No. | Nome della parte | Descrizione | Fabbricatore |
47841 | 2N5657 | TRANSISTORE DEL SILICONE NPN | SGS Thomson Microelectronics |
47842 | 2N5657 | Uso generale Al piombo Del Transistore Di Alimentazione | Central Semiconductor |
47843 | 2N5657 | Ē$a 350V NPN Di Alimentazione | ON Semiconductor |
47844 | 2N5659 | TRANSISTORE AD ALTA VELOCITĄ DI NPN 120 VOLT | Solid State Devices Inc |
47845 | 2N5659 | TRANSISTORE AD ALTA VELOCITĄ DI NPN 120 VOLT | Solid State Devices Inc |
47846 | 2N5660 | Transistore di NPN | Microsemi |
47847 | 2N5661 | Transistore di NPN | Microsemi |
47848 | 2N5662 | Transistore di NPN | Microsemi |
47849 | 2N5663 | Transistore di NPN | Microsemi |
47850 | 2N5663 | Dispositivo bipolare di NPN in un pacchetto ermeticamente sigillato del metallo TO39 | SemeLAB |
47851 | 2N5664 | Transistore di NPN | Microsemi |
47852 | 2N5664 | Polaritą NPN Della Geometria 9221 Del Tipo 2C5664 Del Circuito integrato | Semicoa Semiconductor |
47853 | 2N5664SMD | TRANSISTORE BIPOLARE Di NPN In un PACCHETTO DI SUPERFICIE DI CERAMICA Del SUPPORTO PER Le ALTE APPLICAZIONI Di REL | SemeLAB |
47854 | 2N5665 | Transistore di NPN | Microsemi |
47855 | 2N5665 | Dispositivo bipolare di NPN in un pacchetto ermeticamente sigillato del metallo TO66 | SemeLAB |
47856 | 2N5666 | Transistore di NPN | Microsemi |
47857 | 2N5666 | Polaritą NPN Della Geometria 9221 Del Tipo 2C5664 Del Circuito integrato | Semicoa Semiconductor |
47858 | 2N5666S | Transistore di NPN | Microsemi |
47859 | 2N5667 | Transistore di NPN | Microsemi |
47860 | 2N5667S | Transistore di NPN | Microsemi |
47861 | 2N5671 | Transistore di NPN | Microsemi |
47862 | 2N5671 | ALIMENTAZIONE TRANSISTORS(30a, 140w) | MOSPEC Semiconductor |
47863 | 2N5671 | Ad alta corrente, ad alta potenza, ad alta velocitą transistor al silicio NPN planare. | General Electric Solid State |
47864 | 2N5672 | Transistore di NPN | Microsemi |
47865 | 2N5672 | ALIMENTAZIONE TRANSISTORS(30a, 140w) | MOSPEC Semiconductor |
47866 | 2N5672 | Ad alta corrente, ad alta potenza, ad alta velocitą transistor al silicio NPN planare. | General Electric Solid State |
47867 | 2N5675 | Dispositivo bipolare di PNP in un pacchetto ermeticamente sigillato del metallo TO39 | SemeLAB |
47868 | 2N5675 | Dispositivo bipolare di PNP in un pacchetto ermeticamente sigillato del metallo TO39 | SemeLAB |
47869 | 2N5679 | Transistore di PNP | Microsemi |
47870 | 2N5679 | TRANSISTORI AD ALTA TENSIONE DEL SILICONE DI PNP/npn | Boca Semiconductor Corporation |
47871 | 2N5679 | TRANSISTORI DEL SILICONE DI PNP | SemeLAB |
47872 | 2N5679 | Piccolo Uso generale Al piombo Del Transistore Del Segnale | Central Semiconductor |
47873 | 2N5679 | 10.000W alta tensione PNP metallo puņ transistor. 100V Vceo, 1.000A Ic, 5 hFE. | Continental Device India Limited |
47874 | 2N5679 | 1.0 Amp 10 watt di potenza complementari NPN-PNP. | Fairchild Semiconductor |
47875 | 2N5680 | Transistore di PNP | Microsemi |
47876 | 2N5680 | TRANSISTORI AD ALTA TENSIONE DEL SILICONE DI PNP/npn | Boca Semiconductor Corporation |
47877 | 2N5680 | TRANSISTORI DEL SILICONE DI PNP | SemeLAB |
47878 | 2N5680 | Piccolo Uso generale Al piombo Del Transistore Del Segnale | Central Semiconductor |
47879 | 2N5680 | 10.000W alta tensione PNP metallo puņ transistor. 120V Vceo, 1.000A Ic, 5 hFE. | Continental Device India Limited |
47880 | 2N5680 | 1.0 Amp 10 watt di potenza complementari NPN-PNP. | Fairchild Semiconductor |
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