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No.	Nome della parte	Descrizione	Fabbricatore
42921	28LV256SM-4	CMOS a bassa tensione. 256K ROM programmabile cancellabile elettricamente. 32K x 8 bit EEPROM. Tempo di accesso 250 ns.	Turbo IC
42922	28LV256SM-5	Velocità: 300 ns, bassa tensione CMOS 256 K cancellabile elettricamente 32K ROM programmabile x 8 BIT EEPROM	Turbo IC
42923	28LV256SM-5	CMOS a bassa tensione. 256K ROM programmabile cancellabile elettricamente. 32K x 8 bit EEPROM. Tempo di accesso 300 ns.	Turbo IC
42924	28LV256SM-6	Velocità: 400 ns, bassa tensione CMOS 256 K cancellabile elettricamente 32K ROM programmabile x 8 BIT EEPROM	Turbo IC
42925	28LV256SM-6	CMOS a bassa tensione. 256K ROM programmabile cancellabile elettricamente. 32K x 8 bit EEPROM. Tempo di accesso 400 ns.	Turbo IC
42926	28LV256TC-3	Velocità: 200 ns, bassa tensione CMOS 256 K cancellabile elettricamente 32K ROM programmabile x 8 BIT EEPROM	Turbo IC
42927	28LV256TC-3	CMOS a bassa tensione. 256K ROM programmabile cancellabile elettricamente. 32K x 8 bit EEPROM. Tempo di accesso 200 ns.	Turbo IC
42928	28LV256TC-4	Velocità: 250 ns, bassa tensione CMOS 256 K cancellabile elettricamente 32K ROM programmabile x 8 BIT EEPROM	Turbo IC
42929	28LV256TC-4	CMOS a bassa tensione. 256K ROM programmabile cancellabile elettricamente. 32K x 8 bit EEPROM. Tempo di accesso 250 ns.	Turbo IC
42930	28LV256TC-5	Velocità: 300 ns, bassa tensione CMOS 256 K cancellabile elettricamente 32K ROM programmabile x 8 BIT EEPROM	Turbo IC
42931	28LV256TC-5	CMOS a bassa tensione. 256K ROM programmabile cancellabile elettricamente. 32K x 8 bit EEPROM. Tempo di accesso 300 ns.	Turbo IC
42932	28LV256TC-6	Velocità: 400 ns, bassa tensione CMOS 256 K cancellabile elettricamente 32K ROM programmabile x 8 BIT EEPROM	Turbo IC
42933	28LV256TC-6	CMOS a bassa tensione. 256K ROM programmabile cancellabile elettricamente. 32K x 8 bit EEPROM. Tempo di accesso 400 ns.	Turbo IC
42934	28LV256TI-3	Velocità: 200 ns, bassa tensione CMOS 256 K cancellabile elettricamente 32K ROM programmabile x 8 BIT EEPROM	Turbo IC
42935	28LV256TI-3	CMOS a bassa tensione. 256K ROM programmabile cancellabile elettricamente. 32K x 8 bit EEPROM. Tempo di accesso 200 ns.	Turbo IC
42936	28LV256TI-4	Velocità: 250 ns, bassa tensione CMOS 256 K cancellabile elettricamente 32K ROM programmabile x 8 BIT EEPROM	Turbo IC
42937	28LV256TI-4	CMOS a bassa tensione. 256K ROM programmabile cancellabile elettricamente. 32K x 8 bit EEPROM. Tempo di accesso 250 ns.	Turbo IC
42938	28LV256TI-5	Velocità: 300 ns, bassa tensione CMOS 256 K cancellabile elettricamente 32K ROM programmabile x 8 BIT EEPROM	Turbo IC

42939	28LV256TI-5	CMOS a bassa tensione. 256K ROM programmabile cancellabile elettricamente. 32K x 8 bit EEPROM. Tempo di accesso 300 ns.	Turbo IC
42940	28LV256TI-6	Velocità: 400 ns, bassa tensione CMOS 256 K cancellabile elettricamente 32K ROM programmabile x 8 BIT EEPROM	Turbo IC
42941	28LV256TI-6	CMOS a bassa tensione. 256K ROM programmabile cancellabile elettricamente. 32K x 8 bit EEPROM. Tempo di accesso 400 ns.	Turbo IC
42942	28LV256TM-3	Velocità: 200 ns, bassa tensione CMOS 256 K cancellabile elettricamente 32K ROM programmabile x 8 BIT EEPROM	Turbo IC
42943	28LV256TM-3	CMOS a bassa tensione. 256K ROM programmabile cancellabile elettricamente. 32K x 8 bit EEPROM. Tempo di accesso 200 ns.	Turbo IC
42944	28LV256TM-4	Velocità: 250 ns, bassa tensione CMOS 256 K cancellabile elettricamente 32K ROM programmabile x 8 BIT EEPROM	Turbo IC
42945	28LV256TM-4	CMOS a bassa tensione. 256K ROM programmabile cancellabile elettricamente. 32K x 8 bit EEPROM. Tempo di accesso 250 ns.	Turbo IC
42946	28LV256TM-5	Velocità: 300 ns, bassa tensione CMOS 256 K cancellabile elettricamente 32K ROM programmabile x 8 BIT EEPROM	Turbo IC
42947	28LV256TM-5	CMOS a bassa tensione. 256K ROM programmabile cancellabile elettricamente. 32K x 8 bit EEPROM. Tempo di accesso 300 ns.	Turbo IC
42948	28LV256TM-6	Velocità: 400 ns, bassa tensione CMOS 256 K cancellabile elettricamente 32K ROM programmabile x 8 BIT EEPROM	Turbo IC
42949	28LV256TM-6	CMOS a bassa tensione. 256K ROM programmabile cancellabile elettricamente. 32K x 8 bit EEPROM. Tempo di accesso 400 ns.	Turbo IC
42950	28LV64	64CK-BIT CMOS EEPROM PARALLELO	Catalyst Semiconductor
42951	28LV64A	Il prodotto di Note:This è diventato 'disusa 'e più non è offerto poichè un dispositivo possibile per design.28LV6Â è 64K una punta il CMOS EEPROM parallelo organizzata come parole 8K da 8 bit. Il 28LV6Â è raggiunto come una RAM statica p	Microchip
42952	28LV64A-20/L	64K (bassa tensione CMOS EEPROM di 8K x 8)	Microchip
42953	28LV64A-20/P	64K (bassa tensione CMOS EEPROM di 8K x 8)	Microchip
42954	28LV64A-20/SO	64K (bassa tensione CMOS EEPROM di 8K x 8)	Microchip
42955	28LV64A-20/TS	64K (bassa tensione CMOS EEPROM di 8K x 8)	Microchip
42956	28LV64A-20/VS	64K (bassa tensione CMOS EEPROM di 8K x 8)	Microchip
42957	28LV64A-20I/L	64K (bassa tensione CMOS EEPROM di 8K x 8)	Microchip
42958	28LV64A-20I/P	64K (bassa tensione CMOS EEPROM di 8K x 8)	Microchip
42959	28LV64A-20I/SO	64K (bassa tensione CMOS EEPROM di 8K x 8)	Microchip
42960	28LV64A-20I/TS	64K (bassa tensione CMOS EEPROM di 8K x 8)	Microchip

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