|   Home   |   Tutti i fornitori   |   Dalla funzione   |  

Numero parte, la descrizione o il produttore contenere:    
Salto rapido a:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Datasheets ha trovato :: 1351360Pagina: << | 25649 | 25650 | 25651 | 25652 | 25653 | 25654 | 25655 | 25656 | 25657 | 25658 | 25659 | >>
No.Nome della parteDescrizioneFabbricatore
1026121PTF10125135 Watt, 1,4-1,6 Transistore Di Effetto Di Campo Del Gigahertz GOLDMOSEricsson Microelectronics
1026122PTF1013385 Watt, Transistore Di Effetto Di Campo Di 860-960 Megahertz GOLDMOSEricsson Microelectronics
1026123PTF10134100 Watt, 2,1-2,2 Transistore Di Effetto Di Campo Del Gigahertz GOLDMOSEricsson Microelectronics
1026124PTF101355 Watt, 2,0 Transistore Di Effetto Di Campo Del Gigahertz GOLDMOSEricsson Microelectronics
1026125PTF101366 Watt, 1,0 Transistore Di Effetto Di Campo Del Gigahertz GOLDMOSEricsson Microelectronics
1026126PTF1013712 Watt, 1,0 Transistore Di Effetto Di Campo Del Gigahertz GOLDMOSEricsson Microelectronics
1026127PTF1013860 Watt, Transistore Di Effetto Di Campo Di 860-960 Megahertz GOLDMOSEricsson Microelectronics
1026128PTF1013960 Watt, Transistore Di Effetto Di Campo Di 860-960 Megahertz GOLDMOSEricsson Microelectronics
1026129PTF1014970 Watt, Transistore Di Effetto Di Campo Di 921-960 Megahertz GOLDMOSEricsson Microelectronics
1026130PTF1015360 Watt, 1,8-2,0 Transistore Di Effetto Di Campo Del Gigahertz GOLDMOSEricsson Microelectronics
1026131PTF1015485 Watt, 1,93-1,99 Transistore Di Effetto Di Campo Del Gigahertz GOLDMOSEricsson Microelectronics
1026132PTF1016085 Watt, Transistore Di Effetto Di Campo Di 860-960 Megahertz GOLDMOSEricsson Microelectronics
1026133PTF10161165 Watt, Transistore Di Effetto Di Campo Di 869-894 Megahertz GOLDMOSEricsson Microelectronics
1026134PTF1016218 Watt, Transistore Di Effetto Di Campo Di 860-960 Megahertz GOLDMOSEricsson Microelectronics
1026135PTF1019312 Watt, Transistore Di Effetto Di Campo Di 860-960 Megahertz GOLDMOSEricsson Microelectronics
1026136PTF10195125 Watt, Transistore Di Effetto Di Campo Di 869-894 Megahertz GOLDMOSEricsson Microelectronics
1026137PTF10202740 Watt, Transistore Di Effetto Di Campo Di 925-960 Megahertz GOLDMOSEricsson Microelectronics
1026138PTF10202818 Watt, Transistore Di Effetto Di Campo Di 860-960 Megahertz GOLDMOSEricsson Microelectronics
1026139PTF180101Transistore Di Effetto Di Campo Di Alimentazione di LDMOS Rf 10 Con 1805-1880 Megahertz/1930-1990 Megahertz 10 Con 2110-2170 MegahertzInfineon



1026140PTF180101STransistore Di Effetto Di Campo Di Alimentazione di LDMOS Rf 10 Con 1805-1880 Megahertz/1930-1990 Megahertz 10 Con 2110-2170 MegahertzInfineon
1026141PTF180601Transistore Di Effetto Di Campo di LDMOS 60 Con La Fascia 1805-1880 Megahertz/1930-1990 Megahertz di DCS/pcsInfineon
1026142PTF180601CTransistore Di Effetto Di Campo di LDMOS 60 Con La Fascia 1805-1880 Megahertz/1930-1990 Megahertz di DCS/pcsInfineon
1026143PTF180601ETransistore Di Effetto Di Campo di LDMOS 60 Con La Fascia 1805-1880 Megahertz/1930-1990 Megahertz di DCS/pcsInfineon
1026144PTF180901EFet Di Alimentazione di GSM/edge RfInfineon
1026145PTF180901FFet Di Alimentazione di GSM/edge RfInfineon
1026146PTF181301Transistore Di Effetto Di Campo Di Alimentazione di LDMOS Rf 130 Con 1805-1880 MegahertzInfineon
1026147PTF181301ATransistore Di Effetto Di Campo Di Alimentazione di LDMOS Rf 130 Con 1805-1880 MegahertzInfineon
1026148PTF191601Transistore Di Effetto Di Campo Di Alimentazione di LDMOS Rf 160 Con 1930-1990 MegahertzInfineon
1026149PTF191601ETransistore Di Effetto Di Campo Di Alimentazione di LDMOS Rf 160 Con 1930-1990 MegahertzInfineon
1026150PTF210301Transistore Di Effetto Di Campo Di Alimentazione di LDMOS Rf 30 Con 2110-2170 MegahertzInfineon
1026151PTF210301ATransistore Di Effetto Di Campo Di Alimentazione di LDMOS Rf 30 Con 2110-2170 MegahertzInfineon
1026152PTF210301ETransistore Di Effetto Di Campo Di Alimentazione di LDMOS Rf 30 Con 2110-2170 MegahertzInfineon
1026153PTF210451Transistore Di Effetto Di Campo Di Alimentazione di LDMOS Rf 45 Con 2110-2170 MegahertzInfineon
1026154PTF210451ETransistore Di Effetto Di Campo Di Alimentazione di LDMOS Rf 45 Con 2110-2170 MegahertzInfineon
1026155PTF210901Transistore Di Effetto Di Campo Di Alimentazione di LDMOS Rf 90 Con 2110-2170 MegahertzInfineon
1026156PTF210901ETransistore Di Effetto Di Campo Di Alimentazione di LDMOS Rf 90 Con 2110-2170 MegahertzInfineon
1026157PTF211301Transistore Di Effetto Di Campo Di Alimentazione di LDMOS Rf 130 Con 2110-2170 MegahertzInfineon
1026158PTF211301ATransistore Di Effetto Di Campo Di Alimentazione di LDMOS Rf 130 Con 2110-2170 MegahertzInfineon
1026159PTF211802Transistore Di Effetto Di Campo Di Alimentazione di LDMOS Rf 180 Con 2110-2170 MegahertzInfineon
1026160PTF211802ATransistore Di Effetto Di Campo Di Alimentazione di LDMOS Rf 180 Con 2110-2170 MegahertzInfineon
Datasheets ha trovato :: 1351360Pagina: << | 25649 | 25650 | 25651 | 25652 | 25653 | 25654 | 25655 | 25656 | 25657 | 25658 | 25659 | >>
English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versión espańola para esta página Versăo portuguese para esta página Russian version Versiunea romaneasca



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com