| No. | Nome della parte | Descrizione | Fabbricatore |
| 259241 | BF513 | transistori di field-effect del silicone della N-scanalatura | Philips |
| 259242 | BF513 | N-FET canale silicio | NXP Semiconductors |
| 259243 | BF517 | Rf-Bipolare - per le applicazioni dell'oscillatore e dell'amplificatore in TV-sintonizzatori | Infineon |
| 259244 | BF517 | Transistore del silicone rf di NPN (per le applicazioni dell'oscillatore e dell'amplificatore in TV-sintonizzatori) | Siemens |
| 259245 | BF519 | Tranzystor wielkiej czestotliwosci | Ultra CEMI |
| 259246 | BF520 | Tranzystor wielkiej czestotliwosci | Ultra CEMI |
| 259247 | BF521 | Tranzystor wielkiej czestotliwosci | Ultra CEMI |
| 259248 | BF543 | Rf-rf-mosfet - VDS=15v, gfs=12mS, Gp=22dB, F=1dB | Infineon |
| 259249 | BF543 | Triodo del FET del MOS della Manica del silicone N (per la rf organizza preferibilmente fino a 300 megahertz nelle applicazioni di FM) | Siemens |
| 259250 | BF545A | transistori di field-effect della giunzione del silicone della N-scanalatura | Philips |
| 259251 | BF545A | FET a canale N | NXP Semiconductors |
| 259252 | BF545B | transistori di field-effect della giunzione del silicone della N-scanalatura | Philips |
| 259253 | BF545B | FET a canale N | NXP Semiconductors |
| 259254 | BF545C | transistori di field-effect della giunzione del silicone della N-scanalatura | Philips |
| 259255 | BF545C | FET a canale N | NXP Semiconductors |
| 259256 | BF547 | NPN transistore del wideband del 1 gigahertz | Philips |
| 259257 | BF547W | NPN transistore del wideband del 1 gigahertz | Philips |
| 259258 | BF550 | Transistore medio di frequenza di PNP | Philips |
| 259259 | BF550 | Transistore del silicone rf di PNP (per le fasi comuni dell'amplificatore dell'emettitore fino a 300 megahertz per le applicazioni del miscelatore in radio di AM/fm e sintonizzatori di VHF TV) | Siemens |
| 259260 | BF550 | PNP transistor media frequenza | NXP Semiconductors |
| 259261 | BF554 | Transistore del silicone rf di NPN (per le applicazioni small-signal generali di rf fino a 300 megahertz in circuiti dell'amplificatore, del miscelatore e dell'oscillatore) | Siemens |
| 259262 | BF554 | Supporto di superficie PlanarTransistors Silicone-Epitassiale | Diotec Elektronische |
| 259263 | BF556A | transistori di field-effect della giunzione del silicone della N-scanalatura | Philips |
| 259264 | BF556A | FET a canale N | NXP Semiconductors |
| 259265 | BF556B | transistori di field-effect della giunzione del silicone della N-scanalatura | Philips |
| 259266 | BF556B | FET a canale N | NXP Semiconductors |
| 259267 | BF556C | transistori di field-effect della giunzione del silicone della N-scanalatura | Philips |
| 259268 | BF556C | FET a canale N | NXP Semiconductors |
| 259269 | BF562 | transistore del silicone rf del npn | Siemens |
| 259270 | BF568 | TRANSISTORE PLANARE DEL SILICONE DI PNP | Siemens |
| 259271 | BF569 | Transistore Planare Del Silicone PNP Rf | Vishay |
| 259272 | BF569 | Transistore del silicone rf di PNP | Infineon |
| 259273 | BF569 | Transistore del silicone rf di PNP (per gli OSCILLATORI, i MISCELATORI E LE FASI del MISCELATORE Auto-oscillanti IN SINTONIZZATORI a frequenza ultraelevata della TV) | Siemens |
| 259274 | BF569R | Transistore Planare Del Silicone PNP Rf | Vishay |
| 259275 | BF569W | Transistore del silicone rf di PNP | Infineon |
| 259276 | BF569W | Transistore del silicone rf di PNP (per gli oscillatori, il miscelatore e le fasi auto-oscillanti del miscelatore in TV-sintonizzatore A FREQUENZA ULTRAELEVATA) | Siemens |
| 259277 | BF570 | Transistore medio di frequenza di NPN | Philips |
| 259278 | BF570 | NPN transistor a media frequenza | NXP Semiconductors |
| 259279 | BF579 | Transistore Planare Del Silicone PNP Rf | Vishay |
| 259280 | BF579R | Transistore Planare Del Silicone PNP Rf | Vishay |
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