| No. | Nome della parte | Descrizione | Fabbricatore |
| 1163761 | STD100NH03L | N-scanalatura 30V - 0,005 OHM - Mosfet di ALIMENTAZIONE Di 60A DPAK STRIPFET III | ST Microelectronics |
| 1163762 | STD100NH03LT4 | N-scanalatura 30V - 0,005 OHM - Mosfet di ALIMENTAZIONE Di 60A DPAK STRIPFET III | ST Microelectronics |
| 1163763 | STD10N60M2 | N-channel 600 V, 0,55 Ohm tip., 7,5 A MDmesh II Plus (TM) a bassa potenza Qg MOSFET in package DPAK | ST Microelectronics |
| 1163764 | STD10NF06L | Mosfet di ALIMENTAZIONE di OHM 10A DPAK STRIPFET II Della N-scanalatura 60V 0,1 | ST Microelectronics |
| 1163765 | STD10NF06L | Mosfet di ALIMENTAZIONE di OHM 10A DPAK STRIPFET II Della N-scanalatura 60V 0,1 | SGS Thomson Microelectronics |
| 1163766 | STD10NF10 | N-scanalatura 100V - 0,115 OHM - Mosfet BASSO di ALIMENTAZIONE della CARICA STRIPFET II del CANCELLO Di 1Á IPAK/dpak | ST Microelectronics |
| 1163767 | STD10NF10 | N-scanalatura 100V - 0,115 OHM - Mosfet BASSO di ALIMENTAZIONE della CARICA STRIPFET II del CANCELLO Di 1Á IPAK/dpak | SGS Thomson Microelectronics |
| 1163768 | STD10NF10T4 | N-scanalatura 100V - 0,115 OHM - Mosfet BASSO di ALIMENTAZIONE della CARICA STRIPFET II del CANCELLO Di 1Á IPAK/dpak | ST Microelectronics |
| 1163769 | STD10NF30 | Automotive-grade a canale N 300 V, 0,28 Ohm tip., 10 A MAGLIA OVERLAY (TM) MOSFET di potenza in un package DPAK | ST Microelectronics |
| 1163770 | STD10NM50N | N-channel 500 V, 0,53 Ohm, 7 A MDmesh (TM) MOSFET DPAK II | ST Microelectronics |
| 1163771 | STD10NM60N | N-channel 600 V, 0,53 Ohm, 10 A, DPAK MDmesh (TM) MOSFET Power II | ST Microelectronics |
| 1163772 | STD10NM60ND | N-channel 600 V, 0,57 Ohm, 8 A, DPAK FDmesh (TM) MOSFET Power II | ST Microelectronics |
| 1163773 | STD10NM65N | N-channel 650 V, 0,43 Ohm, 9 A, DPAK seconda generazione MDmesh (TM) MOSFET di potenza | ST Microelectronics |
| 1163774 | STD10P6F6 | P-channel 60 V, 0,13 Ohm tip., 10 A STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) MOSFET di potenza in package DPAK | ST Microelectronics |
| 1163775 | STD10PF06 | P-scanalatura 60V - 0,18 OHM - Mosfet di ALIMENTAZIONE Di 10A IPAK/dpak STRIPFET II | ST Microelectronics |
| 1163776 | STD10PF06 | P-scanalatura 60V - 0,18 OHM - Mosfet di ALIMENTAZIONE Di 10A IPAK/dpak STRIPFET II | SGS Thomson Microelectronics |
| 1163777 | STD10PF06 | P - MANICA 60V - 0,18 Ohm - Mosfet di ALIMENTAZIONE Di 10A To-252 STripFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 1163778 | STD10PF06-1 | P-scanalatura 60V - 0,18 OHM - Mosfet di ALIMENTAZIONE Di 10A IPAK/dpak STRIPFET II | ST Microelectronics |
| 1163779 | STD10PF06T4 | P-scanalatura 60V - 0,18 OHM - Mosfet di ALIMENTAZIONE Di 10A IPAK/dpak STRIPFET II | ST Microelectronics |
| 1163780 | STD110 ASIC | PLL 2013X | Samsung Electronic |
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| 1163785 | STD110NH02L | N-scanalatura 24V - 0,0044 OHM - Mosfet di ALIMENTAZIONE Di 80A DPAK STRIPFET III | ST Microelectronics |
| 1163786 | STD110NH02L | N-CHANNEL 24V - MOSFET 80A DPAK STripFET III - 0,0044 Ohm | SGS Thomson Microelectronics |
| 1163787 | STD110NH02LT4 | N-scanalatura 24V - 0,0044 OHM - Mosfet di ALIMENTAZIONE Di 80A DPAK STRIPFET III | ST Microelectronics |
| 1163788 | STD111 ASIC | Indice Del Libro | Samsung Electronic |
| 1163789 | STD111 ASIC | Introduzione | Samsung Electronic |
| 1163790 | STD111 ASIC | Caratteristiche | Samsung Electronic |
| 1163791 | STD111 ASIC | PLL 2013X | Samsung Electronic |
| 1163792 | STD11N65M2 | N-channel 650 V, 0,6 Ohm tip., 7 A MDmesh II Plus (TM) a bassa potenza Qg MOSFET in package DPAK | ST Microelectronics |
| 1163793 | STD11N65M5 | N-channel 650 V, 0,43 Ohm, 9 A MDmesh (TM) V MOSFET di potenza in package DPAK | ST Microelectronics |
| 1163794 | STD11NM50N | N-channel 500 V, 0.4 Ohm, 8,5 A MDmesh (TM) II Potenza MOSFET in DPAK | ST Microelectronics |
| 1163795 | STD11NM60N | N-channel 600 V, 0,37 Ohm, 10 A MDmesh (TM) II Potenza MOSFET in un pacchetto DPAK | ST Microelectronics |
| 1163796 | STD11NM60ND | N-channel 600V - 0.37Ohm - 10A - FDmesh II Potenza MOSFET DPAK | ST Microelectronics |
| 1163797 | STD11NM65N | N-channel 650 V, 0.425 Ohm tip., 11 A MDmesh (TM) II Potenza MOSFET in package DPAK | ST Microelectronics |
| 1163798 | STD120N4F6 | N-channel 40 V, 3,5 mOhm, 80 A, DPAK, STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) MOSFET di potenza | ST Microelectronics |
| 1163799 | STD120N4LF6 | N-channel 40 V, 3,1 mOhm, 80 A, DPAK STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) MOSFET di potenza | ST Microelectronics |
| 1163800 | STD1224N | Transistore Di Effetto Di Campo Di Modo Di Aumento Della N-Scanalatura | SamHop Microelectronics Corp. |
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