| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 44201 | 2N1989 | Petit Usage universel Plombé De Transistor De Signal | Central Semiconductor |
| 44202 | 2N1990 | Petit Usage universel Plombé De Transistor De Signal | Central Semiconductor |
| 44203 | 2N1991 | Petit Usage universel Plombé De Transistor De Signal | Central Semiconductor |
| 44204 | 2N1991 | Dispositif bipolaire de PNP dans un paquet hermétiquement scellé en métal TO39 | SemeLAB |
| 44205 | 2N2017 | Petit Usage universel Plombé De Transistor De Signal | Central Semiconductor |
| 44206 | 2N2023 | Redresseur Commandé De Silicium | Microsemi |
| 44207 | 2N2023 | V (RRM / drm): 25V; 110A RMS RCS. Pour les applications générales puspose de commande de phase | International Rectifier |
| 44208 | 2N2024 | Redresseur Commandé De Silicium | Microsemi |
| 44209 | 2N2024 | V (RRM / drm): 50V; 110A RMS RCS. Pour les applications générales puspose de commande de phase | International Rectifier |
| 44210 | 2N2025 | Redresseur Commandé De Silicium | Microsemi |
| 44211 | 2N2025 | V (RRM / drm): 100V; 110A RMS RCS. Pour les applications générales puspose de commande de phase | International Rectifier |
| 44212 | 2N2026 | Redresseur Commandé De Silicium | Microsemi |
| 44213 | 2N2026 | V (RRM / drm): 150V; 110A RMS RCS. Pour les applications générales puspose de commande de phase | International Rectifier |
| 44214 | 2N2027 | Redresseur Commandé De Silicium | Microsemi |
| 44215 | 2N2027 | V (RRM / drm): 200V; 110A RMS RCS. Pour les applications générales puspose de commande de phase | International Rectifier |
| 44216 | 2N2028 | Redresseur Commandé De Silicium | Microsemi |
| 44217 | 2N2028 | V (RRM / drm): 250V; 110A RMS RCS. Pour les applications générales puspose de commande de phase | International Rectifier |
| 44218 | 2N2029 | Redresseur Commandé De Silicium | Microsemi |
| 44219 | 2N2029 | V (RRM / drm): 300V; 110A RMS RCS. Pour les applications générales puspose de commande de phase | International Rectifier |
| 44220 | 2N2030 | Redresseur Commandé De Silicium | Microsemi |
| 44221 | 2N2030 | V (RRM / drm): 400V; 110A RMS RCS. Pour les applications générales puspose de commande de phase | International Rectifier |
| 44222 | 2N2049 | Petit Usage universel Plombé De Transistor De Signal | Central Semiconductor |
| 44223 | 2N2060 | NPN Conjuguent Des Transistors | Microsemi |
| 44224 | 2N2060 | Petit Transistor Plombé De Signal Duel | Central Semiconductor |
| 44225 | 2N2060 | NPN silicium de transistor double amplificateur. | Motorola |
| 44226 | 2N2060(CAN) | Transistor Du Silicium NPN | Semicoa Semiconductor |
| 44227 | 2N2060A | TRANSISTOR DUEL D'CAmplificateur | SemeLAB |
| 44228 | 2N2060A | Petit Transistor Plombé De Signal Duel | Central Semiconductor |
| 44229 | 2N2060J | Transistor Du Silicium NPN | Semicoa Semiconductor |
| 44230 | 2N2060JV | Transistor Du Silicium NPN | Semicoa Semiconductor |
| 44231 | 2N2060JX | Transistor Du Silicium NPN | Semicoa Semiconductor |
| 44232 | 2N2060L | NPN Conjuguent Des Transistors | Microsemi |
| 44233 | 2N2060M | Petit Usage universel Plombé De Transistor De Signal | Central Semiconductor |
| 44234 | 2N2079 | Transistor De Puissance De Germanium | Semitronics |
| 44235 | 2N2079A | Transistor De Puissance De Germanium | GPD Optoelectronic Devices |
| 44236 | 2N20906A | TRANSISTORS PLANAIRES DE SILICIUM DE PNP | Siemens |
| 44237 | 2N20907A | TRANSISTORS PLANAIRES DE SILICIUM DE PNP | Siemens |
| 44238 | 2N2102 | NPN PLANAIRE ÉPITAXIAL | ST Microelectronics |
| 44239 | 2N2102 | AMPLIFICATEURS ET COMMUTATEURS DE PUISSANCE MOYENS D'CAf DE SILICIUM | Micro Electronics |
| 44240 | 2N2102 | AMPLIFICATEUR ET COMMUTATEUR TOUT USAGE | SGS Thomson Microelectronics |
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