No. | Nome della parte | Descrizione | Fabbricatore |
46081 | 2N4104 | Dispositivo Bipolare di NPN | SemeLAB |
46082 | 2N4104 | Dispositivo Bipolare di NPN | SemeLAB |
46083 | 2N4113 | Dispositivo bipolare di NPN in un pacchetto ermeticamente sigillato del metallo TO3 | SemeLAB |
46084 | 2N4113 | Dispositivo bipolare di NPN in un pacchetto ermeticamente sigillato del metallo TO3 | SemeLAB |
46085 | 2N4114 | Dispositivo bipolare di NPN in un pacchetto ermeticamente sigillato del metallo TO3 | SemeLAB |
46086 | 2N4117 | Amplificatore Di Uso generale Della N-Scanalatura JFET | Calogic |
46087 | 2N4117 | N-Channel giunzione di silicio transistor ad effetto di campo | InterFET Corporation |
46088 | 2N4117 | Ultra-alta impedenza di ingresso a canale N JFET | Linear Systems |
46089 | 2N4117A | Perdita Ultra Bassa, N-Scanalatura JFETs | Vishay |
46090 | 2N4117A | Amplificatore Di Uso generale Della N-Scanalatura JFET | Calogic |
46091 | 2N4117A | Amplificatore Ultra Alto Della N-Scanalatura JFET Di Impedenza Dell'Input | Linear Systems |
46092 | 2N4117A | N-Channel giunzione di silicio transistor ad effetto di campo | InterFET Corporation |
46093 | 2N4118 | Amplificatore Di Uso generale Della N-Scanalatura JFET | Calogic |
46094 | 2N4118 | N-scanalatura Ultraelevata JFET di IMPEDENZA dell'cInput | Linear Systems |
46095 | 2N4118 | N-Channel giunzione di silicio transistor ad effetto di campo | InterFET Corporation |
46096 | 2N4118A | Perdita Ultra Bassa, N-Scanalatura JFETs | Vishay |
46097 | 2N4118A | Amplificatore Di Uso generale Della N-Scanalatura JFET | Calogic |
46098 | 2N4118A | Amplificatore Ultra Alto Della N-Scanalatura JFET Di Impedenza Dell'Input | Linear Systems |
46099 | 2N4118A | N-Channel giunzione di silicio transistor ad effetto di campo | InterFET Corporation |
46100 | 2N4119 | Amplificatore Di Uso generale Della N-Scanalatura JFET | Calogic |
46101 | 2N4119 | N-scanalatura Ultraelevata JFET di IMPEDENZA dell'cInput | Linear Systems |
46102 | 2N4119 | N-Channel giunzione di silicio transistor ad effetto di campo | InterFET Corporation |
46103 | 2N4119A | Perdita Ultra Bassa, N-Scanalatura JFETs | Vishay |
46104 | 2N4119A | Amplificatore Di Uso generale Della N-Scanalatura JFET | Calogic |
46105 | 2N4119A | Amplificatore Ultra Alto Della N-Scanalatura JFET Di Impedenza Dell'Input | Linear Systems |
46106 | 2N4119A | N-Channel giunzione di silicio transistor ad effetto di campo | InterFET Corporation |
46107 | 2N4123 | Amplificatore Di Uso generale di NPN | Fairchild Semiconductor |
46108 | 2N4123 | TRANSISTORE EPITASSIALE PLANARE DEL SILICONE DI NPN | Micro Electronics |
46109 | 2N4123 | Transistore Per tutti gli usi 625mW Del Silicone di NPN | Micro Commercial Components |
46110 | 2N4123 | Piccolo Uso generale Al piombo Del Transistore Del Segnale | Central Semiconductor |
46111 | 2N4123 | Silicone Per tutti gli usi Di Transistors(NPN) | ON Semiconductor |
46112 | 2N4123 | TRANSISTORE EPITASSIALE DEL SILICONE DI NPN | Samsung Electronic |
46113 | 2N4123 | Planar epitassiale passivato NPN transistor al silicio. 30V, 200mA. | General Electric Solid State |
46114 | 2N4123 | Ic = 200mA, Vce = transistor 1.0V | MCC |
46115 | 2N4123 | General purpose transistor. Collector-emitter voltage: Vceo = 30V. Collector-base voltage: Vcbo = 40V. Collector dissipation: Pc(max) = 625mW. | USHA India LTD |
46116 | 2N4123-D | Silicone Per tutti gli usi Dei Transistori NPN | ON Semiconductor |
46117 | 2N4123BU | Amplificatore Di Uso generale di NPN | Fairchild Semiconductor |
46118 | 2N4123RLRA | Transistor impieghi generali - NPN | ON Semiconductor |
46119 | 2N4123RLRM | Transistor impieghi generali - NPN | ON Semiconductor |
46120 | 2N4123TA | Amplificatore Di Uso generale di NPN | Fairchild Semiconductor |
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