigabit, SDH, WDMHamamatsu Corporation
431G8195-12Espectral rango de respuesta: 0.9-1.7um; tensión inversa: 20V; InGaAs PIN fotodiodo: Tipo de receptáculo 1.3 / 1.55um, 2GHz. Para las comunicaciones de fibra óptica, canal de fibra, Enthernet gigabit, SDH, WDMHamamatsu Corporation
432G8195-21Espectral rango de respuesta: 0.9-1.7um; tensión inversa: 20V; InGaAs PIN fotodiodo: Tipo de receptáculo 1.3 / 1.55um, 2GHz. Para las comunicaciones de fibra óptica, canal de fibra, Enthernet gigabit, SDH, WDMHamamatsu Corporation
433G8195-22Espectral rango de respuesta: 0.9-1.7um; tensión inversa: 20V; InGaAs PIN fotodiodo: Tipo de receptáculo 1.3 / 1.55um, 2GHz. Para las comunicaciones de fibra óptica, canal de fibra, Enthernet gigabit, SDH, WDMHamamatsu Corporation
434G8195-31Espectral rango de respuesta: 0.9-1.7um; tensión inversa: 20V; InGaAs PIN fotodiodo: Tipo de receptáculo 1.3 / 1.55um, 2GHz. Para las comunicaciones de fibra óptica, canal de fibra, Enthernet gigabit, SDH, WDMHamamatsu Corporation
435G8195-32Espectral rango de respuesta: 0.9-1.7um; tensión inversa: 20V; InGaAs PIN fotodiodo: Tipo de receptáculo 1.3 / 1.55um, 2GHz. Para las comunicaciones de fibra óptica, canal de fibra, Enthernet gigabit, SDH, WDMHamamatsu Corporation
436G8198Fotodiodo del PERNO de InGaAsHamamatsu Corporation
437G8198-01Fotodiodo del PERNO de InGaAsHamamatsu Corporation
438G8198-02Fotodiodo del PERNO de InGaAsHamamatsu Corporation
439G8211-11Fotodiodo del PERNO de InGaAs con el preamplificaciónHamamatsu Corporation
440G8211-12Fotodiodo del PERNO de InGaAs con el preamplificaciónHamamatsu Corporation
441G8211-21Fotodiodo del PERNO de InGaAs con el preamplificaciónHamamatsu Corporation
442G8211-22Fotodiodo del PERNO de InGaAs con el preamplificaciónHamamatsu Corporation
443G8211-31Fotodiodo del PERNO de InGaAs con el preamplificaciónHamamatsu Corporation
444G8211-32Fotodiodo del PERNO de InGaAs con el preamplificaciónHamamatsu Corporation
445G8338Fotodiodo del PERNO de InGaAs con el preamplificaciónHamamatsu Corporation
446G8338-02Fotodiodo del PERNO de InGaAs con el preamplificaciónHamamatsu Corporation
447G8339Fotodiodo del PERNO de InGaAs con el preamplificaciónHamamatsu Corporation
448G8339-21Fotodiodo del PERNO de InGaAs con el preamplificaciónHamamatsu Corporation
449G8339-22Fotodiodo del PERNO de InGaAs con el preamplificaciónHamamatsu Corporation
450G8339-23Fotodiodo del PERNO de InGaAs con el preamplificaciónHamamatsu Corporation

Página: | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 | 17 | 18 | 19 | 20 | 21 | 22 | 23 | 24 | 25 |


© 2023    www.datasheetcatalog.net/es/hamamatsucorporation/1/