| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 1163761 | STD100NH03L | N-canal 30V - 0,005 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA De 60A DPAK STRIPFET III | ST Microelectronics |
| 1163762 | STD100NH03LT4 | N-canal 30V - 0,005 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA De 60A DPAK STRIPFET III | ST Microelectronics |
| 1163763 | STD10N60M2 | Canal N 600 V, 0,55 Ohm tip., 7,5 A MDmesh II Plus (TM) bajo Qg Power MOSFET en paquete DPAK | ST Microelectronics |
| 1163764 | STD10NF06L | Mosfet de la ENERGÍA del OHMIO 10A DPAK STRIPFET II Del N-canal 60V 0,1 | ST Microelectronics |
| 1163765 | STD10NF06L | Mosfet de la ENERGÍA del OHMIO 10A DPAK STRIPFET II Del N-canal 60V 0,1 | SGS Thomson Microelectronics |
| 1163766 | STD10NF10 | N-canal 100V - 0,115 OHMIOS - Mosfet BAJO de la ENERGÍA de la CARGA STRIPFET II de la PUERTA Del 1Á IPAK/DPAK | ST Microelectronics |
| 1163767 | STD10NF10 | N-canal 100V - 0,115 OHMIOS - Mosfet BAJO de la ENERGÍA de la CARGA STRIPFET II de la PUERTA Del 1Á IPAK/DPAK | SGS Thomson Microelectronics |
| 1163768 | STD10NF10T4 | N-canal 100V - 0,115 OHMIOS - Mosfet BAJO de la ENERGÍA de la CARGA STRIPFET II de la PUERTA Del 1Á IPAK/DPAK | ST Microelectronics |
| 1163769 | STD10NF30 | Automotive grado de canal N 300 V, 0,28 Ohm tip., 10 A MESH OVERLAY (TM) MOSFET de potencia en un paquete DPAK | ST Microelectronics |
| 1163770 | STD10NM50N | Canal N 500 V, 0,53 Ohm, 7 A DPAK MDmesh (TM) II Power MOSFET | ST Microelectronics |
| 1163771 | STD10NM60N | Canal N 600 V, 0,53 Ohm, 10 A, DPAK MDmesh (TM) II Power MOSFET | ST Microelectronics |
| 1163772 | STD10NM60ND | Canal N 600 V, 0,57 Ohm, 8 A, DPAK FDmesh (TM) II Power MOSFET | ST Microelectronics |
| 1163773 | STD10NM65N | Canal N 650 V, 0,43 Ohm, 9 A, DPAK segunda generación MDmesh (TM) MOSFET | ST Microelectronics |
| 1163774 | STD10P6F6 | P-canal 60 V, 0.13 Ohm tip., 10 A STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) MOSFET de potencia en el paquete DPAK | ST Microelectronics |
| 1163775 | STD10PF06 | P-canal 60V - 0,18 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA De 10A IPAK/DPAK STRIPFET II | ST Microelectronics |
| 1163776 | STD10PF06 | P-canal 60V - 0,18 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA De 10A IPAK/DPAK STRIPFET II | SGS Thomson Microelectronics |
| 1163777 | STD10PF06 | P - CANAL 60V - 0,18 Ohmios - Mosfet de la ENERGÍA De 10A To-252 STripFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 1163778 | STD10PF06-1 | P-canal 60V - 0,18 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA De 10A IPAK/DPAK STRIPFET II | ST Microelectronics |
| 1163779 | STD10PF06T4 | P-canal 60V - 0,18 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA De 10A IPAK/DPAK STRIPFET II | ST Microelectronics |
| 1163780 | STD110 ASIC | PLL 2013X | Samsung Electronic |
| 1163781 | STD110 ASIC | Contenido Del Libro | Samsung Electronic |
| 1163782 | STD110 ASIC | Características | Samsung Electronic |
| 1163783 | STD110 ASIC | Sobre Sec ASIC | Samsung Electronic |
| 1163784 | STD110 ASIC | Introducción | Samsung Electronic |
| 1163785 | STD110NH02L | N-canal 24V - 0,0044 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA De 80A DPAK STRIPFET III | ST Microelectronics |
| 1163786 | STD110NH02L | N-canal 24V - MOSFET de potencia 80A DPAK STripFET III - 0,0044 Ohm | SGS Thomson Microelectronics |
| 1163787 | STD110NH02LT4 | N-canal 24V - 0,0044 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA De 80A DPAK STRIPFET III | ST Microelectronics |
| 1163788 | STD111 ASIC | Contenido Del Libro | Samsung Electronic |
| 1163789 | STD111 ASIC | Introducción | Samsung Electronic |
| 1163790 | STD111 ASIC | Características | Samsung Electronic |
| 1163791 | STD111 ASIC | PLL 2013X | Samsung Electronic |
| 1163792 | STD11N65M2 | Canal N 650 V, 0.6 Ohm tip., 7 A MDmesh II Plus (TM) bajo Qg Power MOSFET en paquete DPAK | ST Microelectronics |
| 1163793 | STD11N65M5 | Canal N 650 V, 0,43 Ohm, 9 A MDmesh (TM) V MOSFET de potencia en el paquete DPAK | ST Microelectronics |
| 1163794 | STD11NM50N | Canal N 500 V, 0,4 Ohm, 8.5 A MDmesh (TM) II Power MOSFET en DPAK | ST Microelectronics |
| 1163795 | STD11NM60N | Canal N 600 V, 0,37 Ohm, 10 A MDmesh (TM) II Power MOSFET en un paquete DPAK | ST Microelectronics |
| 1163796 | STD11NM60ND | N-canal 600V - 0.37Ohm - 10A - FDmesh II Power MOSFET DPAK | ST Microelectronics |
| 1163797 | STD11NM65N | Canal N 650 V, 0.425 Ohm tip., 11 A MDmesh (TM) II Power MOSFET en paquete DPAK | ST Microelectronics |
| 1163798 | STD120N4F6 | Canal N 40 V, 3.5 mOhm, 80 A, DPAK, STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) MOSFET | ST Microelectronics |
| 1163799 | STD120N4LF6 | N-canal 40 V, 3.1 mOhm, 80 A, DPAK STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) MOSFET | ST Microelectronics |
| 1163800 | STD1224N | Transistor De Efecto De Campo Del Modo Del Realce Del N-Canal | SamHop Microelectronics Corp. |
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