| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 46081 | 2N4104 | Zweipolige NPN Vorrichtung | SemeLAB |
| 46082 | 2N4104 | Zweipolige NPN Vorrichtung | SemeLAB |
| 46083 | 2N4113 | Zweipolige NPN Vorrichtung in einem hermetisch Siegel-paket des Metallto3 | SemeLAB |
| 46084 | 2N4113 | Zweipolige NPN Vorrichtung in einem hermetisch Siegel-paket des Metallto3 | SemeLAB |
| 46085 | 2N4114 | Zweipolige NPN Vorrichtung in einem hermetisch Siegel-paket des Metallto3 | SemeLAB |
| 46086 | 2N4117 | N-Führung JFET Zweck-Verstärker | Calogic |
| 46087 | 2N4117 | N-Kanal Silizium Sperrschicht-Feldeffekttransistor | InterFET Corporation |
| 46088 | 2N4117 | Extrem hohe Eingangsimpedanz N-Kanal-JFET | Linear Systems |
| 46089 | 2N4117A | Ultra Niedriges Durchsickern, N-Führung JFETs | Vishay |
| 46090 | 2N4117A | N-Führung JFET Zweck-Verstärker | Calogic |
| 46091 | 2N4117A | Ultra Hoher Eingang Widerstand N-Führung JFET Verstärker | Linear Systems |
| 46092 | 2N4117A | N-Kanal Silizium Sperrschicht-Feldeffekttransistor | InterFET Corporation |
| 46093 | 2N4118 | N-Führung JFET Zweck-Verstärker | Calogic |
| 46094 | 2N4118 | ULTRAHOCHEINGANG WIDERSTAND N-CHANNEL JFET | Linear Systems |
| 46095 | 2N4118 | N-Kanal Silizium Sperrschicht-Feldeffekttransistor | InterFET Corporation |
| 46096 | 2N4118A | Ultra Niedriges Durchsickern, N-Führung JFETs | Vishay |
| 46097 | 2N4118A | N-Führung JFET Zweck-Verstärker | Calogic |
| 46098 | 2N4118A | Ultra Hoher Eingang Widerstand N-Führung JFET Verstärker | Linear Systems |
| 46099 | 2N4118A | N-Kanal Silizium Sperrschicht-Feldeffekttransistor | InterFET Corporation |
| 46100 | 2N4119 | N-Führung JFET Zweck-Verstärker | Calogic |
| 46101 | 2N4119 | ULTRAHOCHEINGANG WIDERSTAND N-CHANNEL JFET | Linear Systems |
| 46102 | 2N4119 | N-Kanal Silizium Sperrschicht-Feldeffekttransistor | InterFET Corporation |
| 46103 | 2N4119A | Ultra Niedriges Durchsickern, N-Führung JFETs | Vishay |
| 46104 | 2N4119A | N-Führung JFET Zweck-Verstärker | Calogic |
| 46105 | 2N4119A | Ultra Hoher Eingang Widerstand N-Führung JFET Verstärker | Linear Systems |
| 46106 | 2N4119A | N-Kanal Silizium Sperrschicht-Feldeffekttransistor | InterFET Corporation |
| 46107 | 2N4123 | NPN Zweck-Verstärker | Fairchild Semiconductor |
| 46108 | 2N4123 | NPN SILIKON-PLANARER EPITAXIAL- TRANSISTOR | Micro Electronics |
| 46109 | 2N4123 | NPN Silikon-Universeller Transistor 625mW | Micro Commercial Components |
| 46110 | 2N4123 | Verbleiter Kleiner Signal-Transistor-Universeller Zweck | Central Semiconductor |
| 46111 | 2N4123 | Universelles Transistors(NPN Silikon) | ON Semiconductor |
| 46112 | 2N4123 | NPN EPITAXIAL- SILIKON-TRANSISTOR | Samsung Electronic |
| 46113 | 2N4123 | Planar epitaktischen passi NPN Silikon-Transistor. 30V, 200mA. | General Electric Solid State |
| 46114 | 2N4123 | Ic = 200mA, VCE = 1,0V Transistor | MCC |
| 46115 | 2N4123 | Universal Transistor. Kollektor-Emitter-Spannung: 30 V = Vceo. Kollektor-Basis-Spannung: 40V = VCBO. Collector Ableitung: Pc (max) = 625mW. | USHA India LTD |
| 46116 | 2N4123-D | Universelles Silikon Der Transistor-NPN | ON Semiconductor |
| 46117 | 2N4123BU | NPN Zweck-Verstärker | Fairchild Semiconductor |
| 46118 | 2N4123RLRA | Universal Transistor - NPN | ON Semiconductor |
| 46119 | 2N4123RLRM | Universal Transistor - NPN | ON Semiconductor |
| 46120 | 2N4123TA | NPN Zweck-Verstärker | Fairchild Semiconductor |
| | | |
