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Nr.Nombre de la ParteDescripciónFabricante
1163801STD1224NTransistor De Efecto De Campo Del Modo Del Realce Del N-CanalSamHop Microelectronics Corp.
1163802STD1224NTransistor De Efecto De Campo Del Modo Del Realce Del N-CanalSamHop Microelectronics Corp.
1163803STD123ASFequiv="content-type" content="text/html; charset=UTF-8">
1SupresoresAUK Corp
1163804STD123Sequiv="content-type" content="text/html; charset=UTF-8">
1SupresoresAUK Corp
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1SupresoresAUK Corp
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1SupresoresAUK Corp
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1SupresoresAUK Corp
1163808STD127DT4Alta tensión de conmutación rápida transistor NPN de potenciaST Microelectronics
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1SupresoresAUK Corp
1163810STD12N05VIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-enST Microelectronics
1163811STD12N05N - TRANSISTOR Del MOS De la ENERGÍA Del MODO Del REALCE Del CANALSGS Thomson Microelectronics
1163812STD12N05VIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-enSGS Thomson Microelectronics
1163813STD12N05LVIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-enST Microelectronics
1163814STD12N05LN - TRANSISTOR BAJO Del MOS De la ENERGÍA Del UMBRAL Del MODO Del REALCE Del CANALSGS Thomson Microelectronics
1163815STD12N05LVIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-enSGS Thomson Microelectronics
1163816STD12N06VIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-enST Microelectronics
1163817STD12N06VIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-enSGS Thomson Microelectronics
1163818STD12N06N - TRANSISTOR Del MOS De la ENERGÍA Del MODO Del REALCE Del CANALSGS Thomson Microelectronics



1163819STD12N06LVIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-enST Microelectronics
1163820STD12N06LVIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-enSGS Thomson Microelectronics
1163821STD12N06LN - TRANSISTOR BAJO Del MOS De la ENERGÍA Del UMBRAL Del MODO Del REALCE Del CANALSGS Thomson Microelectronics
1163822STD12N10LVIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-enST Microelectronics
1163823STD12N10LVIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-enSGS Thomson Microelectronics
1163824STD12N10LN - CANAL 100V - 0,12 Ohmios - TRANSISTOR BAJO del MOS de la ENERGÍA del UMBRAL Del 1À To-252SGS Thomson Microelectronics
1163825STD12N65M5Canal N 650 V, 0,39 Ohm, 8.5 A MDmesh (TM) V Power MOSFET DPAKST Microelectronics
1163826STD12NE06N - CANAL 60V - 0,08 Ohmios - 1À - IPAK/DPAK ESCOGE EL Mosfet de la ENERGÍA del TAMAÑO de la CARACTERÍSTICASGS Thomson Microelectronics
1163827STD12NE06LN-canal 60V - 0,09 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA Del 1À IPAK/DPAK STRIPFETST Microelectronics
1163828STD12NE06LN-canal 60V - 0,09 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA Del 1À IPAK/DPAK STRIPFETSGS Thomson Microelectronics
1163829STD12NE06LN - CANAL 60V - 0,09 Ohmios - Mosfet de la ENERGÍA Del 1À To-251/to-252 STripFETSGS Thomson Microelectronics
1163830STD12NF06N-canal 60V - 0,08 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA Del 1À IPAK/DPAK STRIPFET IIST Microelectronics
1163831STD12NF06N-canal 60V - 0,08 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA Del 1À IPAK/DPAK STRIPFET IISGS Thomson Microelectronics
1163832STD12NF06-1N-canal 60V - 0,08 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA Del 1À IPAK/DPAK STRIPFET IIST Microelectronics
1163833STD12NF06LN-canal 60V - 0,08 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA Del 1À IPAK/DPAK STRIPFET IIST Microelectronics
1163834STD12NF06LN-canal 60V - 0,08 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA Del 1À IPAK/DPAK STRIPFET IISGS Thomson Microelectronics
1163835STD12NF06L-1N-canal 60V - 0,08 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA Del 1À IPAK/DPAK STRIPFET IIST Microelectronics
1163836STD12NF06LT4N-canal 60V - 0,08 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA Del 1À IPAK/DPAK STRIPFET IIST Microelectronics
1163837STD12NF06T4N-canal 60V - 0,08 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA Del 1À IPAK/DPAK STRIPFET IIST Microelectronics
1163838STD12NM50NDCanal N 500 V, 0,29 Ohm tip., 11 A FDmesh (TM) II Power MOSFET (con diodo rápido) en el paquete DPAKST Microelectronics
1163839STD130 ASICContenido Del LibroSamsung Electronic
1163840STD130 ASICIntroducciónSamsung Electronic
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