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No.Nome della parteDescrizioneFabbricatore
259161BF423TRANSISTORE EPITASSIALE PLANARE DEL SILICONE DI PNPMicro Electronics
259162BF423Transistori del silicone di PNP (alta tensione bassa di saturazione del collector-emitter di tensione di ripartizione)Siemens
259163BF423Transistore del silicone di PNP (applicazione ad alta tensione dell'apparecchiatura del video di applicazione)AUK Corp
259164BF423Transistors(PNP) Ad alta tensioneMotorola
259165BF423Plastica PNP Del Silicone Del TransistoreON Semiconductor
259166BF4230.800W ad alta tensione PNP Transistor di plastica piombo. 250V Vceo, nominale 0,500A Ic, 50 hFE.Continental Device India Limited
259167BF423LTransistori ad alta tensione di PNPPhilips
259168BF423RL1Alta Tensione Transistor PNPON Semiconductor
259169BF423ZL1Plastica PNP Del Silicone Del TransistoreON Semiconductor
259170BF440Tranzystor wielkiej czestotliwosciUltra CEMI
259171BF441Tranzystor wielkiej czestotliwosciUltra CEMI
259172BF450Transistore medio di frequenza di PNPPhilips
259173BF457Tranzystor wielkiej czestotliwosciUltra CEMI
259174BF457TRANSISTORI DEL SILICONE RF DI NPNSiemens
259175BF457VIDEO AMPLIFICATORI AD ALTA TENSIONEST Microelectronics
259176BF45710.000W media potenza NPN transistor di plastica piombo. 160V Vceo, 0.100A Ic, 25 hFE.Continental Device India Limited
259177BF457ALTA TENSIONE amplificatori videoSGS Thomson Microelectronics
259178BF458TRANSISTORI DEL SILICONE RF DI NPNSiemens
259179BF458Transistori ad alta tensione di NPNPhilips



259180BF458VIDEO AMPLIFICATORI AD ALTA TENSIONEST Microelectronics
259181BF45810.000W media potenza NPN transistor di plastica piombo. 250V Vceo, 0.100A Ic, 25 hFE.Continental Device India Limited
259182BF458Transistor di potenzaSGS Thomson Microelectronics
259183BF459Tranzystor wielkiej czestotliwosciUltra CEMI
259184BF459TRANSISTORI DEL SILICONE RF DI NPNSiemens
259185BF459Transistori ad alta tensione di NPNPhilips
259186BF459VIDEO AMPLIFICATORI AD ALTA TENSIONEST Microelectronics
259187BF45910.000W media potenza NPN transistor di plastica piombo. 300V Vceo, 0.100A Ic, 25 hFE.Continental Device India Limited
259188BF459Polaritŕ transistor NPN Tensione Vceo 300 V corrente Ic av. 0,1 A Potenza Ptot 6 WSGS Thomson Microelectronics
259189BF469Tranzystor wielkiej czestotliwosciUltra CEMI
259190BF469TRANSISTORI PLANARI DEL SILICONE DI NPNSiemens
259191BF469Transistori ad alta tensione di NPNPhilips
259192BF4692.000W media potenza NPN transistor di plastica piombo. 250V Vceo, 0.030A Ic, 50 hFE. Complementare BF470Continental Device India Limited
259193BF470Tranzystor wielkiej czestotliwosciUltra CEMI
259194BF470TRANSISTORI PLANARI DEL SILICONE DI PNPSiemens
259195BF470Transistori ad alta tensione di PNPPhilips
259196BF4702.000W media potenza PNP Transistor plastica piombo. 250V Vceo, 0.030A Ic, 50 hFE. Complementare BF469Continental Device India Limited
259197BF471TRANSISTORI PLANARI DEL SILICONE DI NPNSiemens
259198BF471Transistori ad alta tensione di NPNPhilips
259199BF4712.000W media potenza NPN transistor di plastica piombo. 300V Vceo, 0.030A Ic, 50 hFE. Complementare BF472Continental Device India Limited
259200BF472TRANSISTORI PLANARI DEL SILICONE DI PNPSiemens
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