| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 1176081 | STP36N06 | N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOS TRANSISTOR | SGS Thomson Microelectronics |
| 1176082 | STP36N06 | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
| 1176083 | STP36N06FI | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 1176084 | STP36N06FI | N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOS TRANSISTOR | SGS Thomson Microelectronics |
| 1176085 | STP36N06FI | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
| 1176086 | STP36N06L | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 1176087 | STP36N06L | N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOS TRANSISTOR | SGS Thomson Microelectronics |
| 1176088 | STP36N06L | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
| 1176089 | STP36N06LFI | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 1176090 | STP36N06LFI | N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOS TRANSISTOR | SGS Thomson Microelectronics |
| 1176091 | STP36N06LFI | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
| 1176092 | STP36N55M5 | N-Kanal 550 V, 0,06 Ohm, 33 A, MDmesh (TM) V-Leistungs-MOSFETs in TO-220-Gehäuse | ST Microelectronics |
| 1176093 | STP36NE06 | N-CHANNEL - 60V - 0.032 OHM - 36A - TO-220/TO-220FP STRIPFET ENERGIE MOSFET | ST Microelectronics |
| 1176094 | STP36NE06 | N - FÜHRUNG 60V - 0.032 Ohm - 36A - TO-220/TO-220FP STripFET ENERGIE Mosfet | SGS Thomson Microelectronics |
| 1176095 | STP36NE06 | N-CHANNEL - 60V - 0.032 OHM - 36A - TO-220/TO-220FP STRIPFET ENERGIE MOSFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 1176096 | STP36NE06FP | N-CHANNEL - 60V - 0.032 OHM - 36A - TO-220/TO-220FP STRIPFET ENERGIE MOSFET | ST Microelectronics |
| 1176097 | STP36NE06FP | N-CHANNEL - 60V - 0.032 OHM - 36A - TO-220/TO-220FP STRIPFET ENERGIE MOSFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 1176098 | STP36NF03L | N-CHANNEL 30V 0.015 GATTER-AUFLADUNG STRIPFET ENERGIE MOSFET DES OHM--36A TO-220 NIEDRIGER | ST Microelectronics |
| 1176099 | STP36NF03L | N-CHANNEL 30V 0.015 GATTER-AUFLADUNG STRIPFET ENERGIE MOSFET DES OHM--36A TO-220 NIEDRIGER | SGS Thomson Microelectronics |
| 1176100 | STP36NF03L | N-CHANNEL 30V - 0.015 Ohm - 36A TO-220 NIEDRIGER GATTER-AUFLADUNG STripFET ENERGIE Mosfet | SGS Thomson Microelectronics |
| 1176101 | STP36NF06 | N-CHANNEL 60V - 0.032 OHM - 30A TO-220/TO-220FP STRIPFET II ENERGIE MOSFET | ST Microelectronics |
| 1176102 | STP36NF06FP | N-CHANNEL 60V - 0.032 OHM - 30A TO-220/TO-220FP STRIPFET II ENERGIE MOSFET | ST Microelectronics |
| 1176103 | STP36NF06L | N-CHANNEL 60V - 0.032 OHM - 30A D2PAK/TO-220 STRIPFET II ENERGIE MOSFET | ST Microelectronics |
| 1176104 | STP38N06 | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 1176105 | STP38N06 | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
| 1176106 | STP38N06 | N - HOHER DENSITY?OWER MOS TRANSISTOR Des FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-?TRA | SGS Thomson Microelectronics |
| 1176107 | STP38N65M5 | N-Kanal 650 V, 0.073 Ohm typ. 30 A MDmesh (TM) V-Leistungs-MOSFETs in TO-220-Gehäuse | ST Microelectronics |
| 1176108 | STP3HNK90Z | N-CHANNEL 900V - 3.5OHM - 3A - TO-220/TO-220FP ZENER-PROTECTED SUPERMESH ENERGIE MOSFET | ST Microelectronics |
| 1176109 | STP3LN62K3 | N-Kanal 620 V, 2,5 Ohm, 2,5 A SuperMESH3 (TM) Power MOSFET TO-220 | ST Microelectronics |
| 1176110 | STP3N100 | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 1176111 | STP3N100 | N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS, ENERGIE MOS TRANSISTOR | SGS Thomson Microelectronics |
| 1176112 | STP3N100 | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
| 1176113 | STP3N100FI | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 1176114 | STP3N100FI | N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS, ENERGIE MOS TRANSISTOR | SGS Thomson Microelectronics |
| 1176115 | STP3N100FI | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
| 1176116 | STP3N150 | N-Kanal 1500 V, 6 Ohm typ. 2,5 A PowerMESH (TM) Leistungs-MOSFET in TO-220-Gehäuse | ST Microelectronics |
| 1176117 | STP3N80K5 | N-Kanal 800 V, 2,8 Ohm typ. 2,5 A Zener-geschützt SuperMESH (TM) 5 Power MOSFET in TO-220-Gehäuse | ST Microelectronics |
| 1176118 | STP3NA100 | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 1176119 | STP3NA100 | N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS, SCHNELLER ENERGIE MOS TRANSISTOR | SGS Thomson Microelectronics |
| 1176120 | STP3NA100 | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
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