| 318540 | CMZB390 | Diodo Zener | TOSHIBA |
| 318541 | CMZB43 | Diodo Zener | TOSHIBA |
| 318542 | CMZB47 | Diodo Zener | TOSHIBA |
| 318543 | CMZB51 | Diodo Zener | TOSHIBA |
| 318544 | CMZB53 | Diodo Zener | TOSHIBA |
| 318545 | CMZB68 | Diodo Zener | TOSHIBA |
| 318546 | CMZB75 | Diodo Zener | TOSHIBA |
| 318547 | CMZB82 | Diodo Zener | TOSHIBA |
| 318548 | CN100 | TRANSISTOR DEL SILICIO PLANA DE PNP | Continental Device India Limited |
| 318549 | CN1016 | 60.000W de Uso General NPN Transistor metal Can. 150V VCEO, 10.000A Ic, 2-20000 hFE. | Continental Device India Limited |
| 318550 | CN107 | Propósito General de 0.300W NPN Transistor Plástico con plomo. 50V VCEO, 0.100A Ic, 90 - hFE | Continental Device India Limited |
| 318551 | CN18 | DIODOS DE RECTIFICADOR DE LA CÉLULA | EIC discrete Semiconductors |
| 318552 | CN18A | DIODOS DE RECTIFICADOR DE LA CÉLULA | EIC discrete Semiconductors |
| 318553 | CN18B | DIODOS DE RECTIFICADOR DE LA CÉLULA | EIC discrete Semiconductors |
| 318554 | CN18D | DIODOS DE RECTIFICADOR DE LA CÉLULA | EIC discrete Semiconductors |
| 318555 | CN18G | DIODOS DE RECTIFICADOR DE LA CÉLULA | EIC discrete Semiconductors |
| 318556 | CN18J | DIODOS DE RECTIFICADOR DE LA CÉLULA | EIC discrete Semiconductors |
| 318557 | CN18K | DIODOS DE RECTIFICADOR DE LA CÉLULA | EIC discrete Semiconductors |
| 318558 | CN18M | DIODOS DE RECTIFICADOR DE LA CÉLULA | EIC discrete Semiconductors |
| 318559 | CN1933 | 2.000W Mediana Potencia NPN Transistor de plástico con plomo. 80V VCEO, 4.000A Ic, 1000-10000 hFE. | Continental Device India Limited |
| 318560 | CN2220S14BAUTOG | Varistor de múltiples capas de SMD con la terminaciónde AgPd | EPCOS |
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