| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 259241 | BF513 | transistor do field-effect do silicone da N-canaleta | Philips |
| 259242 | BF513 | N-channel FET silício | NXP Semiconductors |
| 259243 | BF517 | RF-Bipolar - para aplicações do amplificador e do oscilador nos Tevê-tV-tuners | Infineon |
| 259244 | BF517 | Transistor do RF do silicone de NPN (para aplicações do amplificador e do oscilador nos Tevê-tV-tuners) | Siemens |
| 259245 | BF519 | Wielkiej cz?otliwo.ci de Tranzystor | Ultra CEMI |
| 259246 | BF520 | Wielkiej cz?otliwo.ci de Tranzystor | Ultra CEMI |
| 259247 | BF521 | Wielkiej cz?otliwo.ci de Tranzystor | Ultra CEMI |
| 259248 | BF543 | RF-MOSFET - VDS=15V, gfs=12mS, Gp=22dB, F=1dB | Infineon |
| 259249 | BF543 | Triode do FET do MOS da canaleta do silicone N (para o RF encena até 300 megahertz preferivelmente em aplicações de FM) | Siemens |
| 259250 | BF545A | transistor do field-effect da junção do silicone da N-canaleta | Philips |
| 259251 | BF545A | N-channel FET | NXP Semiconductors |
| 259252 | BF545B | transistor do field-effect da junção do silicone da N-canaleta | Philips |
| 259253 | BF545B | N-channel FET | NXP Semiconductors |
| 259254 | BF545C | transistor do field-effect da junção do silicone da N-canaleta | Philips |
| 259255 | BF545C | N-channel FET | NXP Semiconductors |
| 259256 | BF547 | NPN transistor do wideband de 1 gigahertz | Philips |
| 259257 | BF547W | NPN transistor do wideband de 1 gigahertz | Philips |
| 259258 | BF550 | Transistor médio da freqüência de PNP | Philips |
| 259259 | BF550 | Transistor do RF do silicone de PNP (para estágios comuns do amplificador do emissor até 300 megahertz para aplicações do misturador em rádios de AM/FM e em tuners da tevê do VHF) | Siemens |
| 259260 | BF550 | PNP transistor de média freqüência | NXP Semiconductors |
| 259261 | BF554 | Transistor do RF do silicone de NPN (para aplicações small-signal gerais do RF até 300 megahertz em circuitos do amplificador, do misturador e do oscilador) | Siemens |
| 259262 | BF554 | Montagem de superfície PlanarTransistors Silicone-si-Epitaxial | Diotec Elektronische |
| 259263 | BF556A | transistor do field-effect da junção do silicone da N-canaleta | Philips |
| 259264 | BF556A | N-channel FET | NXP Semiconductors |
| 259265 | BF556B | transistor do field-effect da junção do silicone da N-canaleta | Philips |
| 259266 | BF556B | N-channel FET | NXP Semiconductors |
| 259267 | BF556C | transistor do field-effect da junção do silicone da N-canaleta | Philips |
| 259268 | BF556C | N-channel FET | NXP Semiconductors |
| 259269 | BF562 | transistor do rf do silicone do npn | Siemens |
| 259270 | BF568 | TRANSISTOR PLANAR DO SILICONE DE PNP | Siemens |
| 259271 | BF569 | Transistor Planar Do Silicone PNP Rf | Vishay |
| 259272 | BF569 | Transistor do RF do silicone de PNP | Infineon |
| 259273 | BF569 | Transistor do RF do silicone de PNP (para OSCILADORES, MISTURADORES E ESTÁGIOS do MISTURADOR de SELF-OSCILLATING NOS TUNERS de frequência ultraelevada da tevê) | Siemens |
| 259274 | BF569R | Transistor Planar Do Silicone PNP Rf | Vishay |
| 259275 | BF569W | Transistor do RF do silicone de PNP | Infineon |
| 259276 | BF569W | Transistor do RF do silicone de PNP (para osciladores, misturador e estágios self-oscilando do misturador no Tevê-tV-tuner DE FREQUÊNCIA ULTRAELEVADA) | Siemens |
| 259277 | BF570 | Transistor médio da freqüência de NPN | Philips |
| 259278 | BF570 | NPN transistor de média freqüência | NXP Semiconductors |
| 259279 | BF579 | Transistor Planar Do Silicone PNP Rf | Vishay |
| 259280 | BF579R | Transistor Planar Do Silicone PNP Rf | Vishay |
| | | |
