|   Home   |   Tutti i fornitori   |   Dalla funzione   |  

Numero parte, la descrizione o il produttore contenere:    
Salto rapido a:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Datasheets ha trovato :: 1351360Pagina: << | 6407 | 6408 | 6409 | 6410 | 6411 | 6412 | 6413 | 6414 | 6415 | 6416 | 6417 | >>
No.Nome della parteDescrizioneFabbricatore
256441BD277TRANSISTORI BASSI EPITASSIALI DEL SILICONE PNP VERSAWATT DI 7-A 70-WGeneral Electric Solid State
256442BD287TRANSISTORI PLANARI DEL SILICONE DI PNPSiemens
256443BD288TRANSISTORI PLANARI DEL SILICONE DI PNPSiemens
256444BD311TRANSISTORI DI ALIMENTAZIONE COMPLEMENTARI DEL SILICONE DA 10 AMPÈREMotorola
256445BD311NPNTRANSISTORI DI ALIMENTAZIONE COMPLEMENTARI DEL SILICONE DA 10 AMPÈREMotorola
256446BD312TRANSISTORI DI ALIMENTAZIONE COMPLEMENTARI DEL SILICONE DA 10 AMPÈREMotorola
256447BD312PNPTRANSISTORI DI ALIMENTAZIONE COMPLEMENTARI DEL SILICONE DA 10 AMPÈREMotorola
256448BD315TRANSISTORI DI ALIMENTAZIONE COMPLEMENTARI DEL SILICONE DA 16 AMPÈREMotorola
256449BD316TRANSISTORI DI ALIMENTAZIONE COMPLEMENTARI DEL SILICONE DA 16 AMPÈREMotorola
256450BD317TRANSISTORI DI ALIMENTAZIONE COMPLEMENTARI DEL SILICONE DA 16 AMPÈREMotorola
256451BD318TRANSISTORI DI ALIMENTAZIONE COMPLEMENTARI DEL SILICONE DA 16 AMPÈREMotorola
256452BD329TRANSISTORE PLANARE DEL SILICONE DI NPNSiemens
256453BD329TRANSISTORE PLANARE DEL SILICONE DI PNPSiemens
256454BD329Transistore di alimentazione di NPNPhilips
256455BD330TRANSISTORE PLANARE DEL SILICONE DI PNPSiemens
256456BD330TRANSISTORE PLANARE DEL SILICONE DI NPNSiemens
256457BD330Transistore di alimentazione di PNPPhilips
256458BD336TRANSISTORI DI ALIMENTAZIONE DARLINGTON DEL SILICONE PNPST Microelectronics
256459BD336TRANSISTORI DI ALIMENTAZIONE DARLINGTON DEL SILICONE PNPSGS Thomson Microelectronics



256460BD336TRANSISTORE DI ALIMENTAZIONE DARLINGTON DEL SILICONE PNPSGS Thomson Microelectronics
256461BD3500DIODO Press-fit del TIPO Di 3Ä BOSCHWon-Top Electronics
256462BD3500FVMRegolatore LSIs > basso regolatore del regolatore di serie di NMOS di interruzione proceduraROHM
256463BD3501DIODO Press-fit del TIPO Di 3Ä BOSCHWon-Top Electronics
256464BD3502DIODO Press-fit del TIPO Di 3Ä BOSCHWon-Top Electronics
256465BD3502FVMRegolatore LSIs > basso regolatore del regolatore di serie di NMOS di interruzione proceduraROHM
256466BD3503DIODO Press-fit del TIPO Di 3Ä BOSCHWon-Top Electronics
256467BD3504DIODO Press-fit del TIPO Di 3Ä BOSCHWon-Top Electronics
256468BD3505DIODO Press-fit del TIPO Di 3Ä BOSCHWon-Top Electronics
256469BD3506DIODO Press-fit del TIPO Di 3Ä BOSCHWon-Top Electronics
256470BD3530FRegolatore di termine del regolatore LSIs > di Ddr-sdramROHM
256471BD3531FRegolatore di termine del regolatore LSIs > di Ddr-sdramROHM
256472BD354Tranzystor malej czestotliwosci duzej mocyUltra CEMI
256473BD355Tranzystor malej czestotliwosci duzej mocyUltra CEMI
256474BD36931LA MONOFASE MODELLATA GETTA UN PONTE SU 0.8 AMPÈRE - 1.5 AMPÈREetc
256475BD36931LA MONOFASE MODELLATA GETTA UN PONTE SU 0.8 AMPÈRE - 1.5 AMPÈREetc
256476BD36933LA MONOFASE MODELLATA GETTA UN PONTE SU 0.8 AMPÈRE - 1.5 AMPÈREetc
256477BD36933LA MONOFASE MODELLATA GETTA UN PONTE SU 0.8 AMPÈRE - 1.5 AMPÈREetc
256478BD375Transistore Epitassiale Del Silicone di NPNFairchild Semiconductor
256479BD37510STUTransistore Epitassiale Del Silicone di NPNFairchild Semiconductor
256480BD37516STUTransistore Epitassiale Del Silicone di NPNFairchild Semiconductor
Datasheets ha trovato :: 1351360Pagina: << | 6407 | 6408 | 6409 | 6410 | 6411 | 6412 | 6413 | 6414 | 6415 | 6416 | 6417 | >>
English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versión española para esta página Versão portuguese para esta página Russian version Versiunea romaneasca



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com