| No. | Nome della parte | Descrizione | Fabbricatore |
| 21881 | 1N5230A | Zener Voltage Regulator Diode | Microsemi |
| 21882 | 1N5230A (DO-35) | Diodo Dello Stabilizzatore di tensione Di Zener | Microsemi |
| 21883 | 1N5230A (DO7) | Diodo Dello Stabilizzatore di tensione Di Zener | Microsemi |
| 21884 | 1N5230AUR-1 | Metallurgicamente montaggio superficie di vetro incollato 500 mW zener. Tensione Zener nominale 4,7 V. Tolleranza + -10%. | Microsemi |
| 21885 | 1N5230B | Watt Mezzo Zeners | National Semiconductor |
| 21886 | 1N5230B | Zeners | Fairchild Semiconductor |
| 21887 | 1N5230B | Diodi Zener Del Silicone | Vishay |
| 21888 | 1N5230B | Diodi Zener | Diodes |
| 21889 | 1N5230B | Diodi Zener per il gruppo di alimentazione stabilizzato | Hitachi Semiconductor |
| 21890 | 1N5230B | Diodo Zener Epitassiale 500mw | Comchip Technology |
| 21891 | 1N5230B | DIODO ZENER 2,4 VOLT CON 200VOLTS 500MCL, TOLLERANZA DI 5% | Central Semiconductor |
| 21892 | 1N5230B | Diodo Zener | Formosa MS |
| 21893 | 1N5230B | DIODI ZENER DI SERIE ÇN52 | Leshan Radio Company |
| 21894 | 1N5230B | Diodi dello stabilizzatore di tensione | Philips |
| 21895 | 1N5230B | DIODO ZENER DO-35 DI 500MCW 5% | Rectron Semiconductor |
| 21896 | 1N5230B | CARATTERISTICHE TECNICHE DEI DIODI ZENER DI VETRO DEL SILICONE | DC Components |
| 21897 | 1N5230B | Diodes>Zener | Renesas |
| 21898 | 1N5230B | 4.7V 500 mW diodo Zener | Continental Device India Limited |
| 21899 | 1N5230B | 500 milliwatt silicio vetro diodo Zener, tensione di zener 4.7V | Motorola |
| 21900 | 1N5230B | Zener Voltage Regulator Diode | Microsemi |
| 21901 | 1N5230B (DO-35) | Diodo Dello Stabilizzatore di tensione Di Zener | Microsemi |
| 21902 | 1N5230B (DO7) | Diodo Dello Stabilizzatore di tensione Di Zener | Microsemi |
| 21903 | 1N5230B-G | Diodi Zener, P D = 0,5 W., V Z = 4.7V | Comchip Technology |
| 21904 | 1N5230B-LCC3 | DIODO DELLO STABILIZZATORE DI TENSIONE DI ZENER IN PACCHETTO DI SUPERFICIE DI CERAMICA ERMETICO DEL SUPPORTO PER LE ALTE APPLICAZIONI DI AFFIDABILITÀ | SemeLAB |
| 21905 | 1N5230BTR | 4.7V, 0.5W Zener Diode | Fairchild Semiconductor |
| 21906 | 1N5230BUR-1 | Metallurgicamente montaggio superficie di vetro incollato 500 mW zener. Tensione Zener nominale 4,7 V. Tolleranza + -5%. | Microsemi |
| 21907 | 1N5230B_T26A | 4.3V, 0.5W Zener Diode | Fairchild Semiconductor |
| 21908 | 1N5230B_T50A | 4.7V, 0.5W Zener Diode | Fairchild Semiconductor |
| 21909 | 1N5230B_T50R | 4.7V, 0.5W Zener Diode | Fairchild Semiconductor |
| 21910 | 1N5230C | 4.7 V, 20 mA, diodo zener | Leshan Radio Company |
| 21911 | 1N5230D | 4.7 V, 20 mA, diodo zener | Leshan Radio Company |
| 21912 | 1N5230UR-1 | Metallurgicamente montaggio superficie di vetro incollato 500 mW zener. Tensione Zener nominale 4.7 V. | Microsemi |
| 21913 | 1N5231 | DIODI ZENER | General Semiconductor |
| 21914 | 1N5231 | 0.5W SILICON PLANAR ZENER DIODES | Chenyi Electronics |
| 21915 | 1N5231 | Diodi Zener Planari Del Silicone | Honey Technology |
| 21916 | 1N5231 | DIODI ZENER PLANARI DEL SILICONE | GOOD-ARK Electronics |
| 21917 | 1N5231 | i diodi Zener da 500 Mw 2,4 - 200 volt | Micro Commercial Components |
| 21918 | 1N5231 | DIODO DELLO STABILIZZATORE DI TENSIONE DI ZENER IN PACCHETTO DI SUPERFICIE DI CERAMICA ERMETICO DEL SUPPORTO PER LE ALTE APPLICAZIONI DI AFFIDABILITÀ | SemeLAB |
| 21919 | 1N5231 | DIODI ZENER PLANARI DEL SILICONE | Surge Components |
| 21920 | 1N5231 | SILICONE 500 DIODI ZENER di Mw | Microsemi |
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