Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
253441 | BCP54 | Montagem de superfície PlanarTransistors Silicone-si-Epitaxial | Diotec Elektronische |
253442 | BCP54 | 45 V, 1 A NPN transistor de média potência | NXP Semiconductors |
253443 | BCP54 | NPN média potência EM SOT223 | Diodes |
253444 | BCP54-10 | TRANSISTOR DE PODER MÉDIO PLANAR DO SILICONE DE SOT223 NPN | Zetex Semiconductors |
253445 | BCP54-10 | Transistor da finalidade geral - pacote SOT223 | Infineon |
253446 | BCP54-10 | Transistor do AF do silicone de NPN (para a corrente elevada do excitador do AF e de coletor dos estágios da saída) | Siemens |
253447 | BCP54-10 | 45 V, 1 A NPN transistor de média potência | NXP Semiconductors |
253448 | BCP54-16 | Transistor de poder médios de NPN | Philips |
253449 | BCP54-16 | TRANSISTOR DE PODER MÉDIO PLANAR DO SILICONE DE SOT223 NPN | Zetex Semiconductors |
253450 | BCP54-16 | Transistor da finalidade geral - pacote SOT223 | Infineon |
253451 | BCP54-16 | Transistor do AF do silicone de NPN (para a corrente elevada do excitador do AF e de coletor dos estágios da saída) | Siemens |
253452 | BCP54-16 | 45 V, 1 A NPN transistor de média potência | NXP Semiconductors |
253453 | BCP5410 | Obsoleto | Zetex Semiconductors |
253454 | BCP5410 | NPN média potência EM SOT223 | Diodes |
253455 | BCP5410TA | NPN média potência EM SOT223 | Diodes |
253456 | BCP5416 | Obsoleto | Zetex Semiconductors |
253457 | BCP5416 | NPN média potência EM SOT223 | Diodes |
253458 | BCP5416TA | NPN média potência EM SOT223 | Diodes |
253459 | BCP54BCP56 | Transistor do AF do silicone de NPN (para a corrente elevada do excitador do AF e de coletor dos estágios da saída) | Siemens |
253460 | BCP54M | Transistor do AF do silicone de NPN para o driv do AF... | Infineon |
253461 | BCP54M | Transistor do AF do silicone de NPN (para a corrente elevada do excitador do AF e de coletor dos estágios da saída) | Siemens |
253462 | BCP54MBCP56M | Transistor do AF do silicone de NPN (para a corrente elevada do excitador do AF e de coletor dos estágios da saída) | Siemens |
253463 | BCP54TA | NPN média potência EM SOT223 | Diodes |
253464 | BCP54_L99Z | Amplificador Da Finalidade Geral de NPN | Fairchild Semiconductor |
253465 | BCP55 | Transistor de poder médios de NPN | Philips |
253466 | BCP55 | Amplificador Da Finalidade Geral de NPN | Fairchild Semiconductor |
253467 | BCP55 | TRANSISTOR DE PODER MÉDIO PLANAR DO SILICONE DE SOT223 NPN | Zetex Semiconductors |
253468 | BCP55 | Transistor da finalidade geral - pacote SOT223 | Infineon |
253469 | BCP55 | Transistor do AF do silicone de NPN para o driv do AF... | Infineon |
253470 | BCP55 | AMPLIFICADOR DE PODER MÉDIO | SGS Thomson Microelectronics |
253471 | BCP55 | AMPLIFICADORES DE PODER MÉDIOS | SGS Thomson Microelectronics |
253472 | BCP55 | Transistor do AF do silicone de NPN (para a corrente elevada do excitador do AF e de coletor dos estágios da saída) | Siemens |
253473 | BCP55 | Montagem de superfície PlanarTransistors Silicone-si-Epitaxial | Diotec Elektronische |
253474 | BCP55 | AMPLIFICADOR DE PODER MÉDIO | ST Microelectronics |
253475 | BCP55 | 60 V, 1 A NPN transistor de média potência | NXP Semiconductors |
253476 | BCP55 | NPN média potência EM SOT223 | Diodes |
253477 | BCP55-10 | Transistor de poder médios de NPN | Philips |
253478 | BCP55-10 | TRANSISTOR DE PODER MÉDIO PLANAR DO SILICONE DE SOT223 NPN | Zetex Semiconductors |
253479 | BCP55-10 | Transistor da finalidade geral - pacote SOT223 | Infineon |
253480 | BCP55-10 | Transistor do AF do silicone de NPN (para a corrente elevada do excitador do AF e de coletor dos estágios da saída) | Siemens |
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