| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 251 | IS24C256-3GI | 262,144-BIT 2-WIRE CMOS PÉRIODIQUE EEPROM | Integrated Silicon Solution Inc |
| 252 | IS24C256-3P | 262,144-BIT 2-WIRE CMOS PÉRIODIQUE EEPROM | Integrated Silicon Solution Inc |
| 253 | IS24C256-3PI | 262,144-BIT 2-WIRE CMOS PÉRIODIQUE EEPROM | Integrated Silicon Solution Inc |
| 254 | IS24C256-3Z | 262,144-BIT 2-WIRE CMOS PÉRIODIQUE EEPROM | Integrated Silicon Solution Inc |
| 255 | IS24C256-3ZI | 262,144-BIT 2-WIRE CMOS PÉRIODIQUE EEPROM | Integrated Silicon Solution Inc |
| 256 | IS24C32-2 | 65/536-bit/32/768-bit PUBLICATION PÉRIODIQUE À 2 FILS CMOS EEPROM | Integrated Silicon Solution Inc |
| 257 | IS24C32-3 | 65/536-bit/32/768-bit PUBLICATION PÉRIODIQUE À 2 FILS CMOS EEPROM | Integrated Silicon Solution Inc |
| 258 | IS24C52 | 2k-bit 2-WIRE CMOS PÉRIODIQUE EEPROM avec la Écrire-Protection permanente | Integrated Silicon Solution Inc |
| 259 | IS24C52-2G | 2k-bit 2-WIRE CMOS PÉRIODIQUE EEPROM avec la Écrire-Protection permanente | Integrated Silicon Solution Inc |
| 260 | IS24C52-2GI | 2k-bit 2-WIRE CMOS PÉRIODIQUE EEPROM avec la Écrire-Protection permanente | Integrated Silicon Solution Inc |
| 261 | IS24C52-2S | 2k-bit 2-WIRE CMOS PÉRIODIQUE EEPROM avec la Écrire-Protection permanente | Integrated Silicon Solution Inc |
| 262 | IS24C52-2SI | 2k-bit 2-WIRE CMOS PÉRIODIQUE EEPROM avec la Écrire-Protection permanente | Integrated Silicon Solution Inc |
| 263 | IS24C52-2Z | 2k-bit 2-WIRE CMOS PÉRIODIQUE EEPROM avec la Écrire-Protection permanente | Integrated Silicon Solution Inc |
| 264 | IS24C52-2ZI | 2k-bit 2-WIRE CMOS PÉRIODIQUE EEPROM avec la Écrire-Protection permanente | Integrated Silicon Solution Inc |
| 265 | IS24C52-3G | 2k-bit 2-WIRE CMOS PÉRIODIQUE EEPROM avec la Écrire-Protection permanente | Integrated Silicon Solution Inc |
| 266 | IS24C52-3GI | 2k-bit 2-WIRE CMOS PÉRIODIQUE EEPROM avec la Écrire-Protection permanente | Integrated Silicon Solution Inc |
| 267 | IS24C52-3S | 2k-bit 2-WIRE CMOS PÉRIODIQUE EEPROM avec la Écrire-Protection permanente | Integrated Silicon Solution Inc |
| 268 | IS24C52-3SI | 2k-bit 2-WIRE CMOS PÉRIODIQUE EEPROM avec la Écrire-Protection permanente | Integrated Silicon Solution Inc |
| 269 | IS24C52-3Z | 2k-bit 2-WIRE CMOS PÉRIODIQUE EEPROM avec la Écrire-Protection permanente | Integrated Silicon Solution Inc |
| 270 | IS24C52-3ZI | 2k-bit 2-WIRE CMOS PÉRIODIQUE EEPROM avec la Écrire-Protection permanente | Integrated Silicon Solution Inc |
| 271 | IS24C64 | 65/536-bit/32/768-bit PUBLICATION PÉRIODIQUE À 2 FILS CMOS EEPROM | Integrated Silicon Solution Inc |
| 272 | IS24C64-2 | 65/536-bit/32/768-bit PUBLICATION PÉRIODIQUE À 2 FILS CMOS EEPROM | Integrated Silicon Solution Inc |
| 273 | IS24C64-3 | 65/536-bit/32/768-bit PUBLICATION PÉRIODIQUE À 2 FILS CMOS EEPROM | Integrated Silicon Solution Inc |
| 274 | IS24C64A | 65/536-bit/32/768-bit PUBLICATION PÉRIODIQUE À 2 FILS CMOS EEPROM | Integrated Silicon Solution Inc |
| 275 | IS24C64B | 65/536-bit/32/768-bit PUBLICATION PÉRIODIQUE À 2 FILS CMOS EEPROM | Integrated Silicon Solution Inc |
| 276 | IS25F011A-3V-R | 1M bits mémoires flash de série avec interface SPI à 4 broches | Integrated Silicon Solution Inc |
| 277 | IS25F011A-5V-R | 1M bits mémoires flash de série avec interface SPI à 4 broches | Integrated Silicon Solution Inc |
| 278 | IS25F021A-3V-R | 2M bits mémoires flash de série avec interface SPI à 4 broches | Integrated Silicon Solution Inc |
| 279 | IS25F021A-5V-R | 2M bits mémoires flash de série avec interface SPI à 4 broches | Integrated Silicon Solution Inc |
| 280 | IS25F041A-3V-R | 4M bits mémoires flash de série avec interface SPI à 4 broches | Integrated Silicon Solution Inc |
| 281 | IS25F041A-5V-R | 4M bits mémoires flash de série avec interface SPI à 4 broches | Integrated Silicon Solution Inc |
| 282 | IS27LV020-12PL | 262 114 x 8 basse tension CMOS EPROM | Integrated Silicon Solution Inc |
| 283 | IS27LV020-12PLI | 262 114 x 8 basse tension CMOS EPROM | Integrated Silicon Solution Inc |
| 284 | IS27LV020-12T | 262 114 x 8 basse tension CMOS EPROM | Integrated Silicon Solution Inc |
| 285 | IS27LV020-12TI | 262 114 x 8 basse tension CMOS EPROM | Integrated Silicon Solution Inc |
| 286 | IS27LV020-12W | 262 114 x 8 basse tension CMOS EPROM | Integrated Silicon Solution Inc |
| 287 | IS27LV020-15PL | 262 114 x 8 basse tension CMOS EPROM | Integrated Silicon Solution Inc |
| 288 | IS27LV020-15PLI | 262 114 x 8 basse tension CMOS EPROM | Integrated Silicon Solution Inc |
| 289 | IS27LV020-15T | 262 114 x 8 basse tension CMOS EPROM | Integrated Silicon Solution Inc |
| 290 | IS27LV020-15TI | 262 114 x 8 basse tension CMOS EPROM | Integrated Silicon Solution Inc |
| 291 | IS27LV020-15W | 262 114 x 8 basse tension CMOS EPROM | Integrated Silicon Solution Inc |
| 292 | IS27LV020-90PL | 262 114 x 8 basse tension CMOS EPROM | Integrated Silicon Solution Inc |
| 293 | IS27LV020-90PLI | 262 114 x 8 basse tension CMOS EPROM | Integrated Silicon Solution Inc |
| 294 | IS27LV020-90T | 262 114 x 8 basse tension CMOS EPROM | Integrated Silicon Solution Inc |
| 295 | IS27LV020-90TI | 262 114 x 8 basse tension CMOS EPROM | Integrated Silicon Solution Inc |
| 296 | IS27LV020-90W | 262 114 x 8 basse tension CMOS EPROM | Integrated Silicon Solution Inc |
| 297 | IS41C16100 | RAM 16 DYNAMIQUE du 1M X (16-MBIT) AVEC LE MODE de PAGE d'EDO | Integrated Silicon Solution Inc |
| 298 | IS41C16100-50K | RAM 16 DYNAMIQUE du 1M X (16-MBIT) AVEC LE MODE de PAGE d'EDO | Integrated Silicon Solution Inc |
| 299 | IS41C16100-50KE | 5V 1m x 16 (16 Mbits) de RAM dynamique avec mode page d'Edo | Integrated Silicon Solution Inc |
| 300 | IS41C16100-50KI | RAM 16 DYNAMIQUE du 1M X (16-MBIT) AVEC LE MODE de PAGE d'EDO | Integrated Silicon Solution Inc |
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