| No. | Nome della parte | Descrizione | Fabbricatore |
| 44201 | 2N1989 | Piccolo Uso generale Al piombo Del Transistore Del Segnale | Central Semiconductor |
| 44202 | 2N1990 | Piccolo Uso generale Al piombo Del Transistore Del Segnale | Central Semiconductor |
| 44203 | 2N1991 | Piccolo Uso generale Al piombo Del Transistore Del Segnale | Central Semiconductor |
| 44204 | 2N1991 | Dispositivo bipolare di PNP in un pacchetto ermeticamente sigillato del metallo TO39 | SemeLAB |
| 44205 | 2N2017 | Piccolo Uso generale Al piombo Del Transistore Del Segnale | Central Semiconductor |
| 44206 | 2N2023 | Raddrizzatore Controllato Del Silicone | Microsemi |
| 44207 | 2N2023 | V (RRM / drm): 25V; 110A RMS SCR. Per applicazioni generali di controllo di fase puspose | International Rectifier |
| 44208 | 2N2024 | Raddrizzatore Controllato Del Silicone | Microsemi |
| 44209 | 2N2024 | V (RRM / drm): 50V; 110A RMS SCR. Per applicazioni generali di controllo di fase puspose | International Rectifier |
| 44210 | 2N2025 | Raddrizzatore Controllato Del Silicone | Microsemi |
| 44211 | 2N2025 | V (RRM / drm): 100V; 110A RMS SCR. Per applicazioni generali di controllo di fase puspose | International Rectifier |
| 44212 | 2N2026 | Raddrizzatore Controllato Del Silicone | Microsemi |
| 44213 | 2N2026 | V (RRM / drm): 150 V; 110A RMS SCR. Per applicazioni generali di controllo di fase puspose | International Rectifier |
| 44214 | 2N2027 | Raddrizzatore Controllato Del Silicone | Microsemi |
| 44215 | 2N2027 | V (RRM / drm): 200V; 110A RMS SCR. Per applicazioni generali di controllo di fase puspose | International Rectifier |
| 44216 | 2N2028 | Raddrizzatore Controllato Del Silicone | Microsemi |
| 44217 | 2N2028 | V (RRM / drm): 250V; 110A RMS SCR. Per applicazioni generali di controllo di fase puspose | International Rectifier |
| 44218 | 2N2029 | Raddrizzatore Controllato Del Silicone | Microsemi |
| 44219 | 2N2029 | V (RRM / drm): 300V; 110A RMS SCR. Per applicazioni generali di controllo di fase puspose | International Rectifier |
| 44220 | 2N2030 | Raddrizzatore Controllato Del Silicone | Microsemi |
| 44221 | 2N2030 | V (RRM / drm): 400V; 110A RMS SCR. Per applicazioni generali di controllo di fase puspose | International Rectifier |
| 44222 | 2N2049 | Piccolo Uso generale Al piombo Del Transistore Del Segnale | Central Semiconductor |
| 44223 | 2N2060 | NPN Si raddoppiano Transistori | Microsemi |
| 44224 | 2N2060 | Piccolo Transistore Al piombo Del Segnale Doppio | Central Semiconductor |
| 44225 | 2N2060 | Silicone di NPN transistor doppio amplificatore. | Motorola |
| 44226 | 2N2060(CAN) | Transistore Del Silicone NPN | Semicoa Semiconductor |
| 44227 | 2N2060A | TRANSISTORE DOPPIO DELL'CAmplificatore | SemeLAB |
| 44228 | 2N2060A | Piccolo Transistore Al piombo Del Segnale Doppio | Central Semiconductor |
| 44229 | 2N2060J | Transistore Del Silicone NPN | Semicoa Semiconductor |
| 44230 | 2N2060JV | Transistore Del Silicone NPN | Semicoa Semiconductor |
| 44231 | 2N2060JX | Transistore Del Silicone NPN | Semicoa Semiconductor |
| 44232 | 2N2060L | NPN Si raddoppiano Transistori | Microsemi |
| 44233 | 2N2060M | Piccolo Uso generale Al piombo Del Transistore Del Segnale | Central Semiconductor |
| 44234 | 2N2079 | Transistore Di Alimentazione Del Germanio | Semitronics |
| 44235 | 2N2079A | Transistore Di Alimentazione Del Germanio | GPD Optoelectronic Devices |
| 44236 | 2N20906A | TRANSISTORI PLANARI DEL SILICONE DI PNP | Siemens |
| 44237 | 2N20907A | TRANSISTORI PLANARI DEL SILICONE DI PNP | Siemens |
| 44238 | 2N2102 | NPN PLANARE EPITASSIALE | ST Microelectronics |
| 44239 | 2N2102 | AMPLIFICATORI ED INTERRUTTORI DI ALIMENTAZIONE MEDI DI AF DEL SILICONE | Micro Electronics |
| 44240 | 2N2102 | AMPLIFICATORE ED INTERRUTTORE PER TUTTI GLI USI | SGS Thomson Microelectronics |
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