| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 568401 | IRF710B | Mosfet Del N-Canal 400V | Fairchild Semiconductor |
| 568402 | IRF710S | 400V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de D2-Pak | International Rectifier |
| 568403 | IRF710STRL | 400V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de D2-Pak | International Rectifier |
| 568404 | IRF710STRR | 400V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de D2-Pak | International Rectifier |
| 568405 | IRF711 | MOSFETs/2.2Ä/350-400V De la Energía Del N-Canal | Fairchild Semiconductor |
| 568406 | IRF712 | MOSFETs/2.2Ä/350-400V De la Energía Del N-Canal | Fairchild Semiconductor |
| 568407 | IRF713 | MOSFETs/2.2Ä/350-400V De la Energía Del N-Canal | Fairchild Semiconductor |
| 568408 | IRF720 | 3.Á, 400V, 1,800 Ohmios, Mosfet De la Energía Del N-Canal | Fairchild Semiconductor |
| 568409 | IRF720 | 400V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de To-220ab | International Rectifier |
| 568410 | IRF720 | Mosfet De la Energía De 3.Á/De 400V/1,800 Ohmios/N-Canal | Intersil |
| 568411 | IRF720 | MOSFETS de la ENERGÍA Del N-canal | Samsung Electronic |
| 568412 | IRF720 | N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 400V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 3.0A. | General Electric Solid State |
| 568413 | IRF720 | MOSFET de canal N, 400V, 3.3A | SGS Thomson Microelectronics |
| 568414 | IRF7201 | 30V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete So-8 | International Rectifier |
| 568415 | IRF7201PBF | 30V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete So-8 | International Rectifier |
| 568416 | IRF7201TR | 30V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete So-8 | International Rectifier |
| 568417 | IRF7204 | -20V escogen el MOSFET de la energía del P-Canal HEXFET en un paquete So-8 | International Rectifier |
| 568418 | IRF7204TR | -20V escogen el MOSFET de la energía del P-Canal HEXFET en un paquete So-8 | International Rectifier |
| 568419 | IRF7205 | -30V escogen el MOSFET de la energía del P-Canal HEXFET en un paquete So-8 | International Rectifier |
| 568420 | IRF7205PBF | -30V escogen el MOSFET de la energía del P-Canal HEXFET en un paquete So-8 | International Rectifier |
| 568421 | IRF7205TR | -30V escogen el MOSFET de la energía del P-Canal HEXFET en un paquete So-8 | International Rectifier |
| 568422 | IRF7207 | -20V escogen el MOSFET de la energía del P-Canal HEXFET en un paquete So-8 | International Rectifier |
| 568423 | IRF7207TR | -20V escogen el MOSFET de la energía del P-Canal HEXFET en un paquete So-8 | International Rectifier |
| 568424 | IRF720B | Mosfet Del N-Canal 400V | Fairchild Semiconductor |
| 568425 | IRF720F1 | MOSFET de canal N, 400V, 2.5A | SGS Thomson Microelectronics |
| 568426 | IRF720PBF | 400V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de To-220ab | International Rectifier |
| 568427 | IRF720S | 400V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de D2-Pak | International Rectifier |
| 568428 | IRF720SPBF | 400V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de D2-Pak | International Rectifier |
| 568429 | IRF720STRL | 400V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de D2-Pak | International Rectifier |
| 568430 | IRF720STRR | 400V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de D2-Pak | International Rectifier |
| 568431 | IRF721 | Energía Del N-Canal A MOSFETs/3,0/350-400 V | Fairchild Semiconductor |
| 568432 | IRF721 | N-canal de los TRANSISTORES | International Rectifier |
| 568433 | IRF721 | MOSFETS de la ENERGÍA Del N-canal | Samsung Electronic |
| 568434 | IRF721 | N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 350V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 3.0A. | General Electric Solid State |
| 568435 | IRF721 | MOSFET de canal N, 350V, 3.3A | SGS Thomson Microelectronics |
| 568436 | IRF7210 | -12V escogen el MOSFET de la energía del P-Canal HEXFET en un paquete So-8 | International Rectifier |
| 568437 | IRF7210TR | -12V escogen el MOSFET de la energía del P-Canal HEXFET en un paquete So-8 | International Rectifier |
| 568438 | IRF721F1 | MOSFET de canal N, 350V, 2.5A | SGS Thomson Microelectronics |
| 568439 | IRF722 | Energía Del N-Canal A MOSFETs/3,0/350-400 V | Fairchild Semiconductor |
| 568440 | IRF722 | N-canal de los TRANSISTORES | International Rectifier |
| | | |
