| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 21881 | 1N5230A | Zener régulateur de tension Diode | Microsemi |
| 21882 | 1N5230A (DO-35) | Diode De Régulateur De Tension De Zener | Microsemi |
| 21883 | 1N5230A (DO7) | Diode De Régulateur De Tension De Zener | Microsemi |
| 21884 | 1N5230AUR-1 | Métallurgique surface de verre destrier 500 mW Zener. Tension Zener nominale de 4,7 V. Tolérance + -10%. | Microsemi |
| 21885 | 1N5230B | Demi De Watt Zeners | National Semiconductor |
| 21886 | 1N5230B | Zeners | Fairchild Semiconductor |
| 21887 | 1N5230B | Diodes Zener De Silicium | Vishay |
| 21888 | 1N5230B | Diodes Zener | Diodes |
| 21889 | 1N5230B | Diodes Zener pour l'alimentation d'énergie stabilisée | Hitachi Semiconductor |
| 21890 | 1N5230B | Diode Zener 500mw Épitaxiale | Comchip Technology |
| 21891 | 1N5230B | DIODE ZENER 2,4 VOLTS PAR 200VOLTS 500MCL, TOLÉRANCE DE 5% | Central Semiconductor |
| 21892 | 1N5230B | Diode Zener | Formosa MS |
| 21893 | 1N5230B | DIODES ZENER DE LA SÉRIE ÇN52 | Leshan Radio Company |
| 21894 | 1N5230B | Diodes de régulateur de tension | Philips |
| 21895 | 1N5230B | DIODE ZENER DO-35 DE 500MCW 5% | Rectron Semiconductor |
| 21896 | 1N5230B | CARACTÉRISTIQUES TECHNIQUES DES DIODES ZENER DE VERRE DE SILICIUM | DC Components |
| 21897 | 1N5230B | Diodes>Zener | Renesas |
| 21898 | 1N5230B | 4.7V 500 mW Diode Zener | Continental Device India Limited |
| 21899 | 1N5230B | 500 milliwatts diode Zener de silicium de verre, la tension de Zener de 4,7 V | Motorola |
| 21900 | 1N5230B | Zener régulateur de tension Diode | Microsemi |
| 21901 | 1N5230B (DO-35) | Diode De Régulateur De Tension De Zener | Microsemi |
| 21902 | 1N5230B (DO7) | Diode De Régulateur De Tension De Zener | Microsemi |
| 21903 | 1N5230B-G | Diodes Zener, P D = 0,5 watts, V Z = 4,7V | Comchip Technology |
| 21904 | 1N5230B-LCC3 | DIODE DE RÉGULATEUR DE TENSION DE ZENER EN PAQUET EXTÉRIEUR EN CÉRAMIQUE HERMÉTIQUE DE BÂTI POUR DES APPLICATIONS ÉLEVÉES DE FIABILITÉ | SemeLAB |
| 21905 | 1N5230BTR | 4.7V, Diode Zener 0.5W | Fairchild Semiconductor |
| 21906 | 1N5230BUR-1 | Métallurgique surface de verre destrier 500 mW Zener. Tension Zener nominale de 4,7 V. Tolérance + -5%. | Microsemi |
| 21907 | 1N5230B_T26A | 4.3V, Diode Zener 0.5W | Fairchild Semiconductor |
| 21908 | 1N5230B_T50A | 4.7V, Diode Zener 0.5W | Fairchild Semiconductor |
| 21909 | 1N5230B_T50R | 4.7V, Diode Zener 0.5W | Fairchild Semiconductor |
| 21910 | 1N5230C | 4,7 V, 20 mA, la diode zener | Leshan Radio Company |
| 21911 | 1N5230D | 4,7 V, 20 mA, la diode zener | Leshan Radio Company |
| 21912 | 1N5230UR-1 | Métallurgique surface de verre destrier 500 mW Zener. Nominale tension Zener de 4,7 V. | Microsemi |
| 21913 | 1N5231 | DIODES ZENER | General Semiconductor |
| 21914 | 1N5231 | DIODES ZENER PLANAIRES DU SILICIUM 0.5cW | Chenyi Electronics |
| 21915 | 1N5231 | Diodes Zener Planaires De Silicium | Honey Technology |
| 21916 | 1N5231 | DIODES ZENER PLANAIRES DE SILICIUM | GOOD-ARK Electronics |
| 21917 | 1N5231 | diode Zener de 500 mW 2,4 à 200 volts | Micro Commercial Components |
| 21918 | 1N5231 | DIODE DE RÉGULATEUR DE TENSION DE ZENER EN PAQUET EXTÉRIEUR EN CÉRAMIQUE HERMÉTIQUE DE BÂTI POUR DES APPLICATIONS ÉLEVÉES DE FIABILITÉ | SemeLAB |
| 21919 | 1N5231 | DIODES ZENER PLANAIRES DE SILICIUM | Surge Components |
| 21920 | 1N5231 | SILICIUM 500 DIODES ZENER de mW | Microsemi |
| | | |
