| 318540 | CMZB390 | Diodo Zener | TOSHIBA |
| 318541 | CMZB43 | Diodo Zener | TOSHIBA |
| 318542 | CMZB47 | Diodo Zener | TOSHIBA |
| 318543 | CMZB51 | Diodo Zener | TOSHIBA |
| 318544 | CMZB53 | Diodo Zener | TOSHIBA |
| 318545 | CMZB68 | Diodo Zener | TOSHIBA |
| 318546 | CMZB75 | Diodo Zener | TOSHIBA |
| 318547 | CMZB82 | Diodo Zener | TOSHIBA |
| 318548 | CN100 | TRANSISTORE DEL SILICONE PLANA DI PNP | Continental Device India Limited |
| 318549 | CN1016 | 60.000W uso generale NPN Transistor metallo Can. 150V Vceo, 10.000A Ic, 2.000-20.000 hFE. | Continental Device India Limited |
| 318550 | CN107 | Scopo 0.300W generale NPN transistor di plastica piombo. Vceo 50V, 0.100A Ic, 90 - hFE | Continental Device India Limited |
| 318551 | CN18 | DIODI DI RADDRIZZATORE DELLE CELLULE | EIC discrete Semiconductors |
| 318552 | CN18A | DIODI DI RADDRIZZATORE DELLE CELLULE | EIC discrete Semiconductors |
| 318553 | CN18B | DIODI DI RADDRIZZATORE DELLE CELLULE | EIC discrete Semiconductors |
| 318554 | CN18D | DIODI DI RADDRIZZATORE DELLE CELLULE | EIC discrete Semiconductors |
| 318555 | CN18G | DIODI DI RADDRIZZATORE DELLE CELLULE | EIC discrete Semiconductors |
| 318556 | CN18J | DIODI DI RADDRIZZATORE DELLE CELLULE | EIC discrete Semiconductors |
| 318557 | CN18K | DIODI DI RADDRIZZATORE DELLE CELLULE | EIC discrete Semiconductors |
| 318558 | CN18M | DIODI DI RADDRIZZATORE DELLE CELLULE | EIC discrete Semiconductors |
| 318559 | CN1933 | 2.000W media potenza NPN transistor di plastica piombo. Vceo 80V, 4.000A Ic, 1.000-10.000 hFE. | Continental Device India Limited |
| 318560 | CN2220S14BAUTOG | Varistore a piů strati di SMD con il termine di AgPd | EPCOS |
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