| Nr. | Nombre de la parte | Descripción | Fabricante |
| 501 | CM800HA-34H | Módulos Bipolares Aislados Alto voltaje Del Transistor De la Puerta (HVIGBT) | Mitsubishi Electric Corporation |
| 502 | CM800HA-50H | Módulos Bipolares Aislados Alto voltaje Del Transistor De la Puerta (HVIGBT) | Mitsubishi Electric Corporation |
| 503 | CM800HA-66H | Módulos Bipolares Aislados Alto voltaje Del Transistor De la Puerta (HVIGBT) | Mitsubishi Electric Corporation |
| 504 | CM800HB-50H | Módulos Bipolares Aislados Alto voltaje Del Transistor De la Puerta (HVIGBT) | Mitsubishi Electric Corporation |
| 505 | CM800HB-66H | Módulos Bipolares Aislados Alto voltaje Del Transistor De la Puerta (HVIGBT) | Mitsubishi Electric Corporation |
| 506 | CM900HB-90H | Módulos Bipolares Aislados Alto voltaje Del Transistor De la Puerta (HVIGBT) | Mitsubishi Electric Corporation |
| 507 | CR02 | TIPO PLANAR DE LA PASIVACIÓN DEL USO BAJO DE LA ENERGÍA | Mitsubishi Electric Corporation |
| 508 | CR02AM | TIPO PLANAR DE LA PASIVACIÓN DEL USO BAJO DE LA ENERGÍA DEL SEMICONDUCTOR DE MITSUBISHI (TIRISTOR) | Mitsubishi Electric Corporation |
| 509 | CR02AM-4 | Módulos Bipolares Integrados Del Transistor De la Puerta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 510 | CR02AM-6 | Módulos Bipolares Integrados Del Transistor De la Puerta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 511 | CR02AM-8 | Módulos Bipolares Integrados Del Transistor De la Puerta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 512 | CR02AM-8A | TIPO DE CRISTAL DE LA PASIVACIÓN DEL USO BAJO DE LA ENERGÍA DEL SEMICONDUCTOR DE MITSUBISHI (TIRISTOR) | Mitsubishi Electric Corporation |
| 513 | CR03AM | El USO BAJO de la ENERGÍA del SEMICONDUCTOR de MITSUBISHI (TIRISTOR) No-aislo' el TIPO, TIPO DE CRISTAL de la PASIVACIÓN | Mitsubishi Electric Corporation |
| 514 | CR03AM-12 | Módulos Bipolares Integrados Del Transistor De la Puerta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 515 | CR03AM-8 | Módulos Bipolares Integrados Del Transistor De la Puerta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 516 | CR04 | TIPO DE CRISTAL DE LA PASIVACIÓN DEL USO BAJO DE LA ENERGÍA | Mitsubishi Electric Corporation |
| 517 | CR04AM | TIPO DE CRISTAL DE LA PASIVACIÓN DEL USO BAJO DE LA ENERGÍA DEL SEMICONDUCTOR DE MITSUBISHI (TIRISTOR) | Mitsubishi Electric Corporation |
| 518 | CR04AM-12 | Módulos Bipolares Integrados Del Transistor De la Puerta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 519 | CR04AM-8 | Módulos Bipolares Integrados Del Transistor De la Puerta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 520 | CR05AS | El USO BAJO de la ENERGÍA del SEMICONDUCTOR de MITSUBISHI (TIRISTOR) No-aislo' el TIPO, TIPO PLANAR de la PASIVACIÓN | Mitsubishi Electric Corporation |
| 521 | CR05AS-4 | Módulos Bipolares Integrados Del Transistor De la Puerta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 522 | CR05AS-8 | Módulos Bipolares Integrados Del Transistor De la Puerta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 523 | CR08AS | El USO BAJO de la ENERGÍA del SEMICONDUCTOR de MITSUBISHI (TIRISTOR) No-aislo' el TIPO, TIPO DE CRISTAL de la PASIVACIÓN | Mitsubishi Electric Corporation |
| 524 | CR08AS-12 | Módulos Bipolares Integrados Del Transistor De la Puerta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 525 | CR08AS-8 | Módulos Bipolares Integrados Del Transistor De la Puerta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 526 | CR10C | TIPO MEDIO DEL USO NON-INSULATED DE LA ENERGÍA, TIPO DE CRISTAL DE LA PASIVACIÓN | Mitsubishi Electric Corporation |
| 527 | CR10CY | TIRISTOR Alto de la CONMUTACIÓN De la Velocidad - la ENERGÍA MEDIA, USO del INVERSOR No-aislo' el TIPO, TIPO DE CRISTAL de la PASIVACIÓN | Mitsubishi Electric Corporation |
| 528 | CR12AM | El USO MEDIO de la ENERGÍA del SEMICONDUCTOR de MITSUBISHI (TIRISTOR) No-aislo' el TIPO, TIPO DE CRISTAL de la PASIVACIÓN | Mitsubishi Electric Corporation |
| 529 | CR12AM-12 | Módulos Bipolares Integrados Del Transistor De la Puerta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 530 | CR12AM-8 | Módulos Bipolares Integrados Del Transistor De la Puerta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 531 | CR12BM | El USO MEDIO de la ENERGÍA del SEMICONDUCTOR de MITSUBISHI (TIRISTOR) No-aislo' el TIPO, TIPO DE CRISTAL de la PASIVACIÓN | Mitsubishi Electric Corporation |
| 532 | CR20EY | TIRISTOR Alto de la CONMUTACIÓN De la Velocidad - la ENERGÍA MEDIA, USO del INVERSOR No-aislo' el TIPO, TIPO DE CRISTAL de la PASIVACIÓN | Mitsubishi Electric Corporation |
| 533 | CR20F | El USO MEDIO de la ENERGÍA del SEMICONDUCTOR de MITSUBISHI (TIRISTOR) No-aislo' el TIPO, TIPO DE CRISTAL de la PASIVACIÓN | Mitsubishi Electric Corporation |
| 534 | CR2AM | El USO BAJO de la ENERGÍA del SEMICONDUCTOR de MITSUBISHI (TIRISTOR) No-aislo' el TIPO, TIPO DE CRISTAL de la PASIVACIÓN | Mitsubishi Electric Corporation |
| 535 | CR2AM-8A | TIPO DE CRISTAL DE LA PASIVACIÓN DEL USO BAJO DE LA ENERGÍA | Mitsubishi Electric Corporation |
| 536 | CR3AMZ | TIRISTOR Alto de la CONMUTACIÓN De la Velocidad - la ENERGÍA BAJA, USO del ESTROBOSCÓPICO No-aislo' el TIPO, TIPO DE CRISTAL de la PASIVACIÓN | Mitsubishi Electric Corporation |
| 537 | CR3EM | El USO BAJO de la ENERGÍA del SEMICONDUCTOR de MITSUBISHI (TIRISTOR) No-aislo' el TIPO, TIPO DE CRISTAL de la PASIVACIÓN | Mitsubishi Electric Corporation |
| 538 | CR3JM | Módulos Bipolares Integrados Del Transistor De la Puerta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 539 | CR3JM | TIRISTOR Alto de la CONMUTACIÓN De la Velocidad - la ENERGÍA BAJA, USO del ESTROBOSCÓPICO No-aislo' el TIPO, TIPO DE CRISTAL de la PASIVACIÓN | Mitsubishi Electric Corporation |
| 540 | CR3PM | TIPO AISLADO USO BAJO DE LA ENERGÍA DEL SEMICONDUCTOR DE MITSUBISHI (TIRISTOR), TIPO DE CRISTAL DE LA PASIVACIÓN | Mitsubishi Electric Corporation |
| 541 | CR3PM-12 | Módulos Bipolares Integrados Del Transistor De la Puerta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 542 | CR3PM-8 | Módulos Bipolares Integrados Del Transistor De la Puerta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 543 | CR5AS | El USO MEDIO de la ENERGÍA del SEMICONDUCTOR de MITSUBISHI (TIRISTOR) No-aislo' el TIPO, TIPO DE CRISTAL de la PASIVACIÓN | Mitsubishi Electric Corporation |
| 544 | CR5AS-12 | Módulos Bipolares Integrados Del Transistor De la Puerta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 545 | CR5AS-8 | Módulos Bipolares Integrados Del Transistor De la Puerta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 546 | CR6CM | El USO MEDIO de la ENERGÍA del SEMICONDUCTOR de MITSUBISHI (TIRISTOR) No-aislo' el TIPO, TIPO DE CRISTAL de la PASIVACIÓN | Mitsubishi Electric Corporation |
| 547 | CR6CM-12 | Módulos Bipolares Integrados Del Transistor De la Puerta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 548 | CR6CM-8 | Módulos Bipolares Integrados Del Transistor De la Puerta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 549 | CR6PM | TIPO AISLADO USO MEDIO DE LA ENERGÍA DEL SEMICONDUCTOR DE MITSUBISHI (TIRISTOR), TIPO DE CRISTAL DE LA PASIVACIÓN | Mitsubishi Electric Corporation |
| 550 | CR6PM-12 | Módulos Bipolares Integrados Del Transistor De la Puerta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 551 | CR6PM-8 | Módulos Bipolares Integrados Del Transistor De la Puerta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 552 | CR8AM | El USO MEDIO de la ENERGÍA del SEMICONDUCTOR de MITSUBISHI (TIRISTOR) No-aislo' el TIPO, TIPO DE CRISTAL de la PASIVACIÓN | Mitsubishi Electric Corporation |
| 553 | CR8AM-12 | Módulos Bipolares Integrados Del Transistor De la Puerta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 554 | CR8AM-8 | Módulos Bipolares Integrados Del Transistor De la Puerta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 555 | CR8PM | TIPO AISLADO USO MEDIO DE LA ENERGÍA DEL SEMICONDUCTOR DE MITSUBISHI (TIRISTOR), TIPO DE CRISTAL DE LA PASIVACIÓN | Mitsubishi Electric Corporation |
| 556 | CR8PM-12 | Módulos Bipolares Integrados Del Transistor De la Puerta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 557 | CR8PM-8 | Módulos Bipolares Integrados Del Transistor De la Puerta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 558 | CT15SM-24 | MITSUBISHI AISLÓ USO GENERAL DE LA UPS DEL Ò DEL INVERSOR DEL TRANSISTOR BIPOLAR DE LA PUERTA | Mitsubishi Electric Corporation |
| 559 | CT20AS-8 | MITSUBISHI AISLÓ USO BIPOLAR DEL INTERRUPTOR INTERMITENTE DEL ESTROBOSCÓPICO DEL TRANSISTOR DE LA PUERTA | Mitsubishi Electric Corporation |
| 560 | CT20ASJ-8 | MITSUBISHI AISLÓ USO BIPOLAR DEL INTERRUPTOR INTERMITENTE DEL ESTROBOSCÓPICO DEL TRANSISTOR DE LA PUERTA | Mitsubishi Electric Corporation |
| 561 | CT20ASL-8 | MITSUBISHI AISLÓ USO BIPOLAR DEL INTERRUPTOR INTERMITENTE DEL ESTROBOSCÓPICO DEL TRANSISTOR DE LA PUERTA | Mitsubishi Electric Corporation |
| 562 | CT20TM-8 | MITSUBISHI AISLÓ USO BIPOLAR DEL INTERRUPTOR INTERMITENTE DEL ESTROBOSCÓPICO DEL TRANSISTOR DE LA PUERTA | Mitsubishi Electric Corporation |
| 563 | CT20VM-8 | MITSUBISHI AISLÓ USO BIPOLAR DEL INTERRUPTOR INTERMITENTE DEL ESTROBOSCÓPICO DEL TRANSISTOR DE LA PUERTA | Mitsubishi Electric Corporation |
| 564 | CT20VML-8 | MITSUBISHI AISLÓ USO BIPOLAR DEL INTERRUPTOR INTERMITENTE DEL ESTROBOSCÓPICO DEL TRANSISTOR DE LA PUERTA | Mitsubishi Electric Corporation |
| 565 | CT20VS-8 | MITSUBISHI AISLÓ USO BIPOLAR DEL INTERRUPTOR INTERMITENTE DEL ESTROBOSCÓPICO DEL TRANSISTOR DE LA PUERTA | Mitsubishi Electric Corporation |
| 566 | CT20VSL-8 | MITSUBISHI AISLÓ USO BIPOLAR DEL INTERRUPTOR INTERMITENTE DEL ESTROBOSCÓPICO DEL TRANSISTOR DE LA PUERTA | Mitsubishi Electric Corporation |
| 567 | CT25AS-8 | MITSUBISHI AISLÓ USO BIPOLAR DEL INTERRUPTOR INTERMITENTE DEL ESTROBOSCÓPICO DEL TRANSISTOR DE LA PUERTA | Mitsubishi Electric Corporation |
| 568 | CT25ASJ-8 | MITSUBISHI AISLÓ USO BIPOLAR DEL INTERRUPTOR INTERMITENTE DEL ESTROBOSCÓPICO DEL TRANSISTOR DE LA PUERTA | Mitsubishi Electric Corporation |
| 569 | CT30SM-1 | Módulos Bipolares Integrados Del Transistor De la Puerta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 570 | CT30SM-12 | MITSUBISHI AISLÓ USO GENERAL DE LA UPS DEL Ò DEL INVERSOR DEL TRANSISTOR BIPOLAR DE LA PUERTA | Mitsubishi Electric Corporation |
| 571 | CT30TM-8 | MITSUBISHI AISLÓ USO BIPOLAR DEL INTERRUPTOR INTERMITENTE DEL ESTROBOSCÓPICO DEL TRANSISTOR DE LA PUERTA | Mitsubishi Electric Corporation |
| 572 | CT30VM-8 | MITSUBISHI AISLÓ USO BIPOLAR DEL INTERRUPTOR INTERMITENTE DEL ESTROBOSCÓPICO DEL TRANSISTOR DE LA PUERTA | Mitsubishi Electric Corporation |
| 573 | CT30VS-8 | MITSUBISHI AISLÓ USO BIPOLAR DEL INTERRUPTOR INTERMITENTE DEL ESTROBOSCÓPICO DEL TRANSISTOR DE LA PUERTA | Mitsubishi Electric Corporation |
| 574 | CT35SM-8 | MITSUBISHI AISLÓ USO BIPOLAR DEL INTERRUPTOR INTERMITENTE DEL ESTROBOSCÓPICO DEL TRANSISTOR DE LA PUERTA | Mitsubishi Electric Corporation |
| 575 | CT40TMH-8 | MITSUBISHI AISLÓ USO BIPOLAR DEL INTERRUPTOR INTERMITENTE DEL ESTROBOSCÓPICO DEL TRANSISTOR DE LA PUERTA | Mitsubishi Electric Corporation |
| 576 | CT60AM-18B | MITSUBISHI AISLÓ USO RESONANTE DEL INVERSOR DEL TRANSISTOR BIPOLAR DE LA PUERTA | Mitsubishi Electric Corporation |
| 577 | CT60AM-18B | Módulos Bipolares Integrados Del Transistor De la Puerta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 578 | CT60AM-18F | Módulos Bipolares Integrados Del Transistor De la Puerta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 579 | CT75AM-12 | MITSUBISHI AISLÓ USO GENERAL DE LA UPS DEL Ò DEL INVERSOR DEL TRANSISTOR BIPOLAR DE LA PUERTA | Mitsubishi Electric Corporation |
| 580 | CT90AM-18 | Módulos Bipolares Integrados Del Transistor De la Puerta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 581 | CY20AAJ-8 | Módulos Bipolares Integrados Del Transistor De la Puerta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 582 | CY20AAJ-8F | Módulos Bipolares Integrados Del Transistor De la Puerta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 583 | CY25AAJ-8 | Módulos Bipolares Integrados Del Transistor De la Puerta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 584 | CY25AAJ-8F | Módulos Bipolares Integrados Del Transistor De la Puerta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 585 | DN1811 | LSI para la multiplexación de 16 CH | Mitsubishi Electric Corporation |
| 586 | E602204_HD64413A | LSI periférica del motor de SuperH RISC | Mitsubishi Electric Corporation |
| 587 | E702196_SH7750 | Emulador Del Sistema SH7750 E10A Del Ambiente Del Desarrollo Del Microordenador De Hitachi | Mitsubishi Electric Corporation |
| 588 | FA01215 | IC del HÍBRIDO del Fet Del GaAs | Mitsubishi Electric Corporation |
| 589 | FA01219A | IC del HÍBRIDO del Fet Del GaAs | Mitsubishi Electric Corporation |
| 590 | FA01220A | IC del HÍBRIDO del Fet Del GaAs | Mitsubishi Electric Corporation |
| 591 | FA01384 | IC del HÍBRIDO del Fet Del GaAs | Mitsubishi Electric Corporation |
| 592 | FAO1384 | IC del HÍBRIDO del Fet Del GaAs | Mitsubishi Electric Corporation |
| 593 | FD1000FH-56 | DIODOS de RECTIFICADOR De alta frecuencia de MITSUBISHI ALTA ENERGÍA, DE ALTA FRECUENCIA, TIPO del PAQUETE de PRENSA | Mitsubishi Electric Corporation |
| 594 | FD1000FV-90 | DIODOS de RECTIFICADOR De alta frecuencia de MITSUBISHI ALTA ENERGÍA, DE ALTA FRECUENCIA, TIPO del PAQUETE de PRENSA | Mitsubishi Electric Corporation |
| 595 | FD1000FX-90 | DIODOS de RECTIFICADOR De alta frecuencia de MITSUBISHI ALTA ENERGÍA, DE ALTA FRECUENCIA, TIPO del PAQUETE de PRENSA | Mitsubishi Electric Corporation |
| 596 | FD1500AU-240 | Tiristores de alta tensión, de alta potencia, el uso general, puerta dinámica, pulse Tipo de paquete | Mitsubishi Electric Corporation |
| 597 | FD1500AV-90 | DIODOS de RECTIFICADOR De alta frecuencia de MITSUBISHI ALTA ENERGÍA, DE ALTA FRECUENCIA, TIPO del PAQUETE de PRENSA | Mitsubishi Electric Corporation |
| 598 | FD1500BV-90DA | Diodos Suaves De la Recuperación | Mitsubishi Electric Corporation |
| 599 | FD1500BV-90DA | ALTA ENERGÍA, DE ALTA FRECUENCIA, TIPO DEL PAQUETE DE PRENSA | Mitsubishi Electric Corporation |
| 600 | FD2000BV-90DA | Puerta de tiristores de apagado para alta potencia el uso del inversor tipo dossier de prensa | Mitsubishi Electric Corporation |
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