|   Home   |   Tutti i fornitori   |   Dalla funzione   |  

Numero parte, la descrizione o il produttore contenere:    
Salto rapido a:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Datasheets ha trovato :: 1351360Pagina: << | 14207 | 14208 | 14209 | 14210 | 14211 | 14212 | 14213 | 14214 | 14215 | 14216 | 14217 | >>
No.Nome della parteDescrizioneFabbricatore
568441IRF722Canale N transistore di potenza valorizzazione modalitŕ ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 400V. Corrente continua drain (a Tc 25deg) 2.5A.General Electric Solid State
568442IRF722MOSFET a canale N, 400V, 2.8ASGS Thomson Microelectronics
568443IRF7220-12V scelgono il MOSFET di alimentazione della P-Scanalatura HEXFET in un pacchetto So-8International Rectifier
568444IRF7220PBFMosfet Di Alimentazione di HEXFETInternational Rectifier
568445IRF7220PBFMosfet Di Alimentazione di HEXFETInternational Rectifier
568446IRF7220TR-12V scelgono il MOSFET di alimentazione della P-Scanalatura HEXFET in un pacchetto So-8International Rectifier
568447IRF722F1MOSFET a canale N, 400V, 2ASGS Thomson Microelectronics
568448IRF723Alimentazione Della N-Scanalatura A MOSFETs/3,0/350-400 VFairchild Semiconductor
568449IRF723N-scanalatura dei TRANSISTORIInternational Rectifier
568450IRF723Canale N transistore di potenza valorizzazione modalitŕ ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 350V. Corrente continua drain (a Tc 25deg) 2.5A.General Electric Solid State
568451IRF723MOSFET a canale N, 350V, 2.8ASGS Thomson Microelectronics
568452IRF7233-12V scelgono il MOSFET di alimentazione della P-Scanalatura HEXFET in un pacchetto So-8International Rectifier
568453IRF7233Regolatore Termoelettrico Del Dispositivo di raffreddamentoAnalog Devices
568454IRF7233PBF-12V scelgono il MOSFET di alimentazione della P-Scanalatura HEXFET in un pacchetto So-8International Rectifier
568455IRF7233TR-12V scelgono il MOSFET di alimentazione della P-Scanalatura HEXFET in un pacchetto So-8International Rectifier
568456IRF723F1MOSFET a canale N, 350V, 2ASGS Thomson Microelectronics
568457IRF7240-40V scelgono il MOSFET di alimentazione della P-Scanalatura HEXFET in un pacchetto So-8International Rectifier
568458IRF7240TR-40V scelgono il MOSFET di alimentazione della P-Scanalatura HEXFET in un pacchetto So-8International Rectifier
568459IRF7241-40V scelgono il MOSFET di alimentazione della P-Scanalatura HEXFET in un pacchetto So-8International Rectifier



568460IRF7241TR-40V scelgono il MOSFET di alimentazione della P-Scanalatura HEXFET in un pacchetto So-8International Rectifier
568461IRF7305.Ä, 400V, 1,000 Ohm, Mosfet Di Alimentazione Della N-ScanalaturaFairchild Semiconductor
568462IRF730N-scanalatura 400V - 0,75 OHM - 5.Ä - Mosfet Di To-220 POWERMESH IIST Microelectronics
568463IRF730400V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di To-220abInternational Rectifier
568464IRF730N - MANICA 400V - 0,75 W - 5.Ä - Mosfet Di To-220 PowerMESHSGS Thomson Microelectronics
568465IRF730L'energia della valanga del transistore di PowerMOS ha valutatoPhilips
568466IRF730Mosfet Di Alimentazione 400V/Di 5.Ä/1,000 Ohm/N-ScanalaturaIntersil
568467IRF730Canale N transistore di potenza valorizzazione modalitŕ ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 400V. Corrente continua drain (a Tc 25deg) 5.5A.General Electric Solid State
568468IRF730120V si raddoppiano MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto So-8International Rectifier
568469IRF7301TR20V si raddoppiano MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto So-8International Rectifier
568470IRF730330V si raddoppiano MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto So-8International Rectifier
568471IRF7303TR30V si raddoppiano MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto So-8International Rectifier
568472IRF7304-20V si raddoppiano MOSFET di alimentazione della P-Scanalatura HEXFET in un pacchetto So-8International Rectifier
568473IRF7304TR-20V si raddoppiano MOSFET di alimentazione della P-Scanalatura HEXFET in un pacchetto So-8International Rectifier
568474IRF7306-30V si raddoppiano MOSFET di alimentazione della P-Scanalatura HEXFET in un pacchetto So-8International Rectifier
568475IRF7306TR-30V si raddoppiano MOSFET di alimentazione della P-Scanalatura HEXFET in un pacchetto So-8International Rectifier
568476IRF730720V si raddoppiano MOSFET HEXFET di alimentazione della Manica di p e di n in un pacchetto So-8International Rectifier
568477IRF7307TR20V si raddoppiano MOSFET HEXFET di alimentazione della Manica di p e di n in un pacchetto So-8International Rectifier
568478IRF730930V si raddoppiano MOSFET HEXFET di alimentazione della Manica di p e di n in un pacchetto So-8International Rectifier
568479IRF7309PBF30V si raddoppiano MOSFET HEXFET di alimentazione della Manica di p e di n in un pacchetto So-8International Rectifier
568480IRF7309TR30V si raddoppiano MOSFET HEXFET di alimentazione della Manica di p e di n in un pacchetto So-8International Rectifier
Datasheets ha trovato :: 1351360Pagina: << | 14207 | 14208 | 14209 | 14210 | 14211 | 14212 | 14213 | 14214 | 14215 | 14216 | 14217 | >>
English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versión espańola para esta página Versăo portuguese para esta página Russian version Versiunea romaneasca



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com