| No. | Nome della parte | Descrizione | Fabbricatore |
| 256521 | BD38933 | LA MONOFASE MODELLATA GETTA UN PONTE SU 0.8 AMPÈRE - 1.5 AMPÈRE | etc |
| 256522 | BD38933 | LA MONOFASE MODELLATA GETTA UN PONTE SU 0.8 AMPÈRE - 1.5 AMPÈRE | etc |
| 256523 | BD39931 | LA MONOFASE MODELLATA GETTA UN PONTE SU 0.8 AMPÈRE - 1.5 AMPÈRE | etc |
| 256524 | BD39931 | LA MONOFASE MODELLATA GETTA UN PONTE SU 0.8 AMPÈRE - 1.5 AMPÈRE | etc |
| 256525 | BD39933 | LA MONOFASE MODELLATA GETTA UN PONTE SU 0.8 AMPÈRE - 1.5 AMPÈRE | etc |
| 256526 | BD39933 | LA MONOFASE MODELLATA GETTA UN PONTE SU 0.8 AMPÈRE - 1.5 AMPÈRE | etc |
| 256527 | BD40931 | LA MONOFASE MODELLATA GETTA UN PONTE SU 0.8 AMPÈRE - 1.5 AMPÈRE | etc |
| 256528 | BD40931 | LA MONOFASE MODELLATA GETTA UN PONTE SU 0.8 AMPÈRE - 1.5 AMPÈRE | etc |
| 256529 | BD410 | Transistore Di Alimentazione Epitassiale Del Silicone di NPN | Continental Device India Limited |
| 256530 | BD411 | Alimentazione media lineare ed applicazioni di commutazione | Fairchild Semiconductor |
| 256531 | BD41931 | LA MONOFASE MODELLATA GETTA UN PONTE SU 0.8 AMPÈRE - 1.5 AMPÈRE | etc |
| 256532 | BD41931 | LA MONOFASE MODELLATA GETTA UN PONTE SU 0.8 AMPÈRE - 1.5 AMPÈRE | etc |
| 256533 | BD4201FV | IC Del Sostegno Della Batteria | ROHM |
| 256534 | BD424 | TRANSISTORE PLANARE DEL SILICONE DI NPN | Siemens |
| 256535 | BD429 | TRANSISTORE PLANARE DEL SILICONE DI NPN | Siemens |
| 256536 | BD430 | TRANSISTORE PLANARE DEL SILICONE DI PNP | Siemens |
| 256537 | BD433 | Transistore Epitassiale Del Silicone di NPN | Fairchild Semiconductor |
| 256538 | BD433 | TRANSISTORI DI ALIMENTAZIONE COMPLEMENTARI DEL SILICONE | ST Microelectronics |
| 256539 | BD433 | TRANSISTORI DI ALIMENTAZIONE COMPLEMENTARI DEL SILICONE | SGS Thomson Microelectronics |
| 256540 | BD433 | TRANSISTORI DI ALIMENTAZIONE COMPLEMENTARI DEL SILICONE | SGS Thomson Microelectronics |
| 256541 | BD433 | TRANSISTORI DEL SILICONE EPIBASE DI NPN | Siemens |
| 256542 | BD433 | TRANSISTORI DEL SILICONE EPIBASE DI PNP | Siemens |
| 256543 | BD433 | Uso generale Al piombo Del Transistore Di Alimentazione | Central Semiconductor |
| 256544 | BD433 | 36.000W commutazione NPN transistor di plastica piombo. Vceo 22V, 4.000A Ic, 50 hFE. | Continental Device India Limited |
| 256545 | BD433 | Plastica silicone di media potenza a transistor NPN. 4 A, 22 V. | Motorola |
| 256546 | BD433S | Transistore Epitassiale Del Silicone di NPN | Fairchild Semiconductor |
| 256547 | BD434 | Transistore Epitassiale Del Silicone di PNP | Fairchild Semiconductor |
| 256548 | BD434 | TRANSISTORI DI ALIMENTAZIONE COMPLEMENTARI DEL SILICONE | ST Microelectronics |
| 256549 | BD434 | TRANSISTORI DI ALIMENTAZIONE COMPLEMENTARI DEL SILICONE | SGS Thomson Microelectronics |
| 256550 | BD434 | TRANSISTORI DI ALIMENTAZIONE COMPLEMENTARI DEL SILICONE | SGS Thomson Microelectronics |
| 256551 | BD434 | TRANSISTORI DEL SILICONE EPIBASE DI PNP | Siemens |
| 256552 | BD434 | Uso generale Al piombo Del Transistore Di Alimentazione | Central Semiconductor |
| 256553 | BD434 | 36.000W di commutazione PNP Transistor plastica piombo. Vceo 22V, 4.000A Ic, 50 hFE. | Continental Device India Limited |
| 256554 | BD434 | Plastica transistor PNP silicio di media potenza. 4 A, 22 V. | Motorola |
| 256555 | BD434S | Transistore Epitassiale Del Silicone di PNP | Fairchild Semiconductor |
| 256556 | BD434STU | Transistore Epitassiale Del Silicone di PNP | Fairchild Semiconductor |
| 256557 | BD435 | Transistore Epitassiale Del Silicone di NPN | Fairchild Semiconductor |
| 256558 | BD435 | TRANSISTORI DI ALIMENTAZIONE COMPLEMENTARI DEL SILICONE | ST Microelectronics |
| 256559 | BD435 | TRANSISTORI DI ALIMENTAZIONE COMPLEMENTARI DEL SILICONE | SGS Thomson Microelectronics |
| 256560 | BD435 | TRANSISTORI DI ALIMENTAZIONE COMPLEMENTARI DEL SILICONE | SGS Thomson Microelectronics |
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