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| Schneller Sprung zu: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |  |  |
| 2N4123 Vorbei Hergestellt: | 
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 | Universal Transistor. Kollektor-Emitter-Spannung: 30 V = Vceo. Kollektor-Basis-Spannung: 40V = VCBO. Collector Ableitung: Pc (max) = 625mW. | Download 2N4123 datasheet von USHA India LTD |
pdf 50 kb |
 | Verbleiter Kleiner Signal-Transistor-Universeller Zweck Andere mit der gleichen Akte für datasheet: 2N4124, 2N4125, 2N4126, |
Download 2N4123 datasheet von Central Semiconductor |
pdf 85 kb |
 | Universelles Transistors(NPN Silikon) | Download 2N4123 datasheet von ON Semiconductor |
pdf 167 kb |
 | NPN EPITAXIAL- SILIKON-TRANSISTOR | Download 2N4123 datasheet von Samsung Electronic |
pdf 35 kb |
 | NPN SILIKON-PLANARER EPITAXIAL- TRANSISTOR | Download 2N4123 datasheet von Micro Electronics |
pdf 91 kb |
 | Planar epitaktischen passi NPN Silikon-Transistor. 30V, 200mA. | Download 2N4123 datasheet von General Electric Solid State |
pdf 179 kb |
 | NPN Silikon-Universeller Transistor 625mW | Download 2N4123 datasheet von Micro Commercial Components |
pdf 749 kb |
 | NPN Zweck-Verstärker | Download 2N4123 datasheet von Fairchild Semiconductor |
pdf 345 kb |
 | Ic = 200mA, VCE = 1,0V Transistor | Download 2N4123 datasheet von MCC |
pdf 749 kb |
| 2N4119A | Ansicht 2N4123 zu unserem Katalog | 2N4123-D |