| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 568441 | IRF722 | N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 400V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 2.5A. | General Electric Solid State |
| 568442 | IRF722 | MOSFET de canal N, 400V, 2.8A | SGS Thomson Microelectronics |
| 568443 | IRF7220 | -12V escogen el MOSFET de la energía del P-Canal HEXFET en un paquete So-8 | International Rectifier |
| 568444 | IRF7220PBF | Mosfet De la Energía de HEXFET | International Rectifier |
| 568445 | IRF7220PBF | Mosfet De la Energía de HEXFET | International Rectifier |
| 568446 | IRF7220TR | -12V escogen el MOSFET de la energía del P-Canal HEXFET en un paquete So-8 | International Rectifier |
| 568447 | IRF722F1 | Canal N MOSFET, 400V, 2A | SGS Thomson Microelectronics |
| 568448 | IRF723 | Energía Del N-Canal A MOSFETs/3,0/350-400 V | Fairchild Semiconductor |
| 568449 | IRF723 | N-canal de los TRANSISTORES | International Rectifier |
| 568450 | IRF723 | N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 350V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 2.5A. | General Electric Solid State |
| 568451 | IRF723 | MOSFET de canal N, 350V, 2.8A | SGS Thomson Microelectronics |
| 568452 | IRF7233 | -12V escogen el MOSFET de la energía del P-Canal HEXFET en un paquete So-8 | International Rectifier |
| 568453 | IRF7233 | Regulador Termoeléctrico Del Refrigerador | Analog Devices |
| 568454 | IRF7233PBF | -12V escogen el MOSFET de la energía del P-Canal HEXFET en un paquete So-8 | International Rectifier |
| 568455 | IRF7233TR | -12V escogen el MOSFET de la energía del P-Canal HEXFET en un paquete So-8 | International Rectifier |
| 568456 | IRF723F1 | Canal N MOSFET, 350V, 2A | SGS Thomson Microelectronics |
| 568457 | IRF7240 | -40V escogen el MOSFET de la energía del P-Canal HEXFET en un paquete So-8 | International Rectifier |
| 568458 | IRF7240TR | -40V escogen el MOSFET de la energía del P-Canal HEXFET en un paquete So-8 | International Rectifier |
| 568459 | IRF7241 | -40V escogen el MOSFET de la energía del P-Canal HEXFET en un paquete So-8 | International Rectifier |
| 568460 | IRF7241TR | -40V escogen el MOSFET de la energía del P-Canal HEXFET en un paquete So-8 | International Rectifier |
| 568461 | IRF730 | 5.Ä, 400V, 1,000 Ohmios, Mosfet De la Energía Del N-Canal | Fairchild Semiconductor |
| 568462 | IRF730 | N-canal 400V - 0,75 OHMIOS - 5.Ä - Mosfet De To-220 POWERMESH II | ST Microelectronics |
| 568463 | IRF730 | 400V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de To-220ab | International Rectifier |
| 568464 | IRF730 | N - CANAL 400V - 0,75 W - 5.Ä - Mosfet De To-220 PowerMESH | SGS Thomson Microelectronics |
| 568465 | IRF730 | Energía de la avalancha del transistor de PowerMOS clasificada | Philips |
| 568466 | IRF730 | Mosfet De la Energía De 5.Ä/De 400V/1,000 Ohmios/N-Canal | Intersil |
| 568467 | IRF730 | N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 400V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 5.5A. | General Electric Solid State |
| 568468 | IRF7301 | 20V se doblan MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete So-8 | International Rectifier |
| 568469 | IRF7301TR | 20V se doblan MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete So-8 | International Rectifier |
| 568470 | IRF7303 | 30V se doblan MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete So-8 | International Rectifier |
| 568471 | IRF7303TR | 30V se doblan MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete So-8 | International Rectifier |
| 568472 | IRF7304 | -20V se doblan MOSFET de la energía del P-Canal HEXFET en un paquete So-8 | International Rectifier |
| 568473 | IRF7304TR | -20V se doblan MOSFET de la energía del P-Canal HEXFET en un paquete So-8 | International Rectifier |
| 568474 | IRF7306 | -30V se doblan MOSFET de la energía del P-Canal HEXFET en un paquete So-8 | International Rectifier |
| 568475 | IRF7306TR | -30V se doblan MOSFET de la energía del P-Canal HEXFET en un paquete So-8 | International Rectifier |
| 568476 | IRF7307 | 20V se doblan MOSFET de la n y de la energía del canal HEXFET del p en un paquete So-8 | International Rectifier |
| 568477 | IRF7307TR | 20V se doblan MOSFET de la n y de la energía del canal HEXFET del p en un paquete So-8 | International Rectifier |
| 568478 | IRF7309 | 30V se doblan MOSFET de la n y de la energía del canal HEXFET del p en un paquete So-8 | International Rectifier |
| 568479 | IRF7309PBF | 30V se doblan MOSFET de la n y de la energía del canal HEXFET del p en un paquete So-8 | International Rectifier |
| 568480 | IRF7309TR | 30V se doblan MOSFET de la n y de la energía del canal HEXFET del p en un paquete So-8 | International Rectifier |
| | | |
