1 | Supresores | AUK Corp |
1163810 | STD12N05 | VIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-en | ST Microelectronics |
1163811 | STD12N05 | N - TRANSISTOR Del MOS De la ENERGÍA Del MODO Del REALCE Del CANAL | SGS Thomson Microelectronics |
1163812 | STD12N05 | VIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-en | SGS Thomson Microelectronics |
1163813 | STD12N05L | VIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-en | ST Microelectronics |
1163814 | STD12N05L | N - TRANSISTOR BAJO Del MOS De la ENERGÍA Del UMBRAL Del MODO Del REALCE Del CANAL | SGS Thomson Microelectronics |
1163815 | STD12N05L | VIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-en | SGS Thomson Microelectronics |
1163816 | STD12N06 | VIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-en | ST Microelectronics |
1163817 | STD12N06 | VIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-en | SGS Thomson Microelectronics |
1163818 | STD12N06 | N - TRANSISTOR Del MOS De la ENERGÍA Del MODO Del REALCE Del CANAL | SGS Thomson Microelectronics |
1163819 | STD12N06L | VIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-en | ST Microelectronics |
1163820 | STD12N06L | VIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-en | SGS Thomson Microelectronics |
1163821 | STD12N06L | N - TRANSISTOR BAJO Del MOS De la ENERGÍA Del UMBRAL Del MODO Del REALCE Del CANAL | SGS Thomson Microelectronics |
1163822 | STD12N10L | VIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-en | ST Microelectronics |
1163823 | STD12N10L | VIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-en | SGS Thomson Microelectronics |
1163824 | STD12N10L | N - CANAL 100V - 0,12 Ohmios - TRANSISTOR BAJO del MOS de la ENERGÍA del UMBRAL Del 1À To-252 | SGS Thomson Microelectronics |
1163825 | STD12N65M5 | Canal N 650 V, 0,39 Ohm, 8.5 A MDmesh (TM) V Power MOSFET DPAK | ST Microelectronics |
1163826 | STD12NE06 | N - CANAL 60V - 0,08 Ohmios - 1À - IPAK/DPAK ESCOGE EL Mosfet de la ENERGÍA del TAMAÑO de la CARACTERÍSTICA | SGS Thomson Microelectronics |
1163827 | STD12NE06L | N-canal 60V - 0,09 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA Del 1À IPAK/DPAK STRIPFET | ST Microelectronics |
1163828 | STD12NE06L | N-canal 60V - 0,09 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA Del 1À IPAK/DPAK STRIPFET | SGS Thomson Microelectronics |
1163829 | STD12NE06L | N - CANAL 60V - 0,09 Ohmios - Mosfet de la ENERGÍA Del 1À To-251/to-252 STripFET | SGS Thomson Microelectronics |
1163830 | STD12NF06 | N-canal 60V - 0,08 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA Del 1À IPAK/DPAK STRIPFET II | ST Microelectronics |
1163831 | STD12NF06 | N-canal 60V - 0,08 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA Del 1À IPAK/DPAK STRIPFET II | SGS Thomson Microelectronics |
1163832 | STD12NF06-1 | N-canal 60V - 0,08 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA Del 1À IPAK/DPAK STRIPFET II | ST Microelectronics |
1163833 | STD12NF06L | N-canal 60V - 0,08 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA Del 1À IPAK/DPAK STRIPFET II | ST Microelectronics |
1163834 | STD12NF06L | N-canal 60V - 0,08 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA Del 1À IPAK/DPAK STRIPFET II | SGS Thomson Microelectronics |
1163835 | STD12NF06L-1 | N-canal 60V - 0,08 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA Del 1À IPAK/DPAK STRIPFET II | ST Microelectronics |
1163836 | STD12NF06LT4 | N-canal 60V - 0,08 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA Del 1À IPAK/DPAK STRIPFET II | ST Microelectronics |
1163837 | STD12NF06T4 | N-canal 60V - 0,08 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA Del 1À IPAK/DPAK STRIPFET II | ST Microelectronics |
1163838 | STD12NM50ND | Canal N 500 V, 0,29 Ohm tip., 11 A FDmesh (TM) II Power MOSFET (con diodo rápido) en el paquete DPAK | ST Microelectronics |
1163839 | STD130 ASIC | Contenido Del Libro | Samsung Electronic |
1163840 | STD130 ASIC | Introducción | Samsung Electronic |
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