| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 1176081 | STP36N06 | N - TRANSISTOR De MOS De PUISSANCE De MODE De PERFECTIONNEMENT De la MANCHE | SGS Thomson Microelectronics |
| 1176082 | STP36N06 | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | SGS Thomson Microelectronics |
| 1176083 | STP36N06FI | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | ST Microelectronics |
| 1176084 | STP36N06FI | N - TRANSISTOR De MOS De PUISSANCE De MODE De PERFECTIONNEMENT De la MANCHE | SGS Thomson Microelectronics |
| 1176085 | STP36N06FI | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | SGS Thomson Microelectronics |
| 1176086 | STP36N06L | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | ST Microelectronics |
| 1176087 | STP36N06L | N - TRANSISTOR De MOS De PUISSANCE De MODE De PERFECTIONNEMENT De la MANCHE | SGS Thomson Microelectronics |
| 1176088 | STP36N06L | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | SGS Thomson Microelectronics |
| 1176089 | STP36N06LFI | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | ST Microelectronics |
| 1176090 | STP36N06LFI | N - TRANSISTOR De MOS De PUISSANCE De MODE De PERFECTIONNEMENT De la MANCHE | SGS Thomson Microelectronics |
| 1176091 | STP36N06LFI | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | SGS Thomson Microelectronics |
| 1176092 | STP36N55M5 | N-canal 550 V, 0,06 Ohm, 33 A, MDmesh (TM) V MOSFET de puissance dans TO-220 paquet | ST Microelectronics |
| 1176093 | STP36NE06 | N-canal - 60V - 0,032 OHMS - 3Ã - Transistor MOSFET de PUISSANCE De To-220/to-220fp STRIPFET | ST Microelectronics |
| 1176094 | STP36NE06 | N - la MANCHE 60V - 0,032 Ohms - 3Ã - Transistor MOSFET de PUISSANCE De To-220/to-220fp STripFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 1176095 | STP36NE06 | N-canal - 60V - 0,032 OHMS - 3Ã - Transistor MOSFET de PUISSANCE De To-220/to-220fp STRIPFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 1176096 | STP36NE06FP | N-canal - 60V - 0,032 OHMS - 3Ã - Transistor MOSFET de PUISSANCE De To-220/to-220fp STRIPFET | ST Microelectronics |
| 1176097 | STP36NE06FP | N-canal - 60V - 0,032 OHMS - 3Ã - Transistor MOSFET de PUISSANCE De To-220/to-220fp STRIPFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 1176098 | STP36NF03L | Transistor MOSFET de PUISSANCE de la CHARGE STRIPFET de PORTE de l'cOhm -3Ã To-220 Du N-canal 30V 0,015 BAS | ST Microelectronics |
| 1176099 | STP36NF03L | Transistor MOSFET de PUISSANCE de la CHARGE STRIPFET de PORTE de l'cOhm -3Ã To-220 Du N-canal 30V 0,015 BAS | SGS Thomson Microelectronics |
| 1176100 | STP36NF03L | N-canal 30V - 0,015 Ohms - BAS Transistor MOSFET de PUISSANCE De STripFET de CHARGE de PORTE De 3Ã To-220 | SGS Thomson Microelectronics |
| 1176101 | STP36NF06 | N-canal 60V - 0,032 OHMS - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 30A To-220/to-220fp STRIPFET II | ST Microelectronics |
| 1176102 | STP36NF06FP | N-canal 60V - 0,032 OHMS - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 30A To-220/to-220fp STRIPFET II | ST Microelectronics |
| 1176103 | STP36NF06L | N-canal 60V - 0,032 OHMS - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 30A D2pak/to-220 STRIPFET II | ST Microelectronics |
| 1176104 | STP38N06 | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | ST Microelectronics |
| 1176105 | STP38N06 | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | SGS Thomson Microelectronics |
| 1176106 | STP38N06 | N - TRANSISTOR de MOS de PUISSANCE De DENSITYö De öULTRA de MODE de PERFECTIONNEMENT de la MANCHE HAUT | SGS Thomson Microelectronics |
| 1176107 | STP38N65M5 | N-canal 650 V, 0,073 Ohm typ., 30 A MDmesh (TM) V MOSFET de puissance dans TO-220 paquet | ST Microelectronics |
| 1176108 | STP3HNK90Z | N-canal 900V - 3.öhm - Á - Transistor MOSFET de PUISSANCE de SUPERMESH Zener-protégé Par To-220/to-220fp | ST Microelectronics |
| 1176109 | STP3LN62K3 | N-canal 620 V, 2,5 Ohm, 2,5 A SuperMESH3 (TM) MOSFET de puissance TO-220 | ST Microelectronics |
| 1176110 | STP3N100 | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | ST Microelectronics |
| 1176111 | STP3N100 | N - MODE De PERFECTIONNEMENT De la MANCHE, TRANSISTOR De MOS De PUISSANCE | SGS Thomson Microelectronics |
| 1176112 | STP3N100 | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | SGS Thomson Microelectronics |
| 1176113 | STP3N100FI | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | ST Microelectronics |
| 1176114 | STP3N100FI | N - MODE De PERFECTIONNEMENT De la MANCHE, TRANSISTOR De MOS De PUISSANCE | SGS Thomson Microelectronics |
| 1176115 | STP3N100FI | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | SGS Thomson Microelectronics |
| 1176116 | STP3N150 | Canal N 1500 V, 6 Ohm typ., 2,5 A PowerMESH (TM) MOSFET de puissance dans TO-220 paquet | ST Microelectronics |
| 1176117 | STP3N80K5 | N-canal 800 V, 2,8 Ohm typ., 2,5 Zener protégées SuperMESH (TM) 5 MOSFET de puissance dans TO-220 paquet | ST Microelectronics |
| 1176118 | STP3NA100 | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | ST Microelectronics |
| 1176119 | STP3NA100 | N - MODE De PERFECTIONNEMENT De la MANCHE, TRANSISTOR RAPIDE De MOS De PUISSANCE | SGS Thomson Microelectronics |
| 1176120 | STP3NA100 | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | SGS Thomson Microelectronics |
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