| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 21761 | 1N5227B | DIODE ZENER DO-35 DE 500MCW 5% | Rectron Semiconductor |
| 21762 | 1N5227B | CARACTÉRISTIQUES TECHNIQUES DES DIODES ZENER DE VERRE DE SILICIUM | DC Components |
| 21763 | 1N5227B | Diodes>Zener | Renesas |
| 21764 | 1N5227B | 3.6V 500 mW Diode Zener | Continental Device India Limited |
| 21765 | 1N5227B | 500 milliwatts diode Zener de silicium de verre, la tension de Zener de 3,6 V | Motorola |
| 21766 | 1N5227B | Zener régulateur de tension Diode | Microsemi |
| 21767 | 1N5227B (DO-35) | Diode De Régulateur De Tension De Zener | Microsemi |
| 21768 | 1N5227B (DO7) | Diode De Régulateur De Tension De Zener | Microsemi |
| 21769 | 1N5227B-G | Diodes Zener, P D = 0,5 watts, V Z = 3.6V | Comchip Technology |
| 21770 | 1N5227B-LCC3 | DIODE DE RÉGULATEUR DE TENSION DE ZENER EN PAQUET EXTÉRIEUR EN CÉRAMIQUE HERMÉTIQUE DE BÂTI POUR DES APPLICATIONS ÉLEVÉES DE FIABILITÉ | SemeLAB |
| 21771 | 1N5227BTR | 3.6V, Diode Zener 0.5W | Fairchild Semiconductor |
| 21772 | 1N5227BUR-1 | Métallurgique surface de verre destrier 500 mW Zener. Tension Zener nominale de 3,6 V. Tolérance + -5%. | Microsemi |
| 21773 | 1N5227B_T50A | 3.6V, Diode Zener 0.5W | Fairchild Semiconductor |
| 21774 | 1N5227B_T50R | 3.6V, Diode Zener 0.5W | Fairchild Semiconductor |
| 21775 | 1N5227C | 3,6 V, 20 mA, la diode zener | Leshan Radio Company |
| 21776 | 1N5227D | 3,6 V, 20 mA, la diode zener | Leshan Radio Company |
| 21777 | 1N5227UR-1 | Métallurgique surface de verre destrier 500 mW Zener. Nominale tension Zener de 3,6 V. | Microsemi |
| 21778 | 1N5228 | DIODES ZENER | General Semiconductor |
| 21779 | 1N5228 | DIODES ZENER PLANAIRES DU SILICIUM 0.5cW | Chenyi Electronics |
| 21780 | 1N5228 | Diodes Zener Planaires De Silicium | Honey Technology |
| 21781 | 1N5228 | DIODES ZENER PLANAIRES DE SILICIUM | GOOD-ARK Electronics |
| 21782 | 1N5228 | diode Zener de 500 mW 2,4 à 200 volts | Micro Commercial Components |
| 21783 | 1N5228 | DIODE DE RÉGULATEUR DE TENSION DE ZENER EN PAQUET EXTÉRIEUR EN CÉRAMIQUE HERMÉTIQUE DE BÂTI POUR DES APPLICATIONS ÉLEVÉES DE FIABILITÉ | SemeLAB |
| 21784 | 1N5228 | DIODES ZENER PLANAIRES DE SILICIUM | Surge Components |
| 21785 | 1N5228 | SILICIUM 500 DIODES ZENER de mW | Microsemi |
| 21786 | 1N5228 | DIODES ZENER PLANAIRES DE SILICIUM | Semtech |
| 21787 | 1N5228 | DIODES ZENER PLANAIRES DU SILICIUM 0.5cW | Shanghai Sunrise Electronics |
| 21788 | 1N5228 | 500 mW diode Zener de silicium. Nominale tension Zener de 3,9 V. | Fairchild Semiconductor |
| 21789 | 1N5228 | Pd = 500mW, Vz = 3,9V diode Zener | MCC |
| 21790 | 1N5228A | 3,9 V, 20 mA, la diode zener | Leshan Radio Company |
| 21791 | 1N5228A | Zener régulateur de tension Diode | Microsemi |
| 21792 | 1N5228A (DO-35) | Diode De Régulateur De Tension De Zener | Microsemi |
| 21793 | 1N5228A (DO7) | Diode De Régulateur De Tension De Zener | Microsemi |
| 21794 | 1N5228AUR-1 | Métallurgique surface de verre destrier 500 mW Zener. Tension Zener nominale de 3,9 V. Tolérance + -10%. | Microsemi |
| 21795 | 1N5228B | Demi De Watt Zeners | National Semiconductor |
| 21796 | 1N5228B | Zeners | Fairchild Semiconductor |
| 21797 | 1N5228B | Diodes Zener De Silicium | Vishay |
| 21798 | 1N5228B | Diodes Zener | Diodes |
| 21799 | 1N5228B | Diodes Zener pour l'alimentation d'énergie stabilisée | Hitachi Semiconductor |
| 21800 | 1N5228B | Diode Zener 500mw Épitaxiale | Comchip Technology |
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